Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4288DY-T1-GE3
SI4288DY-T1-GE3

SI4288DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4288dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+131.63 грн
10+80.56 грн
100+54.32 грн
500+40.42 грн
1000+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4288DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4288DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4288DY-T1-GE3 за ціною від 32.92 грн до 168.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4288dy.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 12915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.50 грн
10+85.92 грн
100+50.32 грн
500+39.89 грн
1000+37.07 грн
2500+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4288DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 17232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.57 грн
50+106.08 грн
100+71.05 грн
500+54.06 грн
1000+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 si4288dy.pdf
SI4288DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 12915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+136.50 грн
10+85.92 грн
100+50.32 грн
500+39.89 грн
1000+37.07 грн
2500+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 VISH-S-A0002474658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4288DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4288DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 17232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+168.57 грн
50+106.08 грн
100+71.05 грн
500+54.06 грн
1000+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.