Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4136DY-T1-GE3
SI4136DY-T1-GE3

SI4136DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4136dy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
на замовлення 1581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.70 грн
10+66.19 грн
100+53.39 грн
500+48.17 грн
1000+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4136DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI4136DY-T1-GE3 за ціною від 41.09 грн до 117.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4136DY-T1-GE3 SI4136DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4136dy.pdf MOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 12974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.22 грн
10+71.66 грн
100+50.33 грн
500+49.41 грн
1000+46.36 грн
2500+42.84 грн
5000+41.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3 SI4136DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4136dy.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+117.35 грн
10+83.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3 SI4136DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4136dy.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3 si4136dy.pdf
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3 SI4136DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4136dy.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3 SI4136DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4136dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.