Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SI4164DY-T1-GE3

SI4164DY-T1-GE3

si4164dy.pdf
Код товару: 186845
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+68.00 грн
10+62.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI4164DY-T1-GE3 за ціною від 64.32 грн до 153.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4164DY-T1-GE3 SI4164DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4164dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.95 грн
10+94.80 грн
100+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3 SI4164DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474112-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4164DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 3200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3 SI4164DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4164dy.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3 si4164dy.pdf
SI4164DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+153.95 грн
10+94.80 грн
100+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3 VISH-S-A0002474112-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4164DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4164DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 3200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3 si4164dy.pdf
SI4164DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.