Інші пропозиції SI4164DY-T1-GE3 за ціною від 39.15 грн до 162.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4164DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI4164DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 3200 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4164DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4164DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 4918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4164DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI4164DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI4164DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
SI4164DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI4164DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Case: SO8 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 95nC On-state resistance: 3.9mΩ Power dissipation: 6W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 30A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 70A |
товару немає в наявності |