на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 206.25 грн |
| 10+ | 151.38 грн |
| 100+ | 104.85 грн |
| 500+ | 87.25 грн |
| 1000+ | 75.77 грн |
| 2500+ | 68.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4368DY-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI4368DY-T1-E3 за ціною від 211.11 грн до 211.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4368DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 15 V |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| SI4368DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
| SI4368DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 10018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| SI4368DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ SOP |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| SI4368DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25A; Idm: 70A; 3.5W Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 25A On-state resistance: 3.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 80nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||
|
|
SI4368DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||
| SI4368DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25A; Idm: 70A; 3.5W Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 25A On-state resistance: 3.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 80nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |