Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4126DY-T1-GE3
SI4126DY-T1-GE3

SI4126DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4126dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+73.23 грн
7500+66.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4126DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI4126DY-T1-GE3 за ціною від 74.92 грн до 261.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4126DY-T1-GE3 SI4126DY-T1-GE3 Vishay si4126dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+106.14 грн
139+101.77 грн
250+93.96 грн
500+89.94 грн
1000+89.68 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3 SI4126DY-T1-GE3 Vishay si4126dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.45 грн
10+106.14 грн
25+105.84 грн
100+101.77 грн
250+93.96 грн
500+89.94 грн
1000+89.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3 SI4126DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4126dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V
на замовлення 9748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.75 грн
10+148.38 грн
50+114.02 грн
100+96.61 грн
500+78.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3 SI4126DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4126dy.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+261.01 грн
10+167.49 грн
100+102.10 грн
500+87.84 грн
1000+81.83 грн
2500+74.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3 si4126dy.pdf
SI4126DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
138+106.14 грн
139+101.77 грн
250+93.96 грн
500+89.94 грн
1000+89.68 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3 si4126dy.pdf
SI4126DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+106.45 грн
10+106.14 грн
25+105.84 грн
100+101.77 грн
250+93.96 грн
500+89.94 грн
1000+89.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3 si4126dy.pdf
SI4126DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V
на замовлення 9748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.75 грн
10+148.38 грн
50+114.02 грн
100+96.61 грн
500+78.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3 si4126dy.pdf
SI4126DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+261.01 грн
10+167.49 грн
100+102.10 грн
500+87.84 грн
1000+81.83 грн
2500+74.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.