Продукція > VISHAY > SI4156DY-T1-GE3
SI4156DY-T1-GE3

SI4156DY-T1-GE3 Vishay

si4156dy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4156DY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4156DY-T1-GE3 за ціною від 24.24 грн до 88.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4156DY-T1-GE3 SI4156DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4156dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3 SI4156DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4156dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 4627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.56 грн
10+55.56 грн
100+40.87 грн
500+32.26 грн
1000+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3 SI4156DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4156dy.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 56734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.89 грн
10+59.83 грн
100+36.28 грн
500+31.42 грн
1000+26.92 грн
2500+24.31 грн
5000+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3 si4156dy.pdf
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4156dy.pdf MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3 SI4156DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4156dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3 SI4156DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4156dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3 SI4156DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3 SI4156DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4156dy.pdf SI4156DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.