на замовлення 15059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.63 грн |
| 10+ | 62.96 грн |
| 100+ | 36.20 грн |
| 500+ | 28.31 грн |
| 1000+ | 25.76 грн |
| 2500+ | 22.30 грн |
| 5000+ | 21.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si4214DDY-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції Si4214DDY-T1-E3 за ціною від 27.99 грн до 104.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
Si4214DDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 1122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| Si4214DDY-T1-E3 |
|
на замовлення 8200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
SI4214DDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| Si4214DDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.5A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
Si4214DDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| Si4214DDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.5A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |