Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4126DY-T1-GE3
SI4126DY-T1-GE3

SI4126DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4126dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+71.40 грн
5000+65.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4126DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI4126DY-T1-GE3 за ціною від 62.33 грн до 230.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4126DY-T1-GE3 SI4126DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4126dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
138+93.73 грн
139+89.87 грн
250+82.97 грн
500+79.42 грн
1000+79.19 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3 SI4126DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4126dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+100.72 грн
10+100.42 грн
25+100.14 грн
100+96.28 грн
250+88.90 грн
500+85.10 грн
1000+84.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3 SI4126DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4126dy.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 6851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.97 грн
10+141.92 грн
100+87.15 грн
500+73.91 грн
1000+70.42 грн
2500+62.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3 SI4126DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4126dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V
на замовлення 15814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.61 грн
10+144.72 грн
100+100.38 грн
500+76.42 грн
1000+74.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3 si4126dy.pdf
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3 SI4126DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4126dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.