на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 36.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4151DY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4151DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 5.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.6W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00625ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI4151DY-T1-GE3 за ціною від 30.17 грн до 138.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4151DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4151DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4151DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 5.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00625ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 3553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4151DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs SO8 P-CH 30V 15.2A |
на замовлення 7908 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4151DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4151DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 3553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4151DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4151DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SI4151DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI4151DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI4151DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.5A; 5.6W; SO8 Technology: TrenchFET® Case: SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -150A Drain-source voltage: -30V Drain current: -20.5A Gate charge: 87nC On-state resistance: 13mΩ Power dissipation: 5.6W Gate-source voltage: ±25V кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SI4151DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.5A; 5.6W; SO8 Technology: TrenchFET® Case: SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -150A Drain-source voltage: -30V Drain current: -20.5A Gate charge: 87nC On-state resistance: 13mΩ Power dissipation: 5.6W Gate-source voltage: ±25V |
товару немає в наявності |