Продукція > VISHAY > SI4178DY-T1-GE3
SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3 Vishay

si4178dy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4178DY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4178DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4178DY-T1-GE3 за ціною від 11.45 грн до 46.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4178dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4178dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4178dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4178dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+22.71 грн
100+18.37 грн
250+16.84 грн
500+15.02 грн
1000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4178dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
499+24.46 грн
595+20.51 грн
601+20.31 грн
647+18.20 грн
1000+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 499
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4178dy.pdf Description: VISHAY - SI4178DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.46 грн
500+22.84 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A59D39AFC160E11C&compId=SI4178DY-T1-DTE.pdf?ci_sign=4bbfca1a1b0f3351fc25dfaba5f3b6abc660efe6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.14 грн
50+27.59 грн
52+17.47 грн
100+17.40 грн
143+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4178dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.40 грн
10+31.42 грн
100+26.82 грн
500+20.98 грн
1000+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4178dy.pdf Description: VISHAY - SI4178DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.76 грн
50+41.10 грн
100+29.46 грн
500+22.84 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A59D39AFC160E11C&compId=SI4178DY-T1-DTE.pdf?ci_sign=4bbfca1a1b0f3351fc25dfaba5f3b6abc660efe6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.57 грн
50+34.38 грн
52+20.97 грн
100+20.87 грн
143+19.77 грн
2500+19.13 грн
12500+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4178dy.pdf MOSFETs 30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 6574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.26 грн
10+39.93 грн
100+23.98 грн
500+20.38 грн
1000+17.44 грн
2500+14.64 грн
5000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 Виробник : Siliconix si4178dy.pdf N-MOSFET 30V 12A 21mΩ 5W SI4178DY-T1-GE3 Vishay TSI4178dy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4178dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.