Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4386DY-T1-GE3
SI4386DY-T1-GE3

SI4386DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4386dy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.27 грн
10+95.70 грн
100+69.49 грн
500+52.19 грн
1000+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4386DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI4386DY-T1-GE3 за ціною від 49.45 грн до 159.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4386DY-T1-GE3 SI4386DY-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si4386dy.pdf MOSFETs 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.41 грн
10+106.78 грн
100+70.43 грн
250+60.77 грн
500+58.28 грн
1000+51.79 грн
2500+49.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-GE3 SI4386DY-T1-GE3 Виробник : Vishay 73109.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-GE3 SI4386DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4386dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.