SI4126DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 71.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4126DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI4126DY-T1-GE3 за ціною від 66.76 грн до 172.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4126DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V |
на замовлення 3862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4126DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 4652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI4126DY-T1-GE3 |
|
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| SI4126DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 39A; Idm: 70A; 7.8W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A On-state resistance: 3.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 7.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 105nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI4126DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 39A; Idm: 70A; 7.8W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A On-state resistance: 3.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 7.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 105nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD Case: SO8 |
товар відсутній |