на замовлення 15648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50 грн |
| 10+ | 43.15 грн |
| 100+ | 25.57 грн |
| 500+ | 21.43 грн |
| 1000+ | 18.76 грн |
| 2500+ | 15.82 грн |
| 5000+ | 15.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4153DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI4153DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0072 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI4153DY-T1-GE3 за ціною від 14.7 грн до 54.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4153DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4153DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0072 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 5788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI4153DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY | SI4153DY-T1-GE3 SMD P channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
SI4153DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SI4153DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 |
товар відсутній |