SI4143DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 20.38 грн |
| 5000+ | 18.11 грн |
| 7500+ | 17.34 грн |
| 12500+ | 15.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4143DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 6W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI4143DY-T1-GE3 за ціною від 20.73 грн до 106.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4143DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 12630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4143DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8 |
на замовлення 108035 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI4143DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6630 @ 15, Qg, нКл = 167 @ 10 В, Rds = 6,2 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 2500 Од. кількість в упаковці: 2500 шт |
на замовлення 426 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| SI4143DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.74 грн |
| 10+ | 47.80 грн |
| 100+ | 31.40 грн |
| 500+ | 22.86 грн |
| 1000+ | 20.73 грн |
| SI4143DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 108035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 106.08 грн |
| 10+ | 66.06 грн |
| 100+ | 38.13 грн |
| 500+ | 29.81 грн |
| 1000+ | 27.14 грн |
| 2500+ | 24.18 грн |
| 5000+ | 22.62 грн |
| SI4143DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6630 @ 15, Qg, нКл = 167 @ 10 В, Rds = 6,2 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 2500 Од.
кількість в упаковці: 2500 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6630 @ 15, Qg, нКл = 167 @ 10 В, Rds = 6,2 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 2500 Од.
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 426 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 27.79 грн |