SI4143DY-T1-GE3

SI4143DY-T1-GE3 Vishay Siliconix


si4143dy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.67 грн
5000+21.03 грн
7500+20.13 грн
12500+17.94 грн
17500+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4143DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4143DY-T1-GE3 за ціною від 20.05 грн до 87.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4143DY-T1-GE3 SI4143DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4143dy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 SI4143DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY 3006539.pdf Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 6822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.78 грн
500+27.66 грн
1000+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 SI4143DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4143dy.pdf MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 8611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.32 грн
10+53.33 грн
100+32.14 грн
500+26.86 грн
1000+22.88 грн
2500+20.28 грн
5000+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 SI4143DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY 3006539.pdf Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 6822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.71 грн
50+55.98 грн
100+37.78 грн
500+27.66 грн
1000+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 SI4143DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4143dy.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V
на замовлення 61349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.75 грн
10+54.53 грн
100+36.46 грн
500+26.54 грн
1000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 SI4143DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4143dy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 SI4143DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4143dy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 SI4143DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4143dy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4143dy.pdf SI4143DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.