Продукція > VISHAY > SI4174DY-T1-GE3
SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3 Vishay


si4174dy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4174DY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4174DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4174DY-T1-GE3 за ціною від 21.81 грн до 92.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4174DY-T1-GE3 SI4174DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4174dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.36 грн
5000+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 SI4174DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4174dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.16 грн
5000+23.26 грн
7500+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 SI4174DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4174dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.03 грн
5000+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 SI4174DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4174dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 SI4174DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4174dy.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 23147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.23 грн
10+59.67 грн
100+37.19 грн
500+31.07 грн
1000+26.48 грн
2500+22.81 грн
5000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 SI4174DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4174dy.pdf Description: VISHAY - SI4174DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.80 грн
16+56.41 грн
100+39.58 грн
500+29.34 грн
1000+24.87 грн
5000+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 SI4174DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4174dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 9408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.07 грн
10+61.15 грн
100+40.86 грн
500+29.88 грн
1000+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4174dy.pdf SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.62 грн
32+35.49 грн
87+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 SI4174DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4174dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 SI4174DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4174dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.