Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4386DY-T1-E3
SI4386DY-T1-E3

SI4386DY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4386dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 3535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.08 грн
10+88.74 грн
100+65.35 грн
500+49.08 грн
1000+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4386DY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI4386DY-T1-E3 за ціною від 55.05 грн до 69.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4386DY-T1-E3 SI4386DY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4386dy.pdf MOSFETs 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V
на замовлення 3652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-E3 Vishay si4386dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.93 грн
12+66.47 грн
25+65.81 грн
100+63.08 грн
250+58.04 грн
500+55.39 грн
1000+55.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DYT1E3 VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-E3 si4386dy.pdf
SI4386DY-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V
на замовлення 3652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-E3 si4386dy.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+69.93 грн
12+66.47 грн
25+65.81 грн
100+63.08 грн
250+58.04 грн
500+55.39 грн
1000+55.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.