SI4202DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 39.25 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4202DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 3.7W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm.
Інші пропозиції SI4202DY-T1-GE3 за ціною від 39.38 грн до 139.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4202DY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI4202DY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI4202DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 4135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI4202DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 5111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SI4202DY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 3.7W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm |
на замовлення 6639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4202DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 41.69 грн |
| SI4202DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 41.95 грн |
| SI4202DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 4135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 139.61 грн |
| 10+ | 85.64 грн |
| 100+ | 57.77 грн |
| 500+ | 42.99 грн |
| 1000+ | 39.38 грн |
| SI4202DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 5111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI4202DY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
Description: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
на замовлення 6639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)