SI4136DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
на замовлення 1581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.01 грн |
| 10+ | 65.69 грн |
| 100+ | 53.00 грн |
| 500+ | 47.81 грн |
| 1000+ | 45.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4136DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI4136DY-T1-GE3 за ціною від 40.78 грн до 115.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4136DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 12974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4136DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4136DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI4136DY-T1-GE3 |
|
на замовлення 2450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
SI4136DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI4136DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 46A; Idm: 70A; 7.8W Kind of package: reel; tape Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 110nC On-state resistance: 2.5mΩ Power dissipation: 7.8W Drain-source voltage: 20V Gate-source voltage: ±20V Drain current: 46A Pulsed drain current: 70A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
SI4136DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI4136DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 46A; Idm: 70A; 7.8W Kind of package: reel; tape Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 110nC On-state resistance: 2.5mΩ Power dissipation: 7.8W Drain-source voltage: 20V Gate-source voltage: ±20V Drain current: 46A Pulsed drain current: 70A |
товару немає в наявності |