SI4186DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 35.41 грн |
| 5000+ | 31.71 грн |
| 7500+ | 31.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4186DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc), FET Type: N-Channel.
Інші пропозиції SI4186DY-T1-GE3 за ціною від 28.90 грн до 104.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4186DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V |
на замовлення 12485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4186DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 33613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI4186DY-T1-GE3 |
|
на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4186DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V
на замовлення 12485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.49 грн |
| 10+ | 68.49 грн |
| 100+ | 52.58 грн |
| 500+ | 39.16 грн |
| 1000+ | 35.61 грн |
| SI4186DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 33613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.43 грн |
| 10+ | 70.52 грн |
| 100+ | 47.15 грн |
| 500+ | 37.43 грн |
| 1000+ | 33.76 грн |
| 2500+ | 29.74 грн |
| 5000+ | 28.90 грн |
| SI4186DY-T1-GE3 |
|
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)