Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4186DY-T1-GE3
SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4186dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.37 грн
5000+30.78 грн
7500+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4186DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc), FET Type: N-Channel.

Інші пропозиції SI4186DY-T1-GE3 за ціною від 34.57 грн до 98.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4186DY-T1-GE3 SI4186DY-T1-GE3 Vishay si4186dy.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3 SI4186DY-T1-GE3 Vishay si4186dy.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3 SI4186DY-T1-GE3 Vishay si4186dy.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3 SI4186DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4186dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V
на замовлення 12485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.53 грн
10+66.49 грн
100+51.04 грн
500+38.01 грн
1000+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3 SI4186DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4186dy.pdf MOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 33613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3 si4186dy.pdf
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3 si4186dy.pdf
SI4186DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+43.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3 si4186dy.pdf
SI4186DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3 si4186dy.pdf
SI4186DY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+66.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3 si4186dy.pdf
SI4186DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V
на замовлення 12485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.53 грн
10+66.49 грн
100+51.04 грн
500+38.01 грн
1000+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3 si4186dy.pdf
SI4186DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 33613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4186DY-T1-GE3 si4186dy.pdf
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.