Продукція > VISHAY > SI4178DY-T1-GE3
SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3 Vishay

si4178dy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4178DY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4178DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4178DY-T1-GE3 за ціною від 12.44 грн до 77.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4178dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4178dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4178dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A59D39AFC160E11C&compId=SI4178DY-T1-DTE.pdf?ci_sign=4bbfca1a1b0f3351fc25dfaba5f3b6abc660efe6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.10 грн
20+20.22 грн
50+18.94 грн
100+17.90 грн
200+16.86 грн
500+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4178dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
499+24.93 грн
595+20.91 грн
601+20.70 грн
647+18.55 грн
1000+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 499
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4178dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+26.71 грн
100+21.60 грн
250+19.80 грн
500+17.66 грн
1000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A59D39AFC160E11C&compId=SI4178DY-T1-DTE.pdf?ci_sign=4bbfca1a1b0f3351fc25dfaba5f3b6abc660efe6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.92 грн
20+25.20 грн
50+22.73 грн
100+21.48 грн
200+20.24 грн
500+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4178dy.pdf Description: VISHAY - SI4178DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.73 грн
500+23.82 грн
1000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4178dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.01 грн
10+32.77 грн
100+27.97 грн
500+21.88 грн
1000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4178dy.pdf Description: VISHAY - SI4178DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.55 грн
50+42.87 грн
100+30.73 грн
500+23.82 грн
1000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4178dy.pdf MOSFETs 30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 20329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.79 грн
11+32.38 грн
100+20.56 грн
500+17.26 грн
1000+16.27 грн
2500+14.20 грн
5000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 Виробник : Siliconix si4178dy.pdf N-MOSFET 30V 12A 21mΩ 5W SI4178DY-T1-GE3 Vishay TSI4178dy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4178dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.