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Технічний опис SI4288DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI4288DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SI4288DY-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SI4288DY-T1-GE3 | VISHAY |
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на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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SI4288DY-T1-GE3 | VISHAY |
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на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 55 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI4288DY-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
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на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4288DY-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
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