| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 98.88 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4368DY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI4368DY-T1-E3 за ціною від 99.93 грн до 301.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4368DY-T1-E3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI4368DY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI4368DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 15 V |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI4368DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30 Volt 25 Amp 3.5W |
на замовлення 1565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI4368DYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4368DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 99.93 грн |
| SI4368DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 237.20 грн |
| 81+ | 176.72 грн |
| 100+ | 142.70 грн |
| 500+ | 128.49 грн |
| 1000+ | 114.75 грн |
| SI4368DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 15 V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 301.79 грн |
| 10+ | 191.60 грн |
| 50+ | 148.84 грн |
| 100+ | 126.77 грн |
| 500+ | 107.69 грн |
| SI4368DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30 Volt 25 Amp 3.5W
MOSFETs 30 Volt 25 Amp 3.5W
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI4368DYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)