на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 32.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4168DY-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI4168DY-T1-GE3 за ціною від 28.36 грн до 100.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4168DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4168DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4168DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4168DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4168DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4168DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V |
на замовлення 26145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI4168DY-T1-GE3 |
|
на замовлення 652 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
SI4168DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI4168DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI4168DY-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
SI4168DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SI4168DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 |
товару немає в наявності |