на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 28.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4202DY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI4202DY-T1-GE3 за ціною від 36.82 грн до 146.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4202DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4202DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4202DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 4700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4202DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4202DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4202DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 5111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4202DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 4846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4202DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI4202DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SI4202DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12.1A; Idm: 50A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC On-state resistance: 14mΩ Power dissipation: 2.6W Drain current: 12.1A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 50A Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |