Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI4190ADY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 3178394-3
Price: 135600.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	54.24 грн
5000+	48.95 грн
7500+	47.58 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI4190ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4190ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4190ADY-T1-GE3 за ціною від 54.65 грн до 182.43 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI4190ADY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	75.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	76.17 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	132.27 грн
10+	107.03 грн
25+	106.31 грн
100+	85.39 грн
250+	78.42 грн
500+	65.70 грн
1000+	61.71 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	132.27 грн
132+	107.03 грн
133+	106.31 грн
159+	85.39 грн
250+	78.42 грн
500+	65.70 грн
1000+	61.71 грн

Мінімальне замовлення: 107 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 7584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.43 грн
10+	113.41 грн
100+	77.73 грн
500+	58.61 грн
1000+	54.65 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 9804 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI4190ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 4534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

VISHAY

на замовлення 4534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	75.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	76.17 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	132.27 грн
10+	107.03 грн
25+	106.31 грн
100+	85.39 грн
250+	78.42 грн
500+	65.70 грн
1000+	61.71 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
107+	132.27 грн
132+	107.03 грн
133+	106.31 грн
159+	85.39 грн
250+	78.42 грн
500+	65.70 грн
1000+	61.71 грн

Мінімальне замовлення: 107 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 7584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	182.43 грн
10+	113.41 грн
100+	77.73 грн
500+	58.61 грн
1000+	54.65 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 9804 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4190ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 4534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

на замовлення 4534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.