SI4392ADY-T1-E3
Виробник:
на замовлення 175200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4392ADY-T1-E3
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 50A, Mounting: SMD, Case: SO8, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 21.5A, On-state resistance: 11.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 6.25W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 38nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 50A, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції SI4392ADY-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SI4392ADYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| SI4392ADY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 50A Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 21.5A On-state resistance: 11.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 6.25W Polarisation: unipolar Gate charge: 38nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
SI4392ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 21.5A 6.25W |
товару немає в наявності |
|
| SI4392ADY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 50A Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 21.5A On-state resistance: 11.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 6.25W Polarisation: unipolar Gate charge: 38nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A |
товару немає в наявності |