Продукція > VISHAY SILICONIX > Si4190BDY-T1-GE3
Si4190BDY-T1-GE3

Si4190BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4190bdy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 8.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+58.26 грн
5000+55.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si4190BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4190BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 7700 µohm, SO-8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 8.4W, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції Si4190BDY-T1-GE3 за ціною від 57.47 грн до 217.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4190BDY-T1-GE3 SI4190BDY-T1-GE3 VISHAY si4190bdy.pdf Description: VISHAY - SI4190BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 7700 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.4W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.24 грн
500+64.38 грн
1000+57.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4190BDY-T1-GE3 Si4190BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4190bdy.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 8.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 50 V
на замовлення 7485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.46 грн
10+119.82 грн
100+82.63 грн
500+64.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190BDY-T1-GE3 SI4190BDY-T1-GE3 VISHAY si4190bdy.pdf Description: VISHAY - SI4190BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 7700 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.4W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.48 грн
10+132.79 грн
100+91.24 грн
500+64.38 грн
1000+57.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4190BDY-T1-GE3 Si4190BDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix si4190bdy.pdf MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V
на замовлення 3201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.51 грн
10+138.92 грн
100+83.79 грн
500+67.24 грн
1000+64.24 грн
2500+61.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190BDY-T1-GE3 si4190bdy.pdf
SI4190BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4190BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 7700 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.4W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+91.24 грн
500+64.38 грн
1000+57.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4190BDY-T1-GE3 si4190bdy.pdf
Si4190BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 8.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 50 V
на замовлення 7485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+192.46 грн
10+119.82 грн
100+82.63 грн
500+64.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190BDY-T1-GE3 si4190bdy.pdf
SI4190BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4190BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 7700 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.4W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+204.48 грн
10+132.79 грн
100+91.24 грн
500+64.38 грн
1000+57.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4190BDY-T1-GE3 si4190bdy.pdf
Si4190BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V
на замовлення 3201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+217.51 грн
10+138.92 грн
100+83.79 грн
500+67.24 грн
1000+64.24 грн
2500+61.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.