Продукція > VISHAY > SI4160DY-T1-GE3
SI4160DY-T1-GE3

SI4160DY-T1-GE3 VISHAY

si4160dy.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4160DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+74.89 грн
12+ 65.31 грн
100+ 48.08 грн
500+ 37.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4160DY-T1-GE3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI4160DY-T1-GE3 за ціною від 38.65 грн до 98.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4160DY-T1-GE3 SI4160DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4160dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97.49 грн
10+ 84.01 грн
100+ 65.5 грн
500+ 50.78 грн
1000+ 40.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4160DY-T1-GE3 SI4160DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4160dy.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 14229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+98.92 грн
10+ 87.52 грн
100+ 59.08 грн
500+ 48.8 грн
1000+ 38.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4160DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4160dy.pdf
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4160DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4160dy.pdf SI4160DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4160DY-T1-GE3 SI4160DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4160dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V
товар відсутній