Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4134DY-T1-E3
SI4134DY-T1-E3

SI4134DY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4134dy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4134DY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI4134DY-T1-E3 за ціною від 16.32 грн до 50.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4134DY-T1-E3 SI4134DY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4134dy.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 67067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.83 грн
10+ 39.29 грн
100+ 25.9 грн
500+ 22.91 грн
1000+ 20.04 грн
2500+ 17.31 грн
5000+ 16.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI4134DY-T1-E3 SI4134DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4134dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 4212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+50.43 грн
10+ 42.04 грн
100+ 29.11 грн
500+ 22.83 грн
1000+ 19.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI4134DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4134dy.pdf 1027+ SOP8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)