Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4162DY-T1-GE3
SI4162DY-T1-GE3

SI4162DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4162dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+23.48 грн
5000+20.92 грн
7500+20.06 грн
12500+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4162DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 7900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SI4162DY-T1-GE3 за ціною від 22.43 грн до 88.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 VISHAY si4162dy.pdf Description: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 7900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 69562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.40 грн
500+28.57 грн
1000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4162dy.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 9156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.41 грн
10+59.28 грн
100+35.73 грн
500+29.82 грн
1000+25.39 грн
2500+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 VISHAY SI4162DY.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15.4A; 3.2W; SO8
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.8nC
On-state resistance: 7.9mΩ
Power dissipation: 3.2W
Drain current: 15.4A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.52 грн
7+64.33 грн
10+55.95 грн
50+39.70 грн
100+34.54 грн
500+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4162dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 20884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.61 грн
10+54.02 грн
100+35.75 грн
500+26.17 грн
1000+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474611-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 7900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
на замовлення 69552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.61 грн
50+63.42 грн
100+42.01 грн
500+27.96 грн
1000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 si4162dy.pdf
SI4162DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 7900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 69562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+43.40 грн
500+28.57 грн
1000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 si4162dy.pdf
SI4162DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 9156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+69.41 грн
10+59.28 грн
100+35.73 грн
500+29.82 грн
1000+25.39 грн
2500+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY.pdf
SI4162DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15.4A; 3.2W; SO8
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.8nC
On-state resistance: 7.9mΩ
Power dissipation: 3.2W
Drain current: 15.4A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+87.52 грн
7+64.33 грн
10+55.95 грн
50+39.70 грн
100+34.54 грн
500+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 si4162dy.pdf
SI4162DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 20884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+88.61 грн
10+54.02 грн
100+35.75 грн
500+26.17 грн
1000+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 VISH-S-A0002474611-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4162DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 7900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
на замовлення 69552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+88.61 грн
50+63.42 грн
100+42.01 грн
500+27.96 грн
1000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.