Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4190ADY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4190ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI4190ADY-T1-GE3 за ціною від 61.99 грн до 189.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4190ADY-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4190ADY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4190ADY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4190ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4190ADY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 9804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
SI4190ADY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4190ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 4534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SI4190ADY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4190ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 4534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI4190ADY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 76.52 грн |
| SI4190ADY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 132.86 грн |
| 10+ | 107.51 грн |
| 25+ | 106.79 грн |
| 100+ | 85.78 грн |
| 250+ | 78.77 грн |
| 500+ | 66.00 грн |
| 1000+ | 61.99 грн |
| SI4190ADY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 107+ | 132.86 грн |
| 132+ | 107.51 грн |
| 133+ | 106.79 грн |
| 159+ | 85.78 грн |
| 250+ | 78.77 грн |
| 500+ | 66.00 грн |
| 1000+ | 61.99 грн |
| SI4190ADY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 189.26 грн |
| 10+ | 117.63 грн |
| 100+ | 80.61 грн |
| SI4190ADY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 9804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI4190ADY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4190ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI4190ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4190ADY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4190ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI4190ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)