Продукція > VISHAY > SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3 Vishay

Name: SI4178DY-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 179710-7
Price: 29375.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	11.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI4178DY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4178DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4178DY-T1-GE3 за ціною від 12.41 грн до 78.52 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI4178DY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	12.41 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	13.43 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	19.56 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A59D39AFC160E11C&compId=SI4178DY-T1-DTE.pdf?ci_sign=4bbfca1a1b0f3351fc25dfaba5f3b6abc660efe6

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®

на замовлення 2430 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
18+	24.33 грн
20+	20.41 грн
50+	19.12 грн
100+	18.07 грн
200+	17.02 грн
500+	16.70 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
499+	24.87 грн
595+	20.86 грн
601+	20.65 грн
647+	18.50 грн
1000+	13.37 грн

Мінімальне замовлення: 499

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
27+	26.65 грн
100+	21.55 грн
250+	19.76 грн
500+	17.62 грн
1000+	13.76 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 2430 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
11+	29.19 грн
20+	25.44 грн
50+	22.94 грн
100+	21.69 грн
200+	20.43 грн
500+	20.04 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI4178DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
30+	29.71 грн
50+	24.59 грн
100+	23.11 грн
500+	20.09 грн
1000+	18.39 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI4178DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 1565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	31.02 грн
500+	24.04 грн
1000+	19.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V

на замовлення 4372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	39.38 грн
10+	33.08 грн
100+	28.24 грн
500+	22.09 грн
1000+	19.46 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs 30V Vds 25V Vgs SO-8

на замовлення 20329 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	78.52 грн
11+	32.69 грн
100+	20.76 грн
500+	17.43 грн
1000+	16.42 грн
2500+	14.33 грн
5000+	14.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

Виробник : Siliconix

N-MOSFET 30V 12A 21mΩ 5W SI4178DY-T1-GE3 Vishay TSI4178dy
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
30+	19.14 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

SI4178DY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.