на замовлення 2282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 98.14 грн |
| 10+ | 86.76 грн |
| 100+ | 58.62 грн |
| 500+ | 48.47 грн |
| 1000+ | 45.13 грн |
| 2500+ | 43.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4386DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 50A; 3.1W, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 16A, On-state resistance: 9.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.1W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 18nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 50A, Case: SO8, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції SI4386DY-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4386DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO |
на замовлення 1873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
SI4386DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI4386DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 50A; 3.1W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A On-state resistance: 9.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Case: SO8 кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||
| SI4386DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 50A; 3.1W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A On-state resistance: 9.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Case: SO8 |
товар відсутній |