Продукція > VISHAY SILICONIX > Si4228DY-T1-GE3
Si4228DY-T1-GE3

Si4228DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4228dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.22 грн
5000+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si4228DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 12.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції Si4228DY-T1-GE3 за ціною від 20.65 грн до 102.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
Si4228DY-T1-GE3 Si4228DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4228dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 8721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.67 грн
10+46.18 грн
100+35.87 грн
500+28.54 грн
1000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Si4228DY-T1-GE3 Si4228DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4228dy.pdf MOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 52515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.22 грн
10+63.74 грн
100+36.72 грн
500+28.72 грн
1000+26.15 грн
2500+23.30 грн
5000+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Si4228DY-T1-GE3 si4228dy.pdf
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.