Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SI4154DY-T1-GE3

SI4154DY-T1-GE3

si4154dy.pdf
Код товару: 184243
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI4154DY-T1-GE3 за ціною від 37.57 грн до 148.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4154DY-T1-GE3 SI4154DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4154dy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.03 грн
5000+39.20 грн
7500+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3 SI4154DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4154dy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
на замовлення 11334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.57 грн
10+71.09 грн
100+56.95 грн
500+47.68 грн
1000+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3 SI4154DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4154dy.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 22941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.90 грн
10+66.95 грн
100+44.47 грн
500+38.91 грн
1000+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3 SI4154DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0009181880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.84 грн
50+67.02 грн
100+52.71 грн
500+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4154dy.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 36 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4230 @ 20, Qg, нКл = 105 @ 10, Rds = 3,3 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 7,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Очікується: 10000 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 359 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 359 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3 si4154dy.pdf
SI4154DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+43.03 грн
5000+39.20 грн
7500+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3 si4154dy.pdf
SI4154DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
на замовлення 11334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+93.57 грн
10+71.09 грн
100+56.95 грн
500+47.68 грн
1000+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3 si4154dy.pdf
SI4154DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 22941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+143.90 грн
10+66.95 грн
100+44.47 грн
500+38.91 грн
1000+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3 VISH-S-A0009181880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4154DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+148.84 грн
50+67.02 грн
100+52.71 грн
500+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3 si4154dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 36 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4230 @ 20, Qg, нКл = 105 @ 10, Rds = 3,3 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 7,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Очікується: 10000 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 359 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 359 шт
В кошику  од. на суму  грн.