Si4228DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 24.04 грн |
| 5000+ | 22.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si4228DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4228DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 8 A, 1.8 mohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.8mohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції Si4228DY-T1-GE3 за ціною від 20.50 грн до 101.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4228DY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4228DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 8 A, 1.8 mohm tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
Si4228DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 12.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 8721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
Si4228DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8 |
на замовлення 52515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4228DY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4228DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 8 A, 1.8 mohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.8mohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| Si4228DY-T1-GE3 |
|
на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4228DY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4228DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 8 A, 1.8 mohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - SI4228DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 8 A, 1.8 mohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 150+ | 42.52 грн |
| 500+ | 33.06 грн |
| 1000+ | 27.89 грн |
| Si4228DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 8721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 58.25 грн |
| 10+ | 45.84 грн |
| 100+ | 35.61 грн |
| 500+ | 28.33 грн |
| 1000+ | 23.08 грн |
| Si4228DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8
MOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 52515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 101.48 грн |
| 10+ | 63.27 грн |
| 100+ | 36.45 грн |
| 500+ | 28.51 грн |
| 1000+ | 25.96 грн |
| 2500+ | 23.13 грн |
| 5000+ | 20.50 грн |
| SI4228DY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4228DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 8 A, 1.8 mohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.8mohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SI4228DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 8 A, 1.8 mohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.8mohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 101.48 грн |
| 13+ | 64.19 грн |
| 100+ | 42.52 грн |
| 500+ | 33.06 грн |
| 1000+ | 27.89 грн |
| Si4228DY-T1-GE3 |
|
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)