SI4202DY-T1-GE3 Vishay Siliconix


si4202dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+39.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4202DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 3.7W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI4202DY-T1-GE3 за ціною від 34.49 грн до 139.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4202DY-T1-GE3 SI4202DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4202dy.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 5111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.42 грн
10+89.94 грн
100+53.56 грн
500+42.94 грн
1000+39.52 грн
2500+36.73 грн
5000+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4202DY-T1-GE3 SI4202DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4202dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
на замовлення 4846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.83 грн
10+85.86 грн
100+57.86 грн
500+43.06 грн
1000+39.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4202DY-T1-GE3 si4202dy.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 5111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+134.42 грн
10+89.94 грн
100+53.56 грн
500+42.94 грн
1000+39.52 грн
2500+36.73 грн
5000+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4202DY-T1-GE3 si4202dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
на замовлення 4846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+139.83 грн
10+85.86 грн
100+57.86 грн
500+43.06 грн
1000+39.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.