
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 35.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4186DY-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI4186DY-T1-GE3 за ціною від 31.80 грн до 113.30 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI4186DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4186DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4186DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4186DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V |
на замовлення 12485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4186DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 33873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SI4186DY-T1-GE3 |
![]() |
на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
SI4186DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SI4186DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
SI4186DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |