Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4143DY-T1-GE3
SI4143DY-T1-GE3

SI4143DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4143dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.79 грн
5000+17.58 грн
7500+16.83 грн
12500+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4143DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4143DY-T1-GE3 за ціною від 20.12 грн до 71.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4143DY-T1-GE3 SI4143DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4143dy.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.58 грн
10+46.40 грн
100+30.48 грн
500+22.19 грн
1000+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 SI4143DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4143dy.pdf MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 108035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 SI4143DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002473689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 SI4143DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002473689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4143dy.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6630 @ 15, Qg, нКл = 167 @ 10 В, Rds = 6,2 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 2500 Од.
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 426 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 426 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 si4143dy.pdf
SI4143DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.58 грн
10+46.40 грн
100+30.48 грн
500+22.19 грн
1000+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 si4143dy.pdf
SI4143DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 108035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 VISH-S-A0002473689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4143DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 VISH-S-A0002473689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4143DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 si4143dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6630 @ 15, Qg, нКл = 167 @ 10 В, Rds = 6,2 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 2500 Од.
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 426 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 426 шт
В кошику  од. на суму  грн.