Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4386DY-T1-GE3
SI4386DY-T1-GE3

SI4386DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4386dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.76 грн
10+90.61 грн
100+65.80 грн
500+49.41 грн
1000+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4386DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI4386DY-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4386DY-T1-GE3 SI4386DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix si4386dy.pdf MOSFETs 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.