Продукція > VISHAY > SI4134DY-T1-GE3
SI4134DY-T1-GE3

SI4134DY-T1-GE3 Vishay

si4134dy.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+26.31 грн
5000+23.91 грн
10000+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4134DY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 5W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.

Інші пропозиції SI4134DY-T1-GE3 за ціною від 13.99 грн до 87.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 Vishay si4134dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.31 грн
5000+23.91 грн
10000+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 Vishay si4134dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.32 грн
5000+27.55 грн
10000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 Vishay si4134dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.43 грн
5000+27.65 грн
10000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 Vishay si4134dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.47 грн
100+45.17 грн
500+35.02 грн
1000+29.80 грн
2500+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 Vishay si4134dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
269+52.47 грн
313+45.17 грн
500+35.02 грн
1000+29.80 грн
2500+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 Vishay si4134dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+68.62 грн
237+59.67 грн
500+42.02 грн
1000+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 VISHAY si4134dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 11.2A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.2A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.09 грн
10+51.90 грн
50+38.46 грн
100+33.49 грн
500+23.55 грн
1000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4134dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.25 грн
10+52.96 грн
50+39.23 грн
100+32.66 грн
500+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4134dy.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 7361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 9905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 9905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4134dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 Siliconix si4134dy.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 14A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4134DY-T1-GE3 TSI4134dy
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
SI4134DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+26.31 грн
5000+23.91 грн
10000+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
SI4134DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.32 грн
5000+27.55 грн
10000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
SI4134DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.43 грн
5000+27.65 грн
10000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
SI4134DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+52.47 грн
100+45.17 грн
500+35.02 грн
1000+29.80 грн
2500+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
SI4134DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
269+52.47 грн
313+45.17 грн
500+35.02 грн
1000+29.80 грн
2500+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
SI4134DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
206+68.62 грн
237+59.67 грн
500+42.02 грн
1000+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
SI4134DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 11.2A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.2A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+82.09 грн
10+51.90 грн
50+38.46 грн
100+33.49 грн
500+23.55 грн
1000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
SI4134DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.25 грн
10+52.96 грн
50+39.23 грн
100+32.66 грн
500+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
SI4134DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 7361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 VISH-S-A0002474566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4134DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 9905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 VISH-S-A0002474566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4134DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 9905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
SI4134DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 14A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4134DY-T1-GE3 TSI4134dy
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.