Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4168DY-T1-GE3
SI4168DY-T1-GE3

SI4168DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4168dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.19 грн
5000+31.51 грн
7500+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4168DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI4168DY-T1-GE3 за ціною від 31.83 грн до 138.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4168DY-T1-GE3 SI4168DY-T1-GE3 Vishay si4168dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3 SI4168DY-T1-GE3 Vishay si4168dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3 SI4168DY-T1-GE3 Vishay si4168dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+60.19 грн
285+51.32 грн
287+49.19 грн
500+41.11 грн
1000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3 SI4168DY-T1-GE3 Vishay si4168dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3 SI4168DY-T1-GE3 Vishay si4168dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.38 грн
13+60.21 грн
25+60.19 грн
100+49.49 грн
250+45.54 грн
500+39.46 грн
1000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3 SI4168DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4168dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V
на замовлення 26145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.39 грн
10+64.73 грн
100+48.64 грн
500+39.26 грн
1000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3 SI4168DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4168dy.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3248 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+138.39 грн
10+65.01 грн
100+50.45 грн
500+39.79 грн
1000+37.09 грн
2500+33.93 грн
5000+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3 si4168dy.pdf
SI4168DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3 si4168dy.pdf
SI4168DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3 si4168dy.pdf
SI4168DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
243+60.19 грн
285+51.32 грн
287+49.19 грн
500+41.11 грн
1000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3 si4168dy.pdf
SI4168DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+67.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3 si4168dy.pdf
SI4168DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+71.38 грн
13+60.21 грн
25+60.19 грн
100+49.49 грн
250+45.54 грн
500+39.46 грн
1000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3 si4168dy.pdf
SI4168DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V
на замовлення 26145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.39 грн
10+64.73 грн
100+48.64 грн
500+39.26 грн
1000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3 si4168dy.pdf
SI4168DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3248 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+138.39 грн
10+65.01 грн
100+50.45 грн
500+39.79 грн
1000+37.09 грн
2500+33.93 грн
5000+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.