| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 44.82 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4186DY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4186DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35.8 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 3W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm.
Інші пропозиції SI4186DY-T1-GE3 за ціною від 32.81 грн до 153.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4186DY-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4186DY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4186DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 19 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4186DY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4186DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35.8 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 3W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4186DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 45.29 грн |
| SI4186DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 69.12 грн |
| SI4186DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 19 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 153.28 грн |
| 10+ | 94.97 грн |
| 100+ | 51.58 грн |
| 500+ | 40.77 грн |
| 1000+ | 38.14 грн |
| 2500+ | 33.41 грн |
| 5000+ | 32.81 грн |
| SI4186DY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4186DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35.8 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
Description: VISHAY - SI4186DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35.8 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)