Продукція > SI4
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI40021 | на замовлення 72 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4004DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4008BDY | на замовлення 570 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI400CF-021 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI400CF-022 | на замовлення 998 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4010-B1-GS | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC Packaging: Tube Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Memory Size: 4kB RAM Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 14-SOIC Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-B1-GS | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4010-B1-GS | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU SoC RF transmitter with 8051 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-B1-GT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP Packaging: Tube Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Memory Size: 4kB RAM Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 10-MSOP Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-B1-GT | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4010-C2 | на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4010-C2-AS | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-ASR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-AT | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Tube Automotive AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-AT | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU | на замовлення 709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C2-ATR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-ATR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R Automotive AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GS | Silicon Labs | SI4010-C2-GS SI4010 кількість в упаковці: 56 шт | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GS | Silicon Laboratories | RF Transmitter, 27-960MHz, 1.8?3.6V, -40?85°C SI4010-C2-GS Silicon Labs UISI4010c2gs кількість в упаковці: 4 шт | на замовлення 112 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GS | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GS | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation Packaging: Tube Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Memory Size: 4kB RAM Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 14-SOIC Part Status: Active DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 3007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GS | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GS | Silicon Laboratories | RF Transmitter, 27-960MHz, 1.8?3.6V, -40?85°C SI4010-C2-GS Silicon Labs UISI4010c2gs кількість в упаковці: 4 шт | на замовлення 56 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GS | Silicon Labs | RF System on a Chip - SoC 8051 Sub-GHz RF transmitter | на замовлення 2695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GS | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GSR | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | на замовлення 4420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GSR | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GSR | Silicon Labs | RF System on a Chip - SoC SoC RF transmitter with 8051 | на замовлення 2745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GSR | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | на замовлення 4420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GSR | Silicon Labs | SI4010-C2-GSR SI4010 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GSR | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GSR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Memory Size: 4kB RAM Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 14-SOIC Part Status: Active DigiKey Programmable: Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GT | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GT | Silicon Labs | MSOP 10/I°/SOC RF TRANSMITTER WITH 8051 SI4010MSOP кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GT | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation Packaging: Strip Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Memory Size: 4kB RAM Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 10-MSOP Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GT | Silicon Labs | RF System on a Chip - SoC 8051 Sub-GHz RF transmitter | на замовлення 377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GTR | Silicon Labs | MSOP 10/I°/SOC RF TRANSMITTER WITH 8051 SI4010MSOP кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GTR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Memory Size: 4kB RAM Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 10-MSOP Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GTR | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GTR | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4010-C2-GTR - ZF-TRANSMITTER, 100KBPS, -40 BIS 85°C tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 19.8A Bauform - HF-IC: MSOP Ausgangsleistung (dBm): 10dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: MSOP MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: 5A992.c HF-Primärfunktion: Sender Frequenz, min.: 27MHz Anwendungen HF-Sender: Garagentor- & Türöffner, Hausautomatisierung & Sicherheit, RKE-Systeme, drahtlose Fernsteuerung Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfindlichkeit (dBm): - euEccn: NLR HF/IF-Modulation: FSK, OOK Anzahl der Pins: 10Pin(s) Übertragungsrate: 100Kbps Frequenzgang HF, max.: 960MHz Produktpalette: - productTraceability: No Frequenzgang HF, min.: 27MHz Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 960MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GTR | Silicon Labs | RF System on a Chip - SoC SoC RF transmitter with 8051 | на замовлення 1777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GTR | SiLabs | RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GTR | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GTR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP Packaging: Cut Tape (CT) Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Memory Size: 4kB RAM Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 10-MSOP Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 7411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GTR | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4010-C2-GTR - ZF-TRANSMITTER, 100KBPS, -40 BIS 85°C tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 19.8A Bauform - HF-IC: MSOP Ausgangsleistung (dBm): 10dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: MSOP MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: 5A992.c HF-Primärfunktion: Sender Frequenz, min.: 27MHz Anwendungen HF-Sender: Garagentor- & Türöffner, Hausautomatisierung & Sicherheit, RKE-Systeme, drahtlose Fernsteuerung Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfindlichkeit (dBm): - euEccn: NLR HF/IF-Modulation: FSK, OOK Anzahl der Pins: 10Pin(s) Übertragungsrate: 100Kbps Frequenzgang HF, max.: 960MHz Produktpalette: - productTraceability: No Frequenzgang HF, min.: 27MHz Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 960MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C2-GTR | Silicon Laboratories | 8051 Sub-GHz RF Transmitter | на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C2001AT | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2001ATR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2002AT | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2002ATR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2002GS | Silicon Labs | Description: 8B WIRELESS MCU Packaging: Strip DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2003AT | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Automotive AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2003AT | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | на замовлення 48 шт: термін постачання 70-79 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C2003ATR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2004AT | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Automotive AEC-Q100 | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2004AT | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Automotive AEC-Q100 | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2004AT | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2004ATR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C2004ATR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2004ATR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C200FGT | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C200FGT | Silicon Labs | Description: EZRADIO TX SUBG 8051 SOC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C200FGTR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C200RGT | Silicon Labs | Description: 8B WIRELESS MCU Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C200RGTR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | на замовлення 2487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C200RGTR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | на замовлення 2487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C200YGTR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | на замовлення 9984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C200YGTR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2012GT | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2020GTR | Silicon Laboratories | SI4010-C2020GTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2020GTR | Silicon Labs | Silicon Laboratories | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2024GTR | Silicon Laboratories | SI4010-C2024GTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2025GT | Silicon Laboratories | SI4010-C2025GT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2025GTR | Silicon Laboratories | SI4010-C2025GTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2026GTR | Silicon Laboratories | SI4010-C2026GTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2027GTR | Silicon Laboratories | SI4010-C2027GTR | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C2027GTR | Silicon Laboratories | SI4010-C2027GTR | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C2M20GTR | Silicon Laboratories | SI4010-C2M20GTR | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4010-C2M20GTR | Silicon Laboratories | SI4010-C2M20GTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010-C2M20GTR | Silicon Laboratories | SI4010-C2M20GTR | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4010DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 30V | на замовлення 5649 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4011-C100JGTR | Silicon Labs | SI4011-C100JGTR SI4011 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4011-C100MGTR | Silicon Labs | SI4011-C100MGTR SI4011 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4011-C100NGTR | Silicon Labs | SI4011-C100NGTR SI4011 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4011-C2-GT | Silicon Labs | Description: IC TRANSMITTER EZRADIO 10MSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4011-CC-GT | Silicon Labs | Description: IC TRANSMITTER 10MSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4011-CC-GTR | Silicon Labs | Description: IC TRANSMITTER 10MSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4012-A0-GT | Silicon Labs | SI4012-A0-GT SI4012 кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4012-A0-GT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4012-A0-GTR | Silicon Labs | RF Transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4012-B1-GT | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4012-C1001GT | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4012-C1001GT - ZF-Sender, 27MHz bis 960MHz, FSK, OOK, 100kBaud, 10dBm, 1.8V bis 3.6V, MSOP-10 Übertragungsstrom: 19.8 Bauform - HF-IC: MSOP Ausgangsleistung (dBm): 10 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Frequenz, min.: 27 Anwendungen HF-Sender: Hausautomatisierung / Industrieautomation, Fernsteuerung Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.8 Empfindlichkeit (dBm): - HF/IF-Modulation: FSK, OOK Anzahl der Pins: 10 Übertragungsrate: 100 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.6 Frequenz, max.: 960 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: To Be Advised | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4012-C1001GT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP Packaging: Strip Features: Crystal-less Operation Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 10-MSOP Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4012-C1001GT | Silicon Labs | MSOP 10/–40 TO 85 OC/27-960 MHZ RF TRANSMITTER SI4012 кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4012-C1001GT | Silicon Labs | RF Transmitter 8051 Sub-GHz RF transmitter | на замовлення 326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4012-C1001GTR | Silicon Labs | RF Transmitter 8051 Sub-GHz RF transmitter | на замовлення 7821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4012-C1001GTR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP Packaging: Cut Tape (CT) Features: Crystal-less Operation Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 10-MSOP Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 11537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4012-C1001GTR | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4012-C1001GTR - HF-Transmitter, 27 bis 960MHz, FSK/OOK, 10dBm Out, 100kBaud, 1.8 bis 3.6V, MSOP-10 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 19.8mA Bauform - HF-IC: MSOP Ausgangsleistung (dBm): 10dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 27MHz Anwendungen HF-Sender: Hausautomatisierung / Industrieautomation, Fernsteuerung Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfindlichkeit (dBm): - euEccn: NLR HF/IF-Modulation: FSK, OOK Anzahl der Pins: 10Pin(s) Übertragungsrate: 100Kbaud Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 960MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 1093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4012-C1001GTR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP Features: Crystal-less Operation Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 27MHz ~ 960MHz Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 10dBm Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE Data Rate (Max): 100kBaud Current - Transmitting: 19.8mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 10-MSOP Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4012-C1001GTR | Silicon Labs | MSOP 10/–40 TO 85 OC/27-960 MHZ RF TRANSMITTER SI4012 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4020 | на замовлення 2350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4020-I1-FT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 315/433MHZ 16TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V Power - Output: 3dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 14mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 16-TSSOP DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4020-I1-FT | Silicon Labs | TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO) SI4020 кількість в упаковці: 96 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4020-I1-FTR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 315/433MHZ 16TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V Power - Output: 3dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 14mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 16-TSSOP DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4020-I1-FTR | Silicon Labs | TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO)(NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS; SUGGESTE SI4020TSSOP кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4021 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4021-A1-FDI | Silicon Labs | RF Transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4021-A1-FT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 433MHz, 868MHz, 915MHz Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V Power - Output: 8dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 512kbps Current - Transmitting: 24mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 16-TSSOP DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4021-A1-FT | Silicon Labs | RF Transmitter TX SubG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4021-A1-FT | Silicon Labs | SI4021-A1-FT SI4021 кількість в упаковці: 96 шт | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4021-A1-FT1 | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 16-TSSOP DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4021-A1-FT1R | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 16-TSSOP DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4021-A1-FTR | Silicon Labs | RF Transmitter TX SubG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4021-A1-FTR | Silicon Labs | TSSOP 16/TRANSMITTER -EZRadio - UNIVERSAL ISM BAND FSK IA4221 SI4021 кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4021-A1-FTR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 433MHz, 868MHz, 915MHz Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V Power - Output: 8dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 512kbps Current - Transmitting: 24mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 16-TSSOP DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4021A1FTR | на замовлення 2430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4022-A0-FT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 868MHz, 915MHz Modulation or Protocol: FSK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V Power - Output: 6dBm Applications: ISM Data Rate (Max): 115.2kbps Current - Transmitting: 24mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 16-TSSOP DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4022-A0-FT | Silicon Labs | SI4022-A0-FT SI4022 кількість в упаковці: 96 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4022-A0-FTR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 868MHz, 915MHz Modulation or Protocol: FSK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V Power - Output: 6dBm Applications: ISM Data Rate (Max): 115.2kbps Current - Transmitting: 24mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 16-TSSOP DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4022-A0-FTR | Silicon Labs | TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO) SI4022 кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4022-A0-FTR | Silicon Labs | RF Transmitter TX SubG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4022-A1-FT | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Frequency: 868MHz, 915MHz Modulation or Protocol: FSK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V Power - Output: 6dBm Applications: ISM Data Rate (Max): 115.2kbps Current - Transmitting: 24mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 16-TSSOP DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4022-A1-FT | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4030-A0-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 930MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm (100mW) Data Rate (Max): 128kbps Current - Transmitting: 28mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4030-A0-FMR | Silicon Labs | RF Transmitter TX SubG +13 dBm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4030-A0-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX ISM FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4030-B1-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 900-960MHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 900MHz ~ 960MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 30mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4030-B1-FM | Silicon Laboratories | TX SubG +13dBm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4030-B1-FM | Silicon Labs | RF Transmitter TX SubG +13 dBm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4030-B1-FMR | Silicon Labs | QFN 20/I°/+13DBM SI4430 EZRADIOPRO TRANSMITTER (REV B1) SI4030 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4030-B1-FMR | Silicon Labs | RF Transmitter TX SubG +13 dBm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4030-B1-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 900-960MHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 900MHz ~ 960MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 30mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4031 | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4031-A0-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 930MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Data Rate (Max): 128kbps Current - Transmitting: 28mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4031-B1-FM | Silicon Labs | RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4031-B1-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 930MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 30mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4031-B1-FM | Silicon Labs | QFN 20/I°/+13dBm Si4431 EZRadioPRO® Transmitter (rev B1) SI4031 кількість в упаковці: 91 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4031-B1-FMR | Silicon Labs | QFN 20/I°/+13dBm Si4431 EZRadioPRO® Transmitter (rev B1) SI4031 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4031-B1-FMR | Silicon Laboratories | +13 dBm Sub-GHz Transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4031-B1-FMR | Silicon Labs | RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4031-B1-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 930MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 30mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4032-B1-FM | Silicon Labs | RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4032-B1-FM | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4032-B1-FM - ZF-Sender, 240MHz bis 930MHz, FSK, GFSK, OOK, 256kB/s, 20dBm, 1.8V bis 3.6V, QFN-20 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 85mA Bauform - HF-IC: QFN Ausgangsleistung (dBm): 20dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 HF-Primärfunktion: Transmitter Frequenz, min.: 240MHz Anwendungen HF-Sender: Automatische Zählerauslesung, Haustechnik, Telemetrie mit geringer Leistungsaufnahme, drahtlose Alarm-/Sicherheitsanlagen Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfindlichkeit (dBm): - euEccn: NLR HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK Anzahl der Pins: 20Pin(s) Übertragungsrate: 256Kbps Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 930MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) | на замовлення 3204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4032-B1-FM | Silicon Laboratories | +20 dBm Sub-GHz Transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4032-B1-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 930MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 30mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4032-B1-FM | Silicon Labs | QFN 20/I°/+20DBM SI4432 EZRADIOPRO® TRANSMITTER (REV B1) SI4032 кількість в упаковці: 91 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4032-B1-FM | Silicon Laboratories | +20 dBm Sub-GHz Transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4032-B1-FMR | Silicon Labs | QFN 20/I°/+20DBM SI4432 EZRADIOPRO® TRANSMITTER (REV B1) SI4032QFN+Q221 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4032-B1-FMR | Silicon Labs | RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4032-B1-FMR | Silicon Laboratories | +20 dBm Sub-GHz Transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4032-B1-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 930MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 30mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4032-V2-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 930MHz Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm (100mW) Data Rate (Max): 128kbps Current - Transmitting: 80mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4032-V2-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX ISM FSK 240-930MHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4032-V2-FMR | Silicon Labs | RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4033-B2-FMR | Silicon Labs | SI4033B2-FMR EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4033 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4038DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 42.5A; Idm: 150A Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Case: SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Gate charge: 87nC On-state resistance: 3.2mΩ Power dissipation: 7.8W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 42.5A Pulsed drain current: 150A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4038DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4038DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 40V 42.5A 8-Pin SOIC N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4038DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4038DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT SI4154DY-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4048DY-T1-E3 | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4048DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4048DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET | на замовлення 2875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4048DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4055-B1A-FM | Silicon Labs | RF Transceiver Sub-GHz transmitter | на замовлення 485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4055-B1A-FMR | Silicon Labs | RF Transceiver Sub-GHz transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4055-B1A-ZMR | Silicon Labs | SI4055-B1A-ZMR SI4055 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4055-C2A-AM | Silicon Labs | RF Transceiver Transceiver AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4055-C2A-AMR | Silicon Labs | RF Transceiver Transceiver AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4055-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4055-C2A-GM | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 284-960MHZ 20VFQFN Packaging: Tray Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 284MHz ~ 960MHz Memory Size: 64KB Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: SPI Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 500kbps Supplier Device Package: 20-QFN (3x3) DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4055-C2A-GM | Silicon Labs | RF Transmitter Sub-GHz Transmitter | на замовлення 2896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4055-C2A-GM | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4055-C2A-GM - HF-Sender, 284MHz bis 960MHz, 13dBm out, 1.8V bis 3.6V, QFN-EP, 20 Pins tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 24mA Bauform - HF-IC: QFN-EP Ausgangsleistung (dBm): 13dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 HF-Primärfunktion: Sender Frequenz, min.: 284MHz Anwendungen HF-Sender: Garagen- & Toröffner, Hausautomatisierung, Sicherheits-/Alarmanlagen, industrielle Steuerung/Fernsteuerung, Telemetrie Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfindlichkeit (dBm): -116dBm euEccn: NLR HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK Anzahl der Pins: 20Pin(s) Übertragungsrate: 500Kbps Frequenzgang HF, max.: 960MHz Produktpalette: - productTraceability: No Frequenzgang HF, min.: 284MHz Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 960MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4055-C2A-GMR | Silicon Labs | RF Transceiver Sub-GHz transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4055-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4055-C2A-GMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC FSK 284-960MHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 284MHz ~ 960MHz Memory Size: 64KB Modulation or Protocol: FSK, OOK Data Interface: SPI Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 500kbps Supplier Device Package: 20-QFN (3x3) DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4056ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4056ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4056ADY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 4436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4056ADY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs SOT669 100V 8.3A N-CH MOSFET | на замовлення 114243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4056ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4056ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V | на замовлення 16341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4056ADY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 4436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4056DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4056DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V | на замовлення 576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4056DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4056DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.1 A, 0.023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 43543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4056DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs RECOMMENDED ALT SI40 | на замовлення 4108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4056DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4056DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4056DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4056DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.1 A, 0.023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 43543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4056DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| Si4058DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| Si4058DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4058DY-T1-GE3 Код товару: 182910
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4058DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 4921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| Si4058DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4058DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 4921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| Si4058DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 105927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4060-B0B-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4060-B0B-FM | Silicon Labs | QFN 20/I°/TX SI4060QFN кількість в упаковці: 75 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4060-B0B-FMR | Silicon Labs | QFN 20/-40 TO 85 OC/TX SI4060 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4060-B1B-FM | Silicon Labs | QFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060 кількість в упаковці: 75 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4060-B1B-FM | Silicon Laboratories | +13 dBm Sub-GHz Transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4060-B1B-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tray Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4060-B1B-FM | Silicon Labs | RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4060-B1B-FM | Silicon Laboratories | +13 dBm Sub-GHz Transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4060-B1B-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 7504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4060-B1B-FMR | Silicon Labs | RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4060-B1B-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4060-B1B-FMR | Silicon Labs | QFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4060-B1B-FMR | Silicon Laboratories | +13 dBm Sub-GHz Transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4060-C2A-AM | Silicon Labs | RF Transmitter Transceiver AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4060-C2A-AMR | Silicon Labs | RF Transmitter Transceiver AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4060-C2A-GM | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tray Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Modulation or Protocol: 802.15.4 Data Interface: SPI Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 3.3V Power - Output: 12.5dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4060-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4060-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4060-C2A-GM | Silicon Labs | RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter | на замовлення 86 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4060-C2A-GM | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4060-C2A-GM - ZF-Sender, 142MHz bis 1.05GHz, 4(G)FSK,MSK, OOK, 1MB/s, 24mA, 13dBm Ausgang, 1.8V bis 3.8V, QFN-20 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 24mA Bauform - HF-IC: QFN Ausgangsleistung (dBm): 13dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 HF-Primärfunktion: Sender Frequenz, min.: 142MHz Anwendungen HF-Sender: Garagentor-/Türöffner, Sicherheits-/Alarmanlagen, Systemüberwachung, Hausautomatisierung, RKE-System Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfindlichkeit (dBm): - euEccn: NLR HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK Anzahl der Pins: 20Pin(s) Übertragungsrate: 1Mbps Frequenzgang HF, max.: 1.05GHz Produktpalette: - productTraceability: No Frequenzgang HF, min.: 142MHz Versorgungsspannung, max.: 3.8V Frequenz, max.: 1.05GHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 1609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4060-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4060-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4060-C2A-GMR | Silicon Labs | RF Transceiver +13 dBm sub-GHz transmitter | на замовлення 5154 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4060-C2A-GMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Modulation or Protocol: 802.15.4 Data Interface: SPI Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 3.3V Power - Output: 12.5dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4062DY | Vishay / Siliconix | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4062DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V | на замовлення 3911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4062DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO Група товару: Силові MOSFET-модулі Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4062DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4062DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4062DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4062DY-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 32.1A, 150DEG C, 7.8W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 2194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4062DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 14569 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4062DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4062DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 4.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 25.7A Drain-source voltage: 60V Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 18.8nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4062DY-T1-GE3 Код товару: 209529
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4063-B0B-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 85mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4063-B0B-FM | Silicon Labs | QFN 20/I°/TX SI4063 кількість в упаковці: 75 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4063-B0B-FMR | Silicon Labs | QFN 20/I°/TX SI4063 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4063-B1B-FM | Silicon Labs | QFN 20/I°/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO TRANSMITTER SI4063QFN кількість в упаковці: 75 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4063-B1B-FM | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 85mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4063-B1B-FM | Silicon Labs | RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4063-B1B-FM Код товару: 170485
Додати до обраних
Обраний товар
| Модульні елементи > Радіомодулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4063-B1B-FM | Silicon Laboratories | +20 dBm Sub-GHz Transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4063-B1B-FMR | Silicon Laboratories | +20 dBm Sub-GHz Transmitter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4063-B1B-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 85mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 14883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4063-B1B-FMR | Silicon Laboratories | +20 dBm Sub-GHz Transmitter | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4063-B1B-FMR | Silicon Labs | QFN 20/-40 TO 85 OC/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4063 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4063-B1B-FMR | Silicon Laboratories | +20 dBm Sub-GHz Transmitter | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4063-B1B-FMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Data Interface: PCB, Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 85mA Antenna Connector: PCB, Surface Mount Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4063-B1B-FMR | Silicon Labs | RF Transceiver +20 dBm sub-GHz transmitter | на замовлення 6416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-AM | Silicon Labs | RF Transmitter Transceiver AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-AMR | Silicon Labs | RF Transmitter Transceiver AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GM | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4063-C2A-GM - HF-Transmitter, 142MHZ bis 1.05GHz, 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK, 1Mbit/s, 1.8 bis 3.6V, QFN-EP-20 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 68.5mA Bauform - HF-IC: QFN-EP Ausgangsleistung (dBm): 20dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP usEccn: EAR99 HF-Primärfunktion: Sender Frequenz, min.: 142MHz Anwendungen HF-Sender: Heimautomation, industrielle Steuerung, Fernsteuerung, Smart-Metering Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfindlichkeit (dBm): - euEccn: NLR HF/IF-Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK Anzahl der Pins: 20Pin(s) Übertragungsrate: 1Mbps Frequenzgang HF, max.: 1.05GHz Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Frequenzgang HF, min.: 142MHz Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 1.05GHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GM | Silicon Labs | RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GM | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tray Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Modulation or Protocol: 802.15.4 Data Interface: SPI Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 89mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Modulation or Protocol: 802.15.4 Data Interface: SPI Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 89mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GMR | Silicon Labs | RF Transceiver +20 dBm sub-GHz transmitter | на замовлення 4119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GMR | Silicon Labs | Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Modulation or Protocol: 802.15.4 Data Interface: SPI Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 20dBm Applications: General Purpose Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 89mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4063-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI407DNPLCC | VISHAY | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4090BDY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4090BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.7 A, 8400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 7.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.4W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0084ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 12770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4090BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 18.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 7.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 50 V | на замовлення 2611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4090BDY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 18.7A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Drain-source voltage: 100V Drain current: 18.7A Power dissipation: 7.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 80A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4090BDY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4090BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.7 A, 8400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 12770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4090BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 18.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 7.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 50 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4090DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4090DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V | на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4090DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4090DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 25896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4090DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4090DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.7 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4090DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI40SL0116-70T | на замовлення 212 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI40SL0416-75T | на замовлення 3200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI41 | IDEC | Enclosures, Boxes, & Cases METAL BOX/SCAT. P41/44 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI410 | SIEMENS | 01+ SOP | на замовлення 197 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 16317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-E3 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V | на замовлення 28185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 2055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 2055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 7802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4100DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V | на замовлення 3625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4100DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4101 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4101DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4101DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V | на замовлення 5483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4101DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 74331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4101DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 10290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4101DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4101DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4101DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4101DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 10290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4101DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4102DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4102DY-T1-E3 | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4102DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4102DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 3318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4102DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4102DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4103DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V | на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4103DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4103DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 111403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4103DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4103DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 7178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4103DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 7178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4104DY-T1-E3 | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4104DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4104DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4104DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4104DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4108DY-T1-E3 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4108DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13.8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 38 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4108DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI410A | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4110-KT | 09+ | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4110DY-T1-E3 | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4110DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4110DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4110DY-T1-GE3 | на замовлення 124200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4110DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4110DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4110KT | SILICON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4112-BM | на замовлення 434 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4112-BM | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4112-BT Код товару: 47301
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4112-BT | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4112-BT | SILICONIX | 0544 | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tray Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:1 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4112-D-GM | Silicon Labs | MLP 28/I°/IF SYNTHESIZER IF ONLY, LEAD FREE SI4112 кількість в упаковці: 490 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP | на замовлення 5499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4112-D-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT | на замовлення 261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4112-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP | на замовлення 5499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4112-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GM | Silicon Labs | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT | на замовлення 975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GMR | Silicon Labs | Clock Generators & Support Products IF Synthesizer IF Only, lead free | на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 28-WFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:1 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Part Status: Active Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 4618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4112-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 28-WFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:1 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Part Status: Active Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4112-D-GMR | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT | на замовлення 6026 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4112-D-GMR | Silicon Labs | MLP 28/?I°/IF SYNTHESIZER IF ONLY, LEAD FREE SI4112 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GT | Silicon Labs | Phase Locked Loops - PLL RF Synthesizer with IF output | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GT | Silicon Labs | SI4112 кількість в упаковці: 62 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GT | Silicon Laboratories | RF Synthesizer with IF OUs | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4112-D-GT | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:1 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 24-TSSOP PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 6610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4112-D-GTR | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/IF Synthesizer IF Only SI4112 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GTR | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GTR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4112-D-GTR | Silicon Labs | Clock Generators & Support Products IF Synthesizer IF Only, lead free | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4112-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools IF Only Evaluation Board TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4112-EVB | Silicon Labs | TSSOP/I°/IF ONLY EVALUATION BOARD-TSSOP SI4112 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4112-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4112 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4112BT | SILICON | на замовлення 235 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4112G-BM | на замовлення 88 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4112M-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools IF Only Evaluation Board MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4112M-EVB | Silicon Labs | MLP/I°/IF ONLY EVALUATION BOARD SI4112 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4112M-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4112 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4113-BMR | на замовлення 7280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4113-BT | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GM | Silicon Labs | QFN 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS SI4113 кількість в упаковці: 490 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2 output | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4113-D-GM | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GMR | Silicon Labs | MLP 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY SI4113 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GMR | Silicon Labs | RF Wireless Misc Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only, lead free | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GMR | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GT | Silicon Labs | SLLSI4113-D-GT SI4113 кількість в упаковці: 62 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GT | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2 output | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4113-D-GT | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GTR | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY SI4113 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GTR | Silicon Labs | Clock Generators & Support Products Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only, lead free | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4113-D-GTR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4113-D-ZT1 | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4113-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4113-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4113 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4113-EVB | Silicon Labs | TSSOP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD-TSSOP SI4113 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4113G-BT | SI | на замовлення 105 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4113GM | SI | O6 | на замовлення 18 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4113M-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4113 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4113M-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board MLP | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4113M-EVB | Silicon Labs | MLP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD SI4113 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4113ZT1 | N/A | на замовлення 280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 20V Vds 16V Vgs SO-8 | на замовлення 7452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V | на замовлення 10990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V | на замовлення 275000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V | на замовлення 276862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8 | на замовлення 12468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4114DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4114DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4114G-B-GM | Silicon Labs | Description: IC RF SYNTH FOR GSM/GPRS 28QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4114G-BM | Silicon Labs | Description: IC RF FREQ SYNTH VCO 28QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4114G-BMR | SI | 03+ CLCC | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4114GM-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVAL SI4114G-BM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4115G-BM | Silicon Labs | Description: FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4115G-BMR | SILICON | на замовлення 67790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8 | на замовлення 2458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8 | на замовлення 12774 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V | на замовлення 28574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4116DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4116DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4120 | на замовлення 363 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4120-KT | 09+ | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4120KT | SILICON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4122-BT | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4122-BT | SI | на замовлення 4450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4122-BTR | на замовлення 1370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4122-D-GM | Silicon Labs | MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122 кількість в упаковці: 490 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tray Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.5GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:2 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4122-D-GMR | Silicon Labs | MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GMR | Silicon Labs | Description: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4122-D-GMR | Silicon Labs | RF Wireless Misc Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF), lead free | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4122-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GT | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122 кількість в упаковці: 62 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GT | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP | на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GT | Silicon Labs | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GTR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4122-D-GTR | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GTR | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4122-D-GTR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4122-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4122 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4122-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4122-EVB | Silicon Labs | TSSOP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD-TSSOP SI4122 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4122BT | SILICON | на замовлення 238 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 25V Vgs SO-8 | на замовлення 3307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V | на замовлення 4973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 10235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-GE3 | Vishay | 10+ | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-GE3 Код товару: 188744
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 10235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4122DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 3838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4122DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4122G-BMR | SI | 2000 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4122M-EVB | Silicon Labs | MLP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD SI4122 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4122M-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4122M-EVB | Skyworks Solutions Inc. | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4122 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4123-BM | Silicon Labs | Description: IC SYNTH RF1/IF SNGL-BAND 28MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4123-BT | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4123-BT | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/IF output | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4123-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4123-D-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tray Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:2 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4123-D-GM | Silicon Labs | MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF), LEAD FREE SI4123 кількість в упаковці: 490 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4123-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 28MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GMR | Silicon Labs | MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GMR | Silicon Laboratories | RF synthesizer with RF1/IF OUT | на замовлення 1133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4123-D-GMR | Silicon Labs | Clock Generators & Support Products Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF), lead free | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GT | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/IF output | на замовлення 1897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4123-D-GT | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:2 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 24-TSSOP PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4123-D-GT | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123 кількість в упаковці: 62 шт | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GTR | Silicon Labs | Clock Generators & Support Products Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF), lead free | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GTR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4123-D-GTR | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4123-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF) Evaluation Board TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4123-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4123 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4123-EVB | Silicon Labs | TSSOP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) EVALUATION BOARD-TSSOP SI4123 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4123BM | на замовлення 2090 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4123M-EVB | Silicon Labs | MLP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) EVALUATION BOARD SI4123 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4123M-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF) Evaluation Board MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4123M-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4123 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4124DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4124DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4124DY-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4124DY-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4124DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4124DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4124DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V | на замовлення 2507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4124DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 2490 шт: термін постачання 384-393 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4124DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4124DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4124DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4126 | SILICON | O246+ QFN | на замовлення 1345 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4126-BM | SILICON | на замовлення 1474 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4126-BM | Silicon Labs | Description: IC SYNTHESIZER WLAN RF2/IF 28MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4126-BMR | SILICON | 03+ | на замовлення 4105 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4126-F-BM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tube Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 2.3GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:2 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4126-F-BMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 2.3GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:2 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4126-F-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tube Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 2.3GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:2 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4126-F-GM | Silicon Labs | QFN 28/I°/WLAN Synthesizer (RF2/IF) SI4126 кількість в упаковці: 490 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4126-F-GM | Silicon Labs | RF Wireless Misc RF synthesizer with 2.3 GHz/IF output | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4126-F-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 2.3GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:2 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4126-F-GMR | Silicon Labs | MLP 28/I°/WLAN SYNTHESIZER (RF2/IF), LEAD FREE SI4126 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4126-F-GMR | Silicon Labs | RF Wireless Misc WLAN Synthesizer (RF2/IF), lead free | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4126-GM | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4126BM | N/A | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4126DY-T1 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4126DY-T1-E3 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4126DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4126DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 6851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4126DY-T1-GE3 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4126DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V | на замовлення 15814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4126DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4126DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4126DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4126M-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4126 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4126M-EVB | Silicon Labs | MLP/I°/WLAN SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD SI4126 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4128BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4128DY | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4128DY-T1-E3 | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4128DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4128DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4128DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 3326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4128DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V | на замовлення 8157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4128DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4128DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V | на замовлення 8872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4128DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4128DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 11442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4128DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4128DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4128DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4128DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.9 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4128DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4128DY-TI-GE3 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4132-BT | SILICON | на замовлення 798 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4132-KT | 09+ | на замовлення 757 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4132-SB | SILICON | на замовлення 93 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4132BT | SILICON | на замовлення 798 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4132KT | SILICON | на замовлення 757 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4132SB | SILICON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4133 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4133-BMR | SILICONI | 00+ CLCC | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133-BT | SILICON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4133-BT | Silicon Labs | Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:3 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 24-TSSOP PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133-BT/GT | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4133-D-GM | Silicon Labs | MLP 28/I°/Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) SI4133 кількість в упаковці: 490 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP | на замовлення 433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4133-D-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tray Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:3 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4133-D-GM | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GM | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2/IF output | на замовлення 262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4133-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:3 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4133-D-GMR | Skyworks Solutions, Inc. | RF Wireless Misc RF synthesizer with RF1/RF2/IF output | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GMR | Silicon Labs | MLP 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF), LEAD FREE SI4133 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GMR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:3 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP | на замовлення 1785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4133-D-GT | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:3 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 24-TSSOP PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4133-D-GT | Skyworks Solutions, Inc. | Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2/IF output | на замовлення 242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4133-D-GT | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/Dual-Band RF Synthesizer SI4133 кількість в упаковці: 62 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GT | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP | на замовлення 1736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4133-D-GTR | Skyworks Solutions | Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GTR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:3 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 24-TSSOP PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GTR | Skyworks Solutions, Inc. | Clock Generators & Support Products RF synthesizer with RF1/RF2/IF output | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133-D-GTR | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4133 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133-EVB | Skyworks Solutions Inc. | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4133 Packaging: Bulk For Use With/Related Products: SI4133 Frequency: 900MHz ~ 1.8GHz, 750MHz ~ 1.5GHz Type: Frequency Synthesizer Contents: Board(s) Utilized IC / Part: SI4133 Supplied Contents: Board(s) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133-EVB | Skyworks Solutions, Inc. | RF Development Tools | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133-EVB | Silicon Labs | SLLSI4133-EVB SI4133 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133-GM | на замовлення 460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4133B-BM | на замовлення 219 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| Si4133BM | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4133F-BMR | VISHAY | 03+ | на замовлення 2937 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133G-BM | SILICON | на замовлення 117 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4133G-BT | SILCON | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4133G-BTR | SILI | на замовлення 1540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4133G-XM2 | SILICON | на замовлення 72 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4133G-XM2R | SILICON | 2003 | на замовлення 1385 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133G-XMZ | на замовлення 546 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4133GBM | SILICON | на замовлення 117 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4133GBMR | SLAB | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4133GBT | SILICON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4133GM | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4133GM-EVB | Skyworks Solutions, Inc. | Mobile Development Tools Dual-Band GSM RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board, Not recommended for new designs, Recommended replacement is Si4133M-EVB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133GX2-BM | Silicon Labs | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tube Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -20°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:2 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133GX2M-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVAL DUAL-BAND GSM-HITACHI Packaging: Bulk For Use With/Related Products: SI4133GX2M Type: Synthesizer Contents: Board(s) Utilized IC / Part: SI4133GX2M Supplied Contents: Board(s) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133GXM2 | SILICON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4133M-EB | Skyworks Solutions, Inc. | RF Development Tools | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133M-EB | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC Packaging: Box For Use With/Related Products: SI4123 Type: Frequency Synthesizer Supplied Contents: Board(s) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133M-EVB | Silicon Labs | MLP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-MLP SI4133 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133M-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board MLP | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133M-EVB | Skyworks Solutions Inc. | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4133 Packaging: Bulk For Use With/Related Products: SI4133 Type: Synthesizer Supplied Contents: Board(s) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133M-EVB | Skyworks Solutions | Si4133-BM PLL Evaluation Board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133T-BM | Silicon Labs | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tube Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -20°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V Ratio - Input:Output: 1:2 Differential - Input:Output: No/Yes Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133T-BM | Silicon | 09+ | на замовлення 350018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133T-BMR | SILICON | 2004 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133T-GM | Silicon Labs | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tube Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 1.8GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -20°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V Ratio - Input:Output: 1:2 Differential - Input:Output: No/Yes Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133T-GM | на замовлення 53500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4133T-MB | VISHAY | 2004 | на замовлення 179 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133TBM | Silicon | 03+ | на замовлення 2066 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133W-BM | на замовлення 390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4133W-BMR | SILICON | 2002 | на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133W-D-GM | Silicon Labs | 0602 | на замовлення 78 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4133WM-EVB | Skyworks Solutions Inc. | Description: KIT EVAL FOR SI4133W-BM Packaging: Bulk For Use With/Related Products: SI4133W-BM Type: Synthesizer Supplied Contents: Board(s) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4134DY | на замовлення 163 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4134DY-T1 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V | на замовлення 3214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-E3 | VISHAY | 1027+ SOP8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 60045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 11760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-GE3 | Siliconix | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 14A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4134DY-T1-GE3 TSI4134dy кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 13914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 11760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V | на замовлення 2617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4134DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4134T-BM | Silicon Labs | Description: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4134T-BM | SILICON | QFN32 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4134T-BMR | SILICON | QFN | на замовлення 1776 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4134T-GM | Silicon Labs | Description: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4134T-GM | Silicon | 09+ | на замовлення 9018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4134T-GMR | SILICON | 04+ | на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136-BM | Silicon | 09+ | на замовлення 92 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136-BM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTH WLAN SAT/RADIO 28MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136-Bt | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTH RF1/RF2/IF 24TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136-Bt | на замовлення 62 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4136-EVB | Silicon Labs | TSSOP/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-TS SI4136 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136-EVB | Skyworks Solutions Inc. | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4136 Packaging: Bulk For Use With/Related Products: SI4136 Frequency: 2.3GHz ~ 2.5GHz, 2.025GHz ~ 2.3GHz Type: Frequency Synthesizer Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board TSSOP | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136-F-BM | Silicon Labs | Description: IC FREQUENCY SYNTH 28QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136-F-BT | Silicon Labs | Description: IC FREQUENCY SYNTH 24TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136-F-GM | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC FREQ SYNTH 28QFN Packaging: Tray Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 2.5GHz Type: Frequency Synthesizer Input: Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:3 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 28-QFN (5x5) PLL: Yes Divider/Multiplier: Yes/No Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136-F-GM | Silicon Labs | RF Wireless Misc RF synthesizer with 2.5 GHz/2.3 GHz/IF output | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136-F-GM | Silicon Labs | QFN 28/I°/WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) SI4136 кількість в упаковці: 490 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136-F-GMR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136-F-GMR | Silicon Labs | Clock Generators & Support Products WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF), lead free | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136-F-GMR | Silicon Labs | MLP 28/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136-F-GT | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136 кількість в упаковці: 62 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136-F-GT | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4136-F-GT | Silicon Labs | RF Wireless Misc RF Synthesizer with 2.5 GHz/2.3 GHz/IF output | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136-F-GTR | Skyworks Solutions Inc. | Description: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136-F-GTR | Silicon Labs | RF Wireless Misc WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF), lead free | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136-F-GTR | Silicon Labs | TSSOP 24/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136-GM | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4136-XM-GT | на замовлення 3848 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4136BM | на замовлення 154 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4136BT | SILICON | 09+ TSSOP24 | на замовлення 1002 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136DY | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4136DY-T1-E3 | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4136DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V | на замовлення 1581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4136DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 11151 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4136DY-T1-GE3 | на замовлення 2450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4136DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4136M-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4136 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136M-EVB | Silicon Labs | RF Development Tools WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136M-EVB | Silicon Labs | MLP/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-MLP SI4136 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4136XM-BT | SILICON | на замовлення 5998 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4136XM-BTR | на замовлення 652 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4136XM-GT | на замовлення 626 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4137-BM | 09+ | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4137BM | SILICON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4143DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8 | на замовлення 108035 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4143DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6630 @ 15, Qg, нКл = 167 @ 10 В, Rds = 6,2 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 426 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4143DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V | на замовлення 12630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4143DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 16912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4143DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4143DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4143DY-T1-GE3 | MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4143DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4143DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 16912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4148DY-T1 | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI415 | SIEMENS | 01+ SOP | на замовлення 1078 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4151DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4151DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 5.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00625ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 3553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4151DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4151DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4151DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 3553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4151DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4151DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4151DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs SO8 P-CH 30V 15.2A | на замовлення 7908 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4151DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4151DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4153-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-Ch Enh FET 20Vdss 6Vgss 0.9215A 150mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4153DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.3A (Ta), 19.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4153DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4153DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.3 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 5.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III Series productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4153DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 14.3A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4153DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4153DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.3 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4153DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.3A (Ta), 19.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V | на замовлення 9914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4153DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 14.3A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4153DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs SO8 P CHAN 30V | на замовлення 14340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4154DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4154DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4154DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4154DY-T1-GE3 Код товару: 184243
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4154DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4154DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 22941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4154DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 36 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4230 @ 20, Qg, нКл = 105 @ 10, Rds = 3,3 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 7,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: 10000 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 359 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4154DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4154DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4154DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4154DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V | на замовлення 11334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4154DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4154DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4154DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4155DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4155DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 3694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4155DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 13.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4155DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4155DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4155DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 3694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4155DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 13.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V | на замовлення 2554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4156DY-T1-E3 | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4156DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 56734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4156DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4156DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4156DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 24A 8SO Група товару: Транзистори Од. вим: шт | на замовлення 3 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4156DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4156DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | на замовлення 4627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4156DY-T1-GE3 | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4156DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4156DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4158DY-T1-E3 | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4158DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 36.5A 6.0W 2.5mohm @ 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4158DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8SO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4160DY-T1-E3 | на замовлення 87520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4160DY-T1-EG3 | на замовлення 110 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4160DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 14229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4160DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4160DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4160DY-T1-GE3 | Vishay | на замовлення 1640 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4160DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4160DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4160DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.7W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4160DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V | на замовлення 2494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4160DY-TI-GE3 | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4162DY-T1-E3 | на замовлення 87520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4162DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4162DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 7900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 69662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4162DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V | на замовлення 20884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4162DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4162DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4162DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 7900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) | на замовлення 69662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4162DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4162DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4162DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4162DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 9156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4164DY-T1 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4164DY-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4164DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Case: SO8 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 95nC On-state resistance: 3.9mΩ Power dissipation: 6W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 30A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 70A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4164DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4164DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4164DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 4918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4164DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4164DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4164DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 3200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4164DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4164DY-T1-GE3 Код товару: 186845
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності |
| |||||||||||||||||
| SI4164DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4164DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4166DY | на замовлення 29 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4166DY-T1 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4166DY-T1-E3 | на замовлення 87520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4166DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4166DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4166DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30.5 A, 0.0032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4166DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4166DY-T1-GE3 | на замовлення 2165 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4166DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V | на замовлення 7727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4166DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4166DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4166DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4166DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4166DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4168DY | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4168DY-T1-E3 | на замовлення 87520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4168DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4168DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4168DY-T1-GE3 | на замовлення 652 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4168DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4168DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4168DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4168DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 3262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4168DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V | на замовлення 26145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4168DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4168DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI417 | SIEMENS | 01+ SOP | на замовлення 159 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4170DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4170DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4170DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4170DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4172DT-T1-GE3 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4172DY | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4172DY-T1-E3 | на замовлення 87520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4172DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4172DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4172DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4172DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4172DY-T1-GE3 | на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4174DY-T1-E3 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4174DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4174DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4174DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4174DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4174DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4174DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 23147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4174DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V | на замовлення 9962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4174DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4174DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4174DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 6623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4176DY | на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4176DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4176DY-T1-E3 | на замовлення 87520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4176DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4176DY-T1-GE3 | на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4178DY | на замовлення 3310 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4178DY-T1-E3 | Vishay | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4178DY-T1-E3 | на замовлення 87520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4178DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4178DY-T1-GE3 | Siliconix | N-MOSFET 30V 12A 21mΩ 5W SI4178DY-T1-GE3 Vishay TSI4178dy кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4178DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4178DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4178DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4178DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4178DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4178DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4178DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4178DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4178DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.7A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 12nC | на замовлення 461 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4178DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4178DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V | на замовлення 9432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4178DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4178DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 25V Vgs SO-8 | на замовлення 17228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4186DY | на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4186DY-T1-E3 | на замовлення 35 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4186DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V | на замовлення 12485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4186DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4186DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4186DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4186DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4186DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 33613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4186DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4186DY-T1-GE3 | на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4186DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 35.8A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI419 | SI | SOP-8 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4190ADY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 9804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4190ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4190ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V | на замовлення 1826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4190ADY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4190ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 4534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4190ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4190ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4190ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4190ADY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4190ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 8800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 4534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4190ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4190ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| Si4190BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 8.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 50 V | на замовлення 7485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4190BDY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4190BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 7700 µohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 8.4W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 4461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4190BDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 17A T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| Si4190BDY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V | на замовлення 3201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| Si4190BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 8.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 50 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4190BDY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4190BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 7700 µohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 8.4W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 4461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| Si4190BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | N-Channel 100 V 12A (Ta), 17A (Tc) 3.8W (Ta), 8.4W (Tc) Surface Mount 8-SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4190DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4196DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4196DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4200 | SILICONE | QFN?? | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4200-BM | SI | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4200-BM | Silicon Labs | Description: IC TXRX TRI-BAND 32MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4200-BMR | SILICON | 03+ | на замовлення 1835 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4200-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVAL FOR SI4200 Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Si4200 Frequency: 850MHz, 900MHz, 1.8GHz Type: GPRS/GSM Supplied Contents: Board(s) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4200-GM | SILICON | QFN?? | на замовлення 2922 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4200-GM | Silicon Labs | Description: IC TXRX TRI-BAND 32MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4200-GMR | SILICON | 04+ | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI42000BW | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4200BM | SIL | QFN | на замовлення 1270 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4200DB-BM | Silicon | 09+ | на замовлення 5718 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4200DB-BMR | SI | на замовлення 1573 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4200DB-BRM | SAGEM | 04+ | на замовлення 3298 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4200DB-GMR | SILICON | 06+ | на замовлення 357 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4200DY-T1-E3 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4200DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4200DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 25 Volts 8 Amps 2.8 Watts | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4200DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4201-BM | Silicon | 09+ | на замовлення 440018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4201-BM | Silicon Labs | Description: IC UNVRSL BASEBAND INTRFC 20QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4201-BMR | VISHAY | 03+ | на замовлення 2596 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4201-GM | Silicon Labs | Description: IC UNVRSL BASEBAND INTRFC 20QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4201-GMR | SIICON | 2004PB | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| si4201bm | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| Si4202DY-T1-E3 | на замовлення 87520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4202DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4202DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4202DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4202DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | на замовлення 4846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4202DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4202DY-T1-GE3 | Vishay | MOSFET DUAL N-CH 20V (D-S), SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4202DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4202DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 5111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4202DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | на замовлення 4700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4202DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4204 | на замовлення 371 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| Si4204DY-T1-E3 | на замовлення 87520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4204DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4204DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 19.8A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4204DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4204DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 19.8 A, 19.8 A, 3800 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 19.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 19.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3800µohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3800µohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 7936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4204DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 19546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4204DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 19.8A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4204DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 10390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4205 | SILICON | 2007; | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4205-BM | SILICON | QFN | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4205-BM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX CELLULAR 32LFLGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4205-BMR | SILICON | 04+ | на замовлення 32432 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4205-EVB+F19 | Silicon Labs | Description: BOARD EVAL FOR SI4205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4205BM | SILICON | 0539 | на замовлення 332 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4206 | SILICON | QFN? | на замовлення 2776 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4206-BM | SILICONE | QFN?? | на замовлення 588 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4206-BM | Silicon Labs | Description: IC TXRX TRI-BAND W/DCXO 32LGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4206-BM LGA-32 | SILICON | 0541 | на замовлення 34 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4206-BMLGA-32 | на замовлення 34 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4206-BMR | SILICON | 09+ | на замовлення 20018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4206-BWR | SILICON | 09+ | на замовлення 870 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4206-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVAL FOR SI4206 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4206BM | SILICON | на замовлення 191 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4206BMR | на замовлення 7420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4208 | SILICONE | QFN?? | на замовлення 341 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4208-A-GMR | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4208C-GM | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4208GM | на замовлення 1439 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4209 | QFN?? | на замовлення 3257 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4209-A-GMR | SILICON | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4209C-GM | на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4210 | SILICON | 2007; | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4210-A-IF-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD INTERFACE FOR SI4210 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4210-B072-GMR | SILLCON | 0442+ | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4210-C-GMR | SI | QFN | на замовлення 410 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| Si4210-D-GM | Silicon Labs | Description: IC TXRX QUAD-BAND 32QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| Si4210-D-GM | VIS | 06+ QFN | на замовлення 1900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4210-D-GMR | SILICON | 06NOPB | на замовлення 11262 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4210-E-KT-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EMULATION FOR SI4210 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4210-E-RF-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4210 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4210-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4210 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4210-G-KT-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EMULATION FOR SI4210 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4210-G-RF-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD RADIO FOR SI4210,SI4300 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4210-GM | Silicon | 09+ | на замовлення 1740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4210-T-IF-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD RADIO INTRFC FOR SI4210 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4210-X-BO-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD BREAKOUT FOR SI4210 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4210?C-GMR | SILICON | QFN?? | на замовлення 739 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| Si4210DY-T1-E3 | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4210DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4210DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 6.5A 2.7W 35.5mohm @ 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4210DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4210DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4210GM | SILICON | на замовлення 1417 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4212-B-GM | Silicon Labs | Description: IC TXRX MULTI-BAND 36QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4212-RKDA-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EMULATION FOR SI4212 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4212-RRDA-EVB | Silicon Labs | Description: BOARD EVALUATION FOR SI4212 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4212-TKDX-EVB | Silicon Labs | Description: KIT EVAL TXRX FOR SI4212 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4212-TRDX-EVB | Silicon Labs | Description: KIT EVAL DAUGHT CARD FOR SI4212 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4213-AO | Silicon | 09+ | на замовлення 84 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4213AO | SILICON | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| Si4214DDY-T1-E3 | на замовлення 8200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| Si4214DDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 1122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| Si4214DDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 15031 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| Si4214DDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| Si4214DDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 7870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4214DDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |