Si4190BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 8.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 66.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si4190BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4190BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.0077 ohm, SO-8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 8.4W, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції Si4190BDY-T1-GE3 за ціною від 62.17 грн до 207.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4190BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4190BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.0077 ohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 8.4W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
Si4190BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V |
на замовлення 4458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
Si4190BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 8.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 50 V |
на замовлення 8858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4190BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4190BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.0077 ohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 8.4W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4190BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 17A T/R |
товару немає в наявності |