SI4160DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 113.92 грн |
| 10+ | 77.09 грн |
| 100+ | 42.96 грн |
| 500+ | 39.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4160DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI4160DY-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4160DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 14229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SI4160DY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4160DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.7W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SI4160DY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4160DY-T1-GE3 | Vishay |
|
на замовлення 1640 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4160DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 14229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI4160DY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4160DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
Description: VISHAY - SI4160DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4160DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4160DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)