Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4166DY-T1-GE3
SI4166DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4166dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.80 грн
5000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4166DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4166DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30.5 A, 0.0032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4166DY-T1-GE3 за ціною від 38.17 грн до 79.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4166DY-T1-GE3 SI4166DY-T1-GE3 Vishay si4166dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+46.21 грн
308+45.75 грн
310+45.44 грн
312+43.52 грн
500+40.03 грн
1000+38.17 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3 SI4166DY-T1-GE3 Vishay si4166dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.77 грн
17+46.21 грн
25+45.75 грн
100+43.82 грн
250+40.30 грн
500+38.43 грн
1000+38.17 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3 SI4166DY-T1-GE3 Vishay si4166dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3 SI4166DY-T1-GE3 Vishay si4166dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3 SI4166DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4166dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
на замовлення 7727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.28 грн
10+64.93 грн
100+49.60 грн
500+42.04 грн
1000+38.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3 SI4166DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4166dy.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3 SI4166DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474577-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4166DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30.5 A, 0.0032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3 si4166dy.pdf
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3 si4166dy.pdf
SI4166DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
305+46.21 грн
308+45.75 грн
310+45.44 грн
312+43.52 грн
500+40.03 грн
1000+38.17 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3 si4166dy.pdf
SI4166DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+47.77 грн
17+46.21 грн
25+45.75 грн
100+43.82 грн
250+40.30 грн
500+38.43 грн
1000+38.17 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3 si4166dy.pdf
SI4166DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3 si4166dy.pdf
SI4166DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3 si4166dy.pdf
SI4166DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
на замовлення 7727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.28 грн
10+64.93 грн
100+49.60 грн
500+42.04 грн
1000+38.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3 si4166dy.pdf
SI4166DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3 VISH-S-A0002474577-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4166DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4166DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30.5 A, 0.0032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3 si4166dy.pdf
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.