Продукція > VISHAY > SI4288DY-T1-GE3
SI4288DY-T1-GE3

SI4288DY-T1-GE3 VISHAY

si4288dy.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4288DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.50 грн
7500+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4288DY-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI4288DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4288DY-T1-GE3 за ціною від 32.79 грн до 139.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4288dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4288dy.pdf Description: VISHAY - SI4288DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 21202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.94 грн
500+49.36 грн
1000+38.73 грн
5000+32.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4288dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+73.26 грн
10+61.98 грн
17+55.18 грн
45+52.16 грн
500+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4288dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.92 грн
10+77.24 грн
17+66.22 грн
45+62.59 грн
500+60.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4288dy.pdf Description: VISHAY - SI4288DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 21202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.52 грн
11+80.83 грн
100+65.94 грн
500+49.36 грн
1000+38.73 грн
5000+32.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4288dy-1764878.pdf MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 47485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.06 грн
10+106.82 грн
100+67.20 грн
500+55.51 грн
1000+45.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4288dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.72 грн
10+85.79 грн
100+57.82 грн
500+44.38 грн
1000+39.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4288dy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4288dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.