SI4160DY-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SI4160DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 82.53 грн |
| 12+ | 71.96 грн |
| 100+ | 52.98 грн |
| 500+ | 41.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4160DY-T1-GE3 VISHAY
Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI4160DY-T1-GE3 за ціною від 40.43 грн до 117.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4160DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 14229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4160DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V |
на замовлення 2494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4160DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| SI4160DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
|
на замовлення 1640 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
SI4160DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI4160DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI4160DY-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SI4160DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |