НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
SI40021
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4004DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4004DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4008BDY
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI400CF-021
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI400CF-022
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-B1-GS
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-B1-GSSilicon LaboratoriesCrystal-SOC RF Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-B1-GSSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC
Packaging: Tube
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-B1-GSSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU SoC RF transmitter with 8051
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-B1-GSRSilicon LaboratoriesCrystal-SOC RF Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-B1-GTSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Tube
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-B1-GT
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-ASSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-ASRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-ATSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+460.72 грн
10+407.49 грн
100+290.06 грн
250+275.51 грн
500+247.20 грн
1000+208.93 грн
2500+197.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-ATSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-ATRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R Automotive AEC-Q100
на замовлення 580000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+217.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-ATRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-ATRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R Automotive AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSSilicon LaboratoriesRF Transmitter, 27-960MHz, 1.8?3.6V, -40?85°C SI4010-C2-GS Silicon Labs UISI4010c2gs
кількість в упаковці: 4 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+434.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+396.32 грн
38+323.41 грн
100+289.64 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 14-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSSilicon LaboratoriesRF Transmitter, 27-960MHz, 1.8?3.6V, -40?85°C SI4010-C2-GS Silicon Labs UISI4010c2gs
кількість в упаковці: 4 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+434.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC
Packaging: Tube
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 4746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.63 грн
10+278.30 грн
56+250.95 грн
112+226.17 грн
280+214.63 грн
504+207.70 грн
1008+196.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSSilicon LabsSI4010-C2-GS SI4010
кількість в упаковці: 56 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSSilicon LabsRF System on a Chip - SoC 8051 Sub-GHz RF transmitter
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+360.72 грн
10+270.20 грн
100+221.18 грн
250+204.34 грн
500+202.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSRSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+236.53 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSRSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+206.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSRSilicon LabsRF System on a Chip - SoC SoC RF transmitter with 8051
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+329.47 грн
10+272.84 грн
100+220.41 грн
250+211.99 грн
500+209.70 грн
2500+208.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSRSilicon LabsSI4010-C2-GSR SI4010
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSRSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+253.43 грн
10+249.66 грн
25+245.81 грн
100+233.40 грн
250+212.67 грн
500+200.94 грн
1000+197.63 грн
3000+194.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSRSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+192.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 14-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GSRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTSilicon LabsRF System on a Chip - SoC 8051 Sub-GHz RF transmitter
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+408.93 грн
10+342.36 грн
100+258.68 грн
250+244.90 грн
500+185.21 грн
1050+179.85 грн
2100+178.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTSilicon LabsMSOP 10/I°/SOC RF TRANSMITTER WITH 8051 SI4010MSOP
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTSilicon LaboratoriesCrystal-SOC RF Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Strip
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.33 грн
10+295.21 грн
50+267.77 грн
100+241.24 грн
250+228.82 грн
500+220.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+181.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTRSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.34 грн
10+200.71 грн
25+198.70 грн
100+189.40 грн
250+175.06 грн
500+167.68 грн
1000+167.31 грн
3000+167.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4010-C2-GTR - ZF-TRANSMITTER, 100KBPS, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 19.8A
Bauform - HF-IC: MSOP
Ausgangsleistung (dBm): 10dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: 5A992.c
Frequenz, min.: 27MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagentor- & Türöffner, Hausautomatisierung & Sicherheit, RKE-Systeme, drahtlose Fernsteuerung
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, OOK
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Übertragungsrate: 100Kbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+315.08 грн
10+282.46 грн
25+257.56 грн
50+220.03 грн
100+188.39 грн
250+176.61 грн
500+172.20 грн
1000+168.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTRSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+190.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTRSilicon LabsRF System on a Chip - SoC SoC RF transmitter with 8051
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.29 грн
10+209.47 грн
100+173.73 грн
250+169.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.33 грн
10+295.21 грн
25+279.12 грн
100+241.24 грн
250+228.82 грн
500+220.05 грн
1000+208.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTRSilicon LabsMSOP 10/I°/SOC RF TRANSMITTER WITH 8051 SI4010MSOP
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTRSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+196.32 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4010-C2-GTR - ZF-TRANSMITTER, 100KBPS, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 19.8A
Bauform - HF-IC: MSOP
Ausgangsleistung (dBm): 10dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: 5A992.c
Frequenz, min.: 27MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagentor- & Türöffner, Hausautomatisierung & Sicherheit, RKE-Systeme, drahtlose Fernsteuerung
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, OOK
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Übertragungsrate: 100Kbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+188.39 грн
250+176.61 грн
500+172.20 грн
1000+168.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2-GTRSilicon Laboratories8051 Sub-GHz RF Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2001ATSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2001ATRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2002ATSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2002ATRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2002GSSilicon LabsDescription: 8B WIRELESS MCU
Packaging: Strip
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2003ATSilicon LaboratoriesCrystal-Less SOC RF Transmitter
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+184.42 грн
10+177.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2003ATSilicon LaboratoriesCrystal-Less SOC RF Transmitter
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+172.13 грн
75+165.51 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2003ATSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100
на замовлення 48 шт:
термін постачання 70-79 дні (днів)
2+296.43 грн
10+263.15 грн
100+193.63 грн
250+185.97 грн
500+169.90 грн
1000+148.47 грн
2500+143.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2003ATRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2003ATRSilicon LaboratoriesHigh Performance RF Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2004ATSilicon LaboratoriesCrystal-Less SOC RF Transmitter
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+184.42 грн
10+177.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2004ATSilicon LaboratoriesCrystal-Less SOC RF Transmitter
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2004ATSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2004ATRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+210.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2004ATRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2004ATRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+309.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2004ATRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+191.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C200FGTSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C200FGTSilicon LabsDescription: EZRADIO TX SUBG 8051 SOC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C200FGTRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C200RGTSilicon LabsDescription: 8B WIRELESS MCU
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C200RGTRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C200RGTRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+107.83 грн
116+106.19 грн
118+104.54 грн
120+99.21 грн
250+90.39 грн
500+85.36 грн
1000+83.96 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C200RGTRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.53 грн
10+113.77 грн
25+112.00 грн
100+106.30 грн
250+96.85 грн
500+91.46 грн
1000+89.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C200YGTRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2012GTSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2020GTRSilicon LaboratoriesSI4010-C2020GTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2020GTRSilicon LabsSilicon Laboratories
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2024GTRSilicon LaboratoriesSI4010-C2024GTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2025GTSilicon LaboratoriesSI4010-C2025GT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2M0RGSSilicon LaboratoriesONLY FOR CUSTOMER CAME (CUSTOM)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2M0RGSRSilicon LaboratoriesONLY FOR CUSTOMER CAME (CUSTOM)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2M0SGSSilicon LaboratoriesSoC RF transmitter with 8051 - CUSTOM CAME
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2M0SGSRSilicon LaboratoriesSoC RF transmitter with 8051 - CUSTOM CAME
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2M20GTRSilicon LaboratoriesSI4010-C2M20GTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2M20GTRSilicon LaboratoriesSI4010-C2M20GTR
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2M20GTRSilicon LaboratoriesSI4010-C2M20GTR
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.25 грн
10+217.63 грн
25+214.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010-C2X-GSSilicon LaboratoriesSI4010-C2X-GS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 30V
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4010DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4011-C1001GTSilicon Laboratories0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4011-C1001GTRSilicon Laboratories0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4011-C1002GTSilicon Laboratories0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4011-C100GGTRSilicon Laboratories0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4011-C100JGTRSilicon LabsSI4011-C100JGTR SI4011
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4011-C100MGTRSilicon LabsSI4011-C100MGTR SI4011
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4011-C100NGTRSilicon LabsSI4011-C100NGTR SI4011
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4011-C2-GTSilicon LabsDescription: IC TRANSMITTER EZRADIO 10MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4011-CA-GTSilicon LaboratoriesSI4011-CA-GT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4011-CC-GTSilicon LabsDescription: IC TRANSMITTER 10MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4011-CC-GTRSilicon LabsDescription: IC TRANSMITTER 10MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-A0-GTSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-A0-GTSilicon LabsSI4012-A0-GT SI4012
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-A0-GTRSilicon LabsRF Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-B1-GT
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-C1001GTSilicon LabsMSOP 10/–40 TO 85 OC/27-960 MHZ RF TRANSMITTER SI4012
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-C1001GTSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4012-C1001GT - ZF-Sender, 27MHz bis 960MHz, FSK, OOK, 100kBaud, 10dBm, 1.8V bis 3.6V, MSOP-10
Übertragungsstrom: 19.8
Bauform - HF-IC: MSOP
Ausgangsleistung (dBm): 10
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Frequenz, min.: 27
Anwendungen HF-Sender: Hausautomatisierung / Industrieautomation, Fernsteuerung
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.8
Empfindlichkeit (dBm): -
HF/IF-Modulation: FSK, OOK
Anzahl der Pins: 10
Übertragungsrate: 100
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Frequenz, max.: 960
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-C1001GTSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Strip
Features: Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.04 грн
10+183.68 грн
50+166.36 грн
100+149.76 грн
250+141.91 грн
500+136.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-C1001GTSilicon LabsRF Transmitter 8051 Sub-GHz RF transmitter
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.04 грн
10+208.59 грн
100+147.71 грн
250+137.76 грн
500+123.98 грн
1050+120.15 грн
2100+112.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-C1001GTSilicon LaboratoriesRF Transmitter 100KBd 3.3V 10-Pin MSOP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-C1001GTRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4012-C1001GTR - HF-Transmitter, 27 bis 960MHz, FSK/OOK, 10dBm Out, 100kBaud, 1.8 bis 3.6V, MSOP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 19.8mA
Bauform - HF-IC: MSOP
Ausgangsleistung (dBm): 10dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 27MHz
Anwendungen HF-Sender: Hausautomatisierung / Industrieautomation, Fernsteuerung
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, OOK
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Übertragungsrate: 100Kbaud
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.10 грн
10+204.33 грн
25+193.17 грн
50+172.20 грн
100+152.33 грн
250+141.29 грн
500+132.46 грн
1000+118.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-C1001GTRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Features: Crystal-less Operation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+137.95 грн
5000+127.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-C1001GTRSilicon LabsRF Transmitter 8051 Sub-GHz RF transmitter
на замовлення 7934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.54 грн
10+209.47 грн
25+171.43 грн
100+157.66 грн
250+146.18 грн
500+137.76 грн
1000+123.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-C1001GTRSilicon LaboratoriesRF Transmitter 100KBd 3.3V 10-Pin MSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-C1001GTRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Features: Crystal-less Operation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 11951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.04 грн
10+183.68 грн
25+173.54 грн
100+149.76 грн
250+141.91 грн
500+136.35 грн
1000+128.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4012-C1001GTRSilicon LabsMSOP 10/–40 TO 85 OC/27-960 MHZ RF TRANSMITTER SI4012
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4018ALUTRONICCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; Thk: 0.18mm; 900mW/mK; -60÷220°C; 4kV
Type of heat transfer pad: silicone
Material: glass fiber reinforced silicone
Thickness: 0.18mm
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Operating temperature: -60...220°C
Dielectric strength: 4kV
Dimensions: 200x200mm
Mounting: heat transfer glue
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5136.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4018ALUTRONICCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; Thk: 0.18mm; 900mW/mK; -60÷220°C; 4kV
Type of heat transfer pad: silicone
Material: glass fiber reinforced silicone
Thickness: 0.18mm
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Operating temperature: -60...220°C
Dielectric strength: 4kV
Dimensions: 200x200mm
Mounting: heat transfer glue
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4280.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4018-SALUTRONICCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; Thk: 0.18mm; 900mW/mK; -60÷220°C; 4kV
Type of heat transfer pad: silicone
Material: glass fiber reinforced silicone
Thickness: 0.18mm
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Operating temperature: -60...220°C
Dielectric strength: 4kV
Dimensions: 200x200mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2124.35 грн
2+1937.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4018-SALUTRONICCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; Thk: 0.18mm; 900mW/mK; -60÷220°C; 4kV
Type of heat transfer pad: silicone
Material: glass fiber reinforced silicone
Thickness: 0.18mm
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Operating temperature: -60...220°C
Dielectric strength: 4kV
Dimensions: 200x200mm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1770.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4020
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4020-I1-FTSilicon LabsTSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO) SI4020
кількість в упаковці: 96 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4020-I1-FTSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 315/433MHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 3dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 14mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4020-I1-FTRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 315/433MHZ 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 3dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 14mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4020-I1-FTRSilicon LabsTSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO)(NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS; SUGGESTE SI4020TSSOP
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4021
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4021-A1-FDISilicon LabsRF Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4021-A1-FTSilicon LabsSI4021-A1-FT SI4021
кількість в упаковці: 96 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4021-A1-FTSilicon LabsRF Transmitter TX SubG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4021-A1-FTSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 8dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 512kbps
Current - Transmitting: 24mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4021-A1-FT1Silicon LabsDescription: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4021-A1-FT1RSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4021-A1-FTRSilicon LabsRF Transmitter TX SubG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4021-A1-FTRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 8dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 512kbps
Current - Transmitting: 24mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4021-A1-FTRSilicon LabsTSSOP 16/TRANSMITTER -EZRadio - UNIVERSAL ISM BAND FSK IA4221 SI4021
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4021A1FTR
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4022-A0-FTSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V
Power - Output: 6dBm
Applications: ISM
Data Rate (Max): 115.2kbps
Current - Transmitting: 24mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4022-A0-FTSilicon LabsSI4022-A0-FT SI4022
кількість в упаковці: 96 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4022-A0-FTRSilicon LabsTSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO) SI4022
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4022-A0-FTRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V
Power - Output: 6dBm
Applications: ISM
Data Rate (Max): 115.2kbps
Current - Transmitting: 24mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4022-A0-FTRSilicon LabsRF Transmitter TX SubG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4022-A1-FTSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK 3.3V 16-Pin TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4022-A1-FT
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4022-A1-FTSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V
Power - Output: 6dBm
Applications: ISM
Data Rate (Max): 115.2kbps
Current - Transmitting: 24mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4023-SALUTRONICSI4023-S Heatsinks - equipment
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4030-A0-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (100mW)
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 28mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4030-A0-FMRSilicon LabsRF Transmitter TX SubG +13 dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4030-A0-FMRSilicon LabsDescription: RF TX ISM FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4030-B1-FMSilicon LaboratoriesISM Transmitter 256Kbps 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4030-B1-FMSilicon LaboratoriesTX SubG +13dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4030-B1-FMSilicon LabsRF Transmitter TX SubG +13 dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4030-B1-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 900-960MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4030-B1-FMRSilicon LaboratoriesISM Transmitter 256Kbps 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4030-B1-FMRSilicon LabsQFN 20/I°/+13DBM SI4430 EZRADIOPRO TRANSMITTER (REV B1) SI4030
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4030-B1-FMRSilicon LabsRF Transmitter TX SubG +13 dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4030-B1-FMRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 900-960MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4031
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4031-A0-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 28mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4031-B1-FMSilicon LabsRF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4031-B1-FMSilicon LabsQFN 20/I°/+13dBm Si4431 EZRadioPRO® Transmitter (rev B1) SI4031
кількість в упаковці: 91 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4031-B1-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4031-B1-FMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4031-B1-FMRSilicon LabsQFN 20/I°/+13dBm Si4431 EZRadioPRO® Transmitter (rev B1) SI4031
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4031-B1-FMRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4031-B1-FMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4031-B1-FMRSilicon Laboratories+13 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4031-B1-FMRSilicon LabsRF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMSilicon LabsRF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMSilicon LabsQFN 20/I°/+20DBM SI4432 EZRADIOPRO® TRANSMITTER (REV B1) SI4032
кількість в упаковці: 91 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4032-B1-FM - ZF-Sender, 240MHz bis 930MHz, FSK, GFSK, OOK, 256kB/s, 20dBm, 1.8V bis 3.6V, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 240MHz
Anwendungen HF-Sender: Automatische Zählerauslesung, Haustechnik, Telemetrie mit geringer Leistungsaufnahme, drahtlose Alarm-/Sicherheitsanlagen
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+358.87 грн
10+346.85 грн
25+334.83 грн
50+299.75 грн
100+270.80 грн
250+265.65 грн
500+259.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMRSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMRSilicon LabsQFN 20/I°/+20DBM SI4432 EZRADIOPRO® TRANSMITTER (REV B1) SI4032QFN+Q221
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMRSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-B1-FMRSilicon LabsRF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-V2-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (100mW)
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 80mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-V2-FMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-V2-FMRSilicon LabsRF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4032-V2-FMRSilicon LabsDescription: RF TX ISM FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4033-B2-FMSilicon LaboratoriesSI4033-B2-FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4033-B2-FMRSilicon LaboratoriesSI4033-B2-FMR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4033-B2-FMRSilicon LabsSI4033B2-FMR EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4033
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4038DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI4154DY-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4038DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 42.5A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42.5A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 87nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4038DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4038DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 42.5A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42.5A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 87nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4038DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 40V 42.5A 8-Pin SOIC N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4038DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4038DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 40V 42.5A 8-Pin SOIC N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4048DY-T1-E3
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4048DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4048DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4048DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4048DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-B1A-FMSilicon LaboratoriesEasy-to-use, low current, sub-GHz EZRadio transceiver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-B1A-FMSilicon LabsRF Transceiver Sub-GHz transmitter
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-B1A-FMRSilicon LabsRF Transceiver Sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-B1A-ZMRSilicon LabsSI4055-B1A-ZMR SI4055
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-C2A-AMSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-C2A-AMRSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-C2A-GMSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4055-C2A-GM - HF-Sender, 284MHz bis 960MHz, 13dBm out, 1.8V bis 3.6V, QFN-EP, 20 Pins
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 24mA
Bauform - HF-IC: QFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 284MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagen- & Toröffner, Hausautomatisierung, Sicherheits-/Alarmanlagen, industrielle Steuerung/Fernsteuerung, Telemetrie
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -116dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 500Kbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.35 грн
10+267.86 грн
25+246.40 грн
50+210.46 грн
100+181.03 грн
250+169.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-C2A-GMSilicon LabsDescription: RF TX IC FSK 284-960MHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 284MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64KB
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 500kbps
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-C2A-GMSilicon LabsRF Transceiver Sub-GHz Transmitter
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+312.50 грн
10+269.32 грн
25+215.82 грн
100+205.87 грн
250+192.09 грн
500+179.85 грн
1000+167.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4055-C2A-GMRSilicon LabsRF Transceiver Sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+70.56 грн
12+60.01 грн
25+59.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 40A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.38 грн
5000+21.53 грн
7500+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.55 грн
500+31.09 грн
1000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 40A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 19637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.99 грн
10+55.72 грн
100+38.03 грн
500+28.20 грн
1000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.13 грн
50+60.87 грн
100+41.55 грн
500+31.09 грн
1000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT669 100V 8.3A N-CH MOSFET
на замовлення 127318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.97 грн
10+60.64 грн
100+36.05 грн
500+28.16 грн
1000+25.64 грн
2500+22.73 грн
5000+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
на замовлення 13226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+54.61 грн
100+37.25 грн
500+27.45 грн
1000+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4056DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.1 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 44925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.75 грн
500+30.21 грн
1000+24.73 грн
5000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.19 грн
5000+21.22 грн
7500+20.99 грн
12500+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SI40
на замовлення 45273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.97 грн
10+59.14 грн
100+35.66 грн
500+28.85 грн
1000+26.02 грн
2500+20.74 грн
5000+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4056DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.1 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 44925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.73 грн
14+62.67 грн
100+42.75 грн
500+30.21 грн
1000+24.73 грн
5000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.08 грн
11+64.15 грн
25+62.95 грн
100+45.96 грн
250+42.14 грн
500+34.47 грн
1000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3VISHAYSI4056DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3VishayN-Channel 100 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Si4058DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 105927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.32 грн
10+40.93 грн
100+24.49 грн
500+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Si4058DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.02 грн
10+44.09 грн
100+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.47 грн
21+40.95 грн
100+28.16 грн
500+24.71 грн
1000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Si4058DY-T1-GE3VISHAYSI4058DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4058DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3
Код товару: 182910
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.16 грн
500+24.71 грн
1000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B0B-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B0B-FMSilicon LabsQFN 20/I°/TX SI4060QFN
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B0B-FMRSilicon LabsQFN 20/-40 TO 85 OC/TX SI4060
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B0B-FMRSilicon LaboratoriesSI4060-B0B-FMR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMSilicon LabsQFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.88 грн
10+309.40 грн
25+292.61 грн
80+256.28 грн
230+241.13 грн
490+231.09 грн
980+218.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMSilicon Laboratories+13 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMSilicon LabsRF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMSilicon Laboratories+13 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+223.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMRSilicon Laboratories+13 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMRSilicon LabsRF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+220.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMRSilicon LabsQFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-B1B-FMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-AMSilicon LabsRF Transmitter Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-AMRSilicon LabsRF Transmitter Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMSilicon LabsRF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+466.97 грн
10+347.65 грн
100+272.45 грн
250+244.90 грн
500+207.40 грн
1000+206.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 12.5dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4060-C2A-GM - ZF-Sender, 142MHz bis 1.05GHz, 4(G)FSK,MSK, OOK, 1MB/s, 24mA, 13dBm Ausgang, 1.8V bis 3.8V, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 24mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 142MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagentor-/Türöffner, Sicherheits-/Alarmanlagen, Systemüberwachung, Hausautomatisierung, RKE-System
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.8V
Frequenz, max.: 1.05GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+488.50 грн
10+376.89 грн
25+306.50 грн
50+261.48 грн
100+220.76 грн
250+208.25 грн
500+198.69 грн
1000+192.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+143.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMRSilicon LabsRF Transceiver +13 dBm sub-GHz transmitter
на замовлення 5672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.90 грн
2500+198.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4060-C2A-GMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 12.5dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DYVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.79 грн
10+84.42 грн
100+69.32 грн
500+51.96 грн
1000+50.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4062DY-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 32.1A, 150DEG C, 7.8W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.49 грн
10+139.94 грн
25+125.35 грн
50+103.64 грн
100+82.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3
Код товару: 209529
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3VISHAYSI4062DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4062DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 16909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.86 грн
10+96.81 грн
100+71.56 грн
250+71.48 грн
500+57.48 грн
1000+53.19 грн
2500+48.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B0B-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B0B-FMSilicon LabsQFN 20/I°/TX SI4063
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B0B-FMRSilicon LaboratoriesSI4063-B0B-FMR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B0B-FMRSilicon LabsQFN 20/I°/TX SI4063
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMSilicon LabsQFN 20/I°/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO TRANSMITTER SI4063QFN
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMSilicon LabsRF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FM
Код товару: 170485
Додати до обраних Обраний товар

Модульні елементи > Радіомодулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMRSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+127.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMRSilicon LabsRF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter
на замовлення 7242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.36 грн
10+368.77 грн
100+283.17 грн
250+264.03 грн
500+229.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 14883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.33 грн
10+379.79 грн
25+359.35 грн
100+310.83 грн
250+295.02 грн
500+283.85 грн
1000+268.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMRSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMRSilicon LabsQFN 20/-40 TO 85 OC/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4063
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+239.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-B1B-FMRSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+137.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-AMSilicon LabsRF Transmitter Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-AMRSilicon LabsRF Transmitter Transceiver AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+147.93 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4063-C2A-GM - HF-Transmitter, 142MHZ bis 1.05GHz, 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK, 1Mbit/s, 1.8 bis 3.6V, QFN-EP-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 68.5mA
Bauform - HF-IC: QFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 142MHz
Anwendungen HF-Sender: Heimautomation, industrielle Steuerung, Fernsteuerung, Smart-Metering
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.05GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+417.25 грн
10+361.44 грн
25+319.37 грн
50+272.64 грн
100+236.95 грн
250+226.65 грн
500+218.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMSilicon LabsRF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+594.65 грн
10+489.34 грн
100+330.62 грн
250+296.94 грн
500+250.26 грн
1000+246.43 грн
2450+240.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.03 грн
10+270.15 грн
25+267.44 грн
100+235.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+551.85 грн
26+489.33 грн
28+440.13 грн
100+381.30 грн
250+317.22 грн
500+270.56 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LabsRF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LabsDescription: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4063-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+270.70 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
SI407DNPLCCVISHAY
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 18.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 50 V
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.62 грн
10+85.54 грн
100+63.53 грн
500+46.40 грн
1000+42.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 18.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090BDY-T1-GE3VISHAYSI4090BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+120.70 грн
10+102.74 грн
25+95.99 грн
100+71.77 грн
250+65.79 грн
500+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 11899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4090DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.7 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.24 грн
10+101.31 грн
100+70.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3VISHAYSI4090DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI40SL0116-70T
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI40SL0416-75T
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI41IDECEnclosures, Boxes, & Cases METAL BOX/SCAT. P41/44
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI410SIEMENS01+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3VISHAYSI4100DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.99 грн
5000+36.75 грн
7500+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 16317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 28185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.53 грн
10+90.00 грн
100+60.53 грн
500+44.97 грн
1000+41.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+55.72 грн
222+55.43 грн
270+45.46 грн
308+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+70.46 грн
12+59.70 грн
25+59.39 грн
100+46.97 грн
250+38.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.52 грн
500+47.83 грн
1000+38.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VISHAYSI4100DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+120.19 грн
11+81.90 грн
100+57.52 грн
500+47.83 грн
1000+38.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 7802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.72 грн
10+94.17 грн
100+64.44 грн
500+54.57 грн
1000+43.09 грн
2500+40.18 грн
5000+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.97 грн
10+71.35 грн
100+49.77 грн
500+42.60 грн
1000+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.26 грн
500+27.66 грн
1000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.44 грн
10+61.15 грн
100+39.74 грн
500+29.88 грн
1000+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+47.87 грн
17+42.57 грн
25+41.12 грн
100+33.13 грн
250+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
309+39.73 грн
320+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 309
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 93478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.32 грн
10+59.50 грн
100+31.00 грн
500+26.79 грн
1000+25.26 грн
2500+22.27 грн
5000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3VISHAYSI4101DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.13 грн
50+54.86 грн
100+34.26 грн
500+27.66 грн
1000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+64.48 грн
193+63.74 грн
255+46.53 грн
257+42.66 грн
500+31.89 грн
1000+25.37 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4102DY-T1-E3
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4102DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4102DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4102DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4102DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4102DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.02 грн
10+49.27 грн
100+35.51 грн
500+26.25 грн
1000+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.29 грн
16+54.52 грн
100+37.26 грн
500+27.98 грн
1000+22.81 грн
5000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3VISHAYSI4103DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 114792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.95 грн
10+55.71 грн
100+32.76 грн
500+25.33 грн
1000+23.04 грн
2500+21.35 грн
5000+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.49 грн
500+27.98 грн
1000+22.30 грн
5000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4104DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4104DY-T1-E3
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4104DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4104DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4104DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4108DY-T1-E3
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4108DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 38 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4108DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI410A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110-KT09+
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DY-T1-E3
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DY-T1-E3VishayPN may be NE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DY-T1-GE3
на замовлення 124200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110KTSILICON
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-BM
на замовлення 434 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-BMSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-BTSILICONIX0544
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-BTSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-BT
Код товару: 47301
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.48 грн
10+423.48 грн
25+400.77 грн
80+351.30 грн
230+330.79 грн
490+317.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP
на замовлення 5499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+469.63 грн
30+415.85 грн
35+357.50 грн
80+332.59 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMSilicon LabsPhase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP
на замовлення 5499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+503.18 грн
10+445.56 грн
25+383.03 грн
80+356.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+583.94 грн
10+462.94 грн
25+330.62 грн
100+317.61 грн
250+302.30 грн
490+270.92 грн
980+270.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMSilicon LabsMLP 28/I°/IF SYNTHESIZER IF ONLY, LEAD FREE SI4112
кількість в упаковці: 490 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMRSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT
на замовлення 6026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+606.26 грн
10+501.67 грн
25+397.20 грн
100+349.75 грн
250+325.26 грн
500+305.36 грн
1000+282.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+490.93 грн
10+409.76 грн
25+387.73 грн
100+335.54 грн
250+318.55 грн
500+306.56 грн
1000+290.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMRSilicon LabsClock Generators & Support Products IF Synthesizer IF Only, lead free
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMRSilicon LabsMLP 28/?I°/IF SYNTHESIZER IF ONLY, LEAD FREE SI4112
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+311.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+362.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTSilicon LaboratoriesRF Synthesizer with IF OUs
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTSilicon LabsSI4112
кількість в упаковці: 62 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTSilicon LabsPhase Locked Loops - PLL RF Synthesizer with IF output
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-TSSOP
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.48 грн
10+338.81 грн
62+303.93 грн
124+274.05 грн
310+260.26 грн
558+251.97 грн
1054+240.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTRSilicon LabsClock Generators & Support Products IF Synthesizer IF Only, lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTRSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTRSilicon LabsTSSOP 24/I°/IF Synthesizer IF Only SI4112
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-EVBSilicon LabsTSSOP/I°/IF ONLY EVALUATION BOARD-TSSOP SI4112
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-EVBSilicon LabsRF Development Tools IF Only Evaluation Board TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4112
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112BTSILICON
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112G-BM
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112M-EVBSilicon LabsMLP/I°/IF ONLY EVALUATION BOARD SI4112
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112M-EVBSilicon LabsRF Development Tools IF Only Evaluation Board MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112M-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4112
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-BMR
на замовлення 7280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-BTSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMSilicon LabsQFN 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS SI4113
кількість в упаковці: 490 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2 output
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+829.48 грн
10+739.30 грн
25+613.02 грн
100+531.90 грн
250+508.17 грн
490+447.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMRSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMRSilicon LabsRF Wireless Misc Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only, lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+527.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMRSilicon LabsMLP 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY SI4113
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTSkyworks Solutions Inc.Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2 output
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+812.51 грн
10+723.45 грн
25+600.01 грн
100+548.73 грн
248+535.72 грн
558+512.00 грн
1054+459.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTSilicon LabsSLLSI4113-D-GT SI4113
кількість в упаковці: 62 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTRSilicon LabsTSSOP 24/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY SI4113
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTRSkyworks Solutions Inc.Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTRSilicon LabsClock Generators & Support Products Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only, lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTRSkyworks SolutionsIC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-ZT1Skyworks Solutions Inc.Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-EVBSilicon LabsRF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-EVBSilicon LabsTSSOP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD-TSSOP SI4113
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4113
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113G-BTSI
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113GMSIO6
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113M-EVBSilicon LabsMLP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD SI4113
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113M-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4113
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113M-EVBSilicon LabsRF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board MLP
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113ZT1N/A
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.99 грн
5000+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3VISHAYSI4114DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
на замовлення 10990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.29 грн
10+97.66 грн
100+75.82 грн
500+61.03 грн
1000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8
на замовлення 12468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.50 грн
10+121.46 грн
100+84.95 грн
500+70.26 грн
1000+57.70 грн
2500+53.73 грн
5000+49.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VISHAYSI4114DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+54.49 грн
24+29.31 грн
25+27.80 грн
100+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
на замовлення 281001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.55 грн
10+73.18 грн
100+61.94 грн
500+57.54 грн
1000+56.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114G-B-GMSilicon LabsDescription: IC RF SYNTH FOR GSM/GPRS 28QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114G-BMSilicon LabsDescription: IC RF FREQ SYNTH VCO 28QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114G-BMRSI03+ CLCC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114GM-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVAL SI4114G-BM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4115G-BMSilicon LabsDescription: FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4115G-BMRSILICON
на замовлення 67790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
540+22.71 грн
549+22.35 грн
558+22.00 грн
567+20.87 грн
576+19.01 грн
1000+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 540
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VISHAYSI4116DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+40.54 грн
29+24.34 грн
30+23.10 грн
100+21.05 грн
250+19.88 грн
500+19.55 грн
1000+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.81 грн
10+51.50 грн
100+43.03 грн
500+35.41 грн
1000+34.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 25V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 3411 шт:
термін постачання 714-723 дні (днів)
4+116.07 грн
10+102.97 грн
100+69.72 грн
500+57.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.78 грн
500+44.88 грн
1000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.37 грн
5000+33.93 грн
7500+33.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 5258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.86 грн
10+81.59 грн
100+52.65 грн
500+41.63 грн
1000+38.04 грн
2500+33.44 грн
5000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.35 грн
10+90.15 грн
100+60.78 грн
500+44.88 грн
1000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
на замовлення 9630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.42 грн
10+76.45 грн
100+56.12 грн
500+41.62 грн
1000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VISHAYSI4116DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4120
на замовлення 363 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4120-KT09+
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4120KTSILICON
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-BTSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-BTSI
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-BTR
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.5GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+885.73 грн
10+788.58 грн
25+541.84 грн
100+496.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMSilicon LabsMLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 490 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+600.82 грн
2500+527.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSilicon LabsDescription: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSilicon LabsRF Wireless Misc Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF), lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSilicon LabsMLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+560.76 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTSilicon LabsPhase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTSilicon LabsTSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 62 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+500.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTRSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+535.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTRSilicon LabsTSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4122
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-EVBSilicon LabsTSSOP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD-TSSOP SI4122
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-EVBSilicon LabsRF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122BTSILICON
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3
Код товару: 188744
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3Vishay10+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 0.0036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 10707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+118.48 грн
500+86.90 грн
1000+74.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 9522 шт:
термін постачання 319-328 дні (днів)
2+196.43 грн
10+161.06 грн
100+111.74 грн
250+103.32 грн
500+93.37 грн
1000+80.36 грн
2500+79.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.83 грн
10+143.98 грн
100+106.12 грн
500+80.79 грн
1000+74.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+97.94 грн
132+93.56 грн
250+89.81 грн
500+83.47 грн
1000+74.77 грн
2500+69.66 грн
Мінімальне замовлення: 126
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 0.0036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 10707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+212.92 грн
10+157.11 грн
100+118.48 грн
500+86.90 грн
1000+74.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VISHAYSI4122DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DYT1E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122G-BMRSI2000
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122M-EVBSilicon LabsMLP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD SI4122
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122M-EVBSilicon LabsRF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122M-EVBSkyworks Solutions Inc.Description: BOARD EVALUATION FOR SI4122
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-BMSilicon LabsDescription: IC SYNTH RF1/IF SNGL-BAND 28MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-BT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-BTSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+650.79 грн
100+624.23 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/IF output
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+861.62 грн
10+767.46 грн
25+635.98 грн
100+552.56 грн
250+527.30 грн
490+480.62 грн
980+438.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMSilicon LabsMLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF), LEAD FREE SI4123
кількість в упаковці: 490 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+726.04 грн
10+606.51 грн
25+574.43 грн
80+504.06 грн
230+475.14 грн
490+455.99 грн
980+432.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+650.79 грн
100+624.23 грн
500+597.67 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMRSilicon LabsClock Generators & Support Products Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF), lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMRSilicon LaboratoriesRF synthesizer with RF1/IF OUT
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+756.60 грн
10+701.01 грн
25+668.58 грн
100+618.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMRSilicon LabsMLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 28MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GTSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/IF output
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+833.05 грн
10+699.69 грн
25+547.97 грн
100+491.33 грн
248+435.47 грн
558+404.09 грн
1054+403.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GTSilicon LabsTSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123
кількість в упаковці: 62 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GTSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-TSSOP
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+702.86 грн
10+587.54 грн
62+527.84 грн
124+476.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GTRSilicon LabsClock Generators & Support Products Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF), lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GTRSilicon LabsTSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GTRSkyworks Solutions Inc.Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-EVBSilicon LabsTSSOP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) EVALUATION BOARD-TSSOP SI4123
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-EVBSilicon LabsRF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF) Evaluation Board TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123BMQFN
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123BM
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123M-EVBSilicon LabsRF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF) Evaluation Board MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123M-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123M-EVBSilicon LabsMLP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) EVALUATION BOARD SI4123
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-E3VISHAYSI4124DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.41 грн
10+127.15 грн
100+95.07 грн
500+71.96 грн
1000+66.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.67 грн
10+98.33 грн
25+97.34 грн
100+82.06 грн
250+75.27 грн
500+64.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3VISHAYSI4124DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 384-393 дні (днів)
2+193.75 грн
10+172.50 грн
25+148.47 грн
100+120.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+108.89 грн
134+91.78 грн
135+90.85 грн
155+76.59 грн
250+70.25 грн
500+60.19 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4124DYT1E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126VISHAY
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126SILICONO246+ QFN
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-BMSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER WLAN RF2/IF 28MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-BMSILICON
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-BMRSILICON03+
на замовлення 4105 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-BMRSILICON
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-BMRst
на замовлення 915 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-F-BMSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 2.3GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-F-BMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 2.3GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-F-GMSilicon LabsRF Wireless Misc RF synthesizer with 2.3 GHz/IF output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-F-GMSilicon LabsQFN 28/I°/WLAN Synthesizer (RF2/IF) SI4126
кількість в упаковці: 490 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-F-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 2.3GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-F-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 2.3GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-F-GMRSilicon LabsRF Wireless Misc WLAN Synthesizer (RF2/IF), lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-F-GMRSilicon LabsMLP 28/I°/WLAN SYNTHESIZER (RF2/IF), LEAD FREE SI4126
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126-GM
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126BMN/A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126BMVISHAY
на замовлення 626 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-E3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 39A; Idm: 70A; 7.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 7.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 39A; Idm: 70A; 7.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 7.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.67 грн
10+95.39 грн
25+95.12 грн
100+91.46 грн
250+84.44 грн
500+80.83 грн
1000+80.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 2077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.93 грн
10+154.90 грн
100+95.66 грн
500+81.12 грн
1000+77.30 грн
2500+69.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+89.03 грн
139+85.36 грн
250+78.81 грн
500+75.44 грн
1000+75.23 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V
на замовлення 7132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.79 грн
10+150.03 грн
100+106.12 грн
500+86.53 грн
1000+75.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126M-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4126
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126M-EVBSilicon LabsMLP/I°/WLAN SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD SI4126
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.63 грн
10+42.95 грн
100+25.94 грн
500+21.66 грн
1000+18.44 грн
2500+16.07 грн
5000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 8157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.85 грн
10+44.72 грн
100+29.55 грн
500+21.61 грн
1000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.08 грн
5000+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-E3
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.40 грн
10+42.09 грн
100+29.88 грн
500+21.61 грн
1000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3VISHAYSI4128DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 33193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.43 грн
10+43.83 грн
100+24.80 грн
500+20.82 грн
1000+17.98 грн
2500+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.30 грн
5000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4128DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.9 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.85 грн
19+46.02 грн
100+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4128DY-TI-GE3
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4132-BTSILICON
на замовлення 798 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4132-KT
на замовлення 714 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4132-KT09+
на замовлення 757 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4132-SBSILICON
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4132BTSILICON
на замовлення 798 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4132KTSILICON
на замовлення 757 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4132SBSILICON
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-BMRSILICONI00+ CLCC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-BTSILICON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-BTSilicon LabsDescription: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-TSSOP
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-BT/GT
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMSilicon LabsMLP 28/I°/Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) SI4133
кількість в упаковці: 490 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2/IF output
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+720.55 грн
10+616.96 грн
25+497.46 грн
100+459.19 грн
250+453.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+885.82 грн
10+740.60 грн
25+701.70 грн
80+616.12 грн
230+581.11 грн
490+557.93 грн
980+529.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+685.08 грн
19+650.50 грн
25+638.08 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+856.84 грн
10+716.53 грн
25+678.90 грн
100+588.67 грн
250+559.67 грн
500+539.21 грн
1000+511.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMRSilicon LabsMLP 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF), LEAD FREE SI4133
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMRSkyworks Solutions, Inc.RF Wireless Misc RF synthesizer with RF1/RF2/IF output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+667.01 грн
124+638.08 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GTSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-TSSOP
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+816.28 грн
10+682.97 грн
62+614.21 грн
124+554.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GTSilicon LabsTSSOP 24/I°/Dual-Band RF Synthesizer SI4133
кількість в упаковці: 62 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GTSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2/IF output
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+891.98 грн
10+796.50 грн
25+638.27 грн
100+583.17 грн
248+546.44 грн
558+509.70 грн
1054+483.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+714.66 грн
124+683.66 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GTRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GTRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GTRSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-TSSOP
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GTRSilicon LabsTSSOP 24/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4133
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-D-GTRSkyworks Solutions, Inc.Clock Generators & Support Products RF synthesizer with RF1/RF2/IF output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-EVBSkyworks SolutionsSi4133-BT Clock Generator and Synthesizer Evaluation Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-EVBSkyworks Solutions Inc.Description: BOARD EVALUATION FOR SI4133
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4133
Frequency: 900MHz ~ 1.8GHz, 750MHz ~ 1.5GHz
Type: Frequency Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: SI4133
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-EVBSilicon LabsSLLSI4133-EVB SI4133
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-EVBSkyworks Solutions, Inc.RF Development Tools
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133-GM
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133B-BM
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4133BM
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133F-BMRVISHAY03+
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133G-BMSILICON
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133G-BTSILCON
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133G-BTRSILICON0050
на замовлення 848 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133G-BTRSILI
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133G-XM2SILICON
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133G-XM2RSILICON2003
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133G-XMZ
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133GBMSILICON
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133GBMRSLAB
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133GBMRSLAB0011
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133GBTSILICON
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133GM
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133GM-EVBSkyworks Solutions, Inc.Mobile Development Tools Dual-Band GSM RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board, Not recommended for new designs, Recommended replacement is Si4133M-EVB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133GX2-BMSilicon LabsDescription: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133GX2M-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVAL DUAL-BAND GSM-HITACHI
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4133GX2M
Type: Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: SI4133GX2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133GXM2SILICON
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133M-EBSkyworks Solutions Inc.Description: IC
Packaging: Box
For Use With/Related Products: SI4123
Type: Frequency Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133M-EBSkyworks Solutions, Inc.RF Development Tools
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133M-EVBSilicon LabsMLP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-MLP SI4133
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133M-EVBSkyworks SolutionsSi4133-BM PLL Evaluation Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133M-EVBSilicon LabsRF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board MLP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133M-EVBSkyworks SolutionsSi4133-BM PLL Evaluation Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133M-EVBSkyworks Solutions Inc.Description: BOARD EVALUATION FOR SI4133
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4133
Type: Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133T-BMSILICONQFN??
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133T-BMSilicon LabsDescription: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/Yes
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133T-BMSilicon09+
на замовлення 350018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133T-BMSI04+ CLCC
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133T-BMRSILICON2004
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133T-BMRSI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133T-GM
на замовлення 53500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133T-GMSilicon LabsDescription: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/Yes
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133T-MBVISHAY2004
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133TBMSilicon03+
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133W-BM
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133W-BMRSILICON2002
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133W-D-GMSilicon Labs0602
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4133WM-EVBSkyworks Solutions Inc.Description: KIT EVAL FOR SI4133W-BM
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4133W-BM
Type: Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-E3VISHAY1027+ SOP8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.02 грн
10+51.66 грн
100+35.28 грн
500+26.70 грн
1000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 66770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.38 грн
10+46.65 грн
100+31.00 грн
250+30.92 грн
500+27.25 грн
1000+23.57 грн
2500+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3VISHAYSI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 6964 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.23 грн
59+19.04 грн
162+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+36.13 грн
500+28.12 грн
1000+25.50 грн
2500+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 340
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+84.31 грн
50+54.09 грн
100+39.49 грн
500+28.46 грн
1000+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 13914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.13 грн
10+52.19 грн
100+32.37 грн
500+27.02 грн
1000+23.04 грн
2500+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 14A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4134DY-T1-GE3 TSI4134dy
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 3959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.13 грн
10+51.58 грн
100+36.67 грн
500+26.70 грн
1000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134T-BMSilicon09+
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134T-BMSilicon LabsDescription: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134T-BMSILICONQFN32
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134T-BMRSILICONQFN??
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134T-BMRSILICONQFN
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134T-GMSilicon LabsDescription: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134T-GMSilicon09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134T-GMRSILICON04+
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-BMSkyworks Solutions Inc.Description: IC SYNTH WLAN SAT/RADIO 28MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-BMSilicon09+
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-BtSkyworks Solutions Inc.Description: IC SYNTH RF1/RF2/IF 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-BTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 50MHz-IN 24-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-Bt
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-EVBSkyworks SolutionsISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-EVBSilicon LabsTSSOP/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-TS SI4136
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-EVBSilicon LabsRF Development Tools WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board TSSOP
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-EVBSkyworks Solutions Inc.Description: BOARD EVALUATION FOR SI4136
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4136
Frequency: 2.3GHz ~ 2.5GHz, 2.025GHz ~ 2.3GHz
Type: Frequency Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-BMSilicon LabsDescription: IC FREQUENCY SYNTH 28QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-BTSilicon LabsDescription: IC FREQUENCY SYNTH 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 2.5GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GMSilicon LabsQFN 28/I°/WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 490 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GMSilicon LabsRF Wireless Misc RF synthesizer with 2.5 GHz/2.3 GHz/IF output
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GMRSilicon LabsMLP 28/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GMRSilicon LabsClock Generators & Support Products WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF), lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GTSkyworks Solutions Inc.Description: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+987.65 грн
10+871.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GTSilicon LabsTSSOP 24/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 62 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GTSilicon LabsRF Wireless Misc RF Synthesizer with 2.5 GHz/2.3 GHz/IF output
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GTRSkyworks Solutions Inc.Description: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GTRSilicon LabsTSSOP 24/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-F-GTRSilicon LabsRF Wireless Misc WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF), lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-GM
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136-XM-GT
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136BM
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136BTSILICON09+ TSSOP24
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-E3
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 21393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.93 грн
10+91.53 грн
100+63.22 грн
500+54.03 грн
1000+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3VISHAYSI4136DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.23 грн
10+82.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.62 грн
10+73.02 грн
100+62.02 грн
500+53.57 грн
1000+49.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136M-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4136
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136M-EVBSilicon LabsRF Development Tools WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136M-EVBSilicon LabsMLP/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-MLP SI4136
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136XM-BTSILICON
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136XM-BTSILCON
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136XM-BTSILICON09+ TSSOP24
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136XM-BTR
на замовлення 652 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4136XM-GT
на замовлення 626 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4137-BM09+
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4137BMSILICON
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 8611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.32 грн
10+53.33 грн
100+32.14 грн
500+26.86 грн
1000+22.88 грн
2500+20.28 грн
5000+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V
на замовлення 61349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.75 грн
10+54.53 грн
100+36.46 грн
500+26.54 грн
1000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3VISHAYSI4143DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 6822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.71 грн
50+55.98 грн
100+37.78 грн
500+27.66 грн
1000+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.67 грн
5000+21.03 грн
7500+20.13 грн
12500+17.94 грн
17500+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4143DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 6822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.78 грн
500+27.66 грн
1000+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4148DY-T1
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI415VISHAY
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI415SIEMENS01+ SOP
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4151DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+138.22 грн
10+90.15 грн
100+60.70 грн
500+40.34 грн
1000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.91 грн
10+86.02 грн
100+57.78 грн
500+42.84 грн
1000+39.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4151DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00625ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.70 грн
500+40.34 грн
1000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET P-CHANNEL 30-V MOSFET
на замовлення 15455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.11 грн
10+80.00 грн
100+54.11 грн
500+52.04 грн
2500+44.24 грн
5000+43.32 грн
10000+42.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3VISHAYSI4151DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4151DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch Enh FET 20Vdss 6Vgss 0.9215A 150mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SO8 P CHAN 30V
на замовлення 14340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.18 грн
10+56.06 грн
100+32.14 грн
500+25.10 грн
1000+22.42 грн
2500+19.90 грн
5000+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.3A (Ta), 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4153DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0072 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.29 грн
50+55.98 грн
100+36.75 грн
500+26.31 грн
1000+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 14.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 14.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3VISHAYSI4153DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.3A (Ta), 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V
на замовлення 4185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.82 грн
10+47.83 грн
100+31.35 грн
500+22.76 грн
1000+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 14.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4153DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4153DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0072 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.75 грн
500+26.31 грн
1000+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VISHAYSI4154DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.92 грн
5000+40.93 грн
7500+40.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3
Код товару: 184243
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 26324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.79 грн
10+80.09 грн
25+69.49 грн
100+56.79 грн
250+56.63 грн
500+49.82 грн
1000+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+59.33 грн
208+58.99 грн
233+52.64 грн
250+50.74 грн
500+42.06 грн
1000+38.63 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
на замовлення 11334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.69 грн
10+74.22 грн
100+59.46 грн
500+49.78 грн
1000+45.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+72.14 грн
12+63.57 грн
25+63.21 грн
100+54.38 грн
250+50.34 грн
500+43.26 грн
1000+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4154DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4155DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.38 грн
10+57.16 грн
100+51.84 грн
500+47.37 грн
1000+43.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4155DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4155DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.13 грн
17+50.91 грн
100+41.98 грн
500+33.56 грн
1000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4155DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4155DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4155DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4155DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.98 грн
500+33.56 грн
1000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-E3
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 56734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.75 грн
10+63.10 грн
100+38.27 грн
500+33.14 грн
1000+28.39 грн
2500+25.64 грн
5000+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 24A 8SO
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 4627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.24 грн
10+58.59 грн
100+43.10 грн
500+34.02 грн
1000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3VISHAYSI4156DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4156DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4158DY-T1-E3
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4158DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 36.5A 6.0W 2.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4158DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-EG3
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.52 грн
10+82.91 грн
100+46.21 грн
500+42.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 14229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.39 грн
10+100.33 грн
100+67.73 грн
500+55.94 грн
1000+44.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3VISHAYSI4160DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4160DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.85 грн
12+74.86 грн
100+55.12 грн
500+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3Vishay
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-TI-GE3
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 9156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.54 грн
10+64.51 грн
100+38.88 грн
500+32.45 грн
1000+27.63 грн
2500+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0079 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 73845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+84.22 грн
14+65.33 грн
100+44.56 грн
500+31.73 грн
1000+24.95 грн
5000+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VISHAYSI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.32 грн
43+26.31 грн
118+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 25976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.93 грн
10+63.38 грн
100+42.24 грн
500+30.93 грн
1000+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.70 грн
30000+23.49 грн
45000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 73845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.59 грн
500+30.37 грн
1000+25.54 грн
5000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3
Код товару: 186845
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
1+68.00 грн
10+62.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4164DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+137.36 грн
10+104.74 грн
100+81.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V
на замовлення 29173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.84 грн
10+92.56 грн
100+65.79 грн
500+49.21 грн
1000+47.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 29520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.93 грн
10+100.33 грн
100+62.07 грн
500+49.52 грн
1000+46.45 грн
2500+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.88 грн
5000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+71.25 грн
10+61.70 грн
100+43.85 грн
500+42.93 грн
1000+42.63 грн
2500+39.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+40.33 грн
308+39.93 грн
310+39.66 грн
312+37.98 грн
500+34.93 грн
1000+33.30 грн
Мінімальне замовлення: 305
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
на замовлення 7727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.27 грн
10+69.84 грн
100+53.34 грн
500+45.22 грн
1000+41.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+44.66 грн
17+43.21 грн
25+42.78 грн
100+40.97 грн
250+37.68 грн
500+35.93 грн
1000+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4166DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30.5 A, 0.0032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.00 грн
15+60.53 грн
100+49.45 грн
500+42.81 грн
1000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.75 грн
5000+32.95 грн
7500+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3
на замовлення 652 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+64.15 грн
13+54.11 грн
25+54.09 грн
100+44.48 грн
250+40.93 грн
500+35.47 грн
1000+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+50.49 грн
285+43.05 грн
287+41.26 грн
500+34.48 грн
1000+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 243
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V
на замовлення 26145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.83 грн
10+67.68 грн
100+50.85 грн
500+41.05 грн
1000+36.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3VISHAYSI4168DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI417SIEMENS01+ SOP
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4170DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4170DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4170DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4170DYT1E3VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DT-T1-GE3
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DY
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+27.23 грн
27+26.81 грн
50+25.44 грн
100+23.18 грн
250+21.90 грн
500+21.53 грн
1000+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-E3
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 9408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.07 грн
10+61.15 грн
100+40.86 грн
500+29.88 грн
1000+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 23147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.23 грн
10+59.67 грн
100+37.19 грн
500+31.07 грн
1000+26.48 грн
2500+22.81 грн
5000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.26 грн
5000+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.16 грн
5000+23.26 грн
7500+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4174DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.80 грн
16+56.41 грн
100+39.58 грн
500+29.34 грн
1000+24.87 грн
5000+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3VISHAYSI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+92.62 грн
32+35.49 грн
87+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.03 грн
5000+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4176DY
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4176DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4176DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4176DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4176DY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-E3VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4178DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.44 грн
50+42.75 грн
100+30.65 грн
500+23.76 грн
1000+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 6574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.13 грн
10+41.54 грн
100+24.95 грн
500+21.20 грн
1000+18.14 грн
2500+15.23 грн
5000+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+26.33 грн
100+21.30 грн
250+19.52 грн
500+17.41 грн
1000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.