SI4392ADY-T1-E3
Виробник:
на замовлення 175200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4392ADY-T1-E3
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 50A, Mounting: SMD, Case: SO8, Kind of package: reel; tape, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate-source voltage: ±20V, Gate charge: 38nC, On-state resistance: 11.5mΩ, Power dissipation: 6.25W, Drain current: 21.5A, Pulsed drain current: 50A, Drain-source voltage: 30V, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції SI4392ADY-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SI4392ADYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4392ADYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)