Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4156DY-T1-GE3
SI4156DY-T1-GE3

SI4156DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4156dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4156DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI4156DY-T1-GE3 за ціною від 23.54 грн до 104.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4156DY-T1-GE3 SI4156DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4156dy.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 56734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.34 грн
10+58.12 грн
100+35.24 грн
500+30.52 грн
1000+26.15 грн
2500+23.61 грн
5000+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3 SI4156DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4156dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 4627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.43 грн
10+56.12 грн
100+41.29 грн
500+32.59 грн
1000+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4156dy.pdf MOSFET N-CH 30V 24A 8SO Транзистори
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+104.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3 si4156dy.pdf
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3 si4156dy.pdf
SI4156DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 56734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+86.34 грн
10+58.12 грн
100+35.24 грн
500+30.52 грн
1000+26.15 грн
2500+23.61 грн
5000+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3 si4156dy.pdf
SI4156DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 4627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+86.43 грн
10+56.12 грн
100+41.29 грн
500+32.59 грн
1000+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3 si4156dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO Транзистори
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
3+104.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3 si4156dy.pdf
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.