на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 54.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4401BDY-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V.
Інші пропозиції SI4401BDY-T1-GE3 за ціною від 49.95 грн до 214.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4401BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI4401BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4401BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4401BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4401BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4401BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4401BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V |
на замовлення 9472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI4401BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V 10.5A 2.9W 14mohm @ 10V |
на замовлення 10127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4401BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
SI4401BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
SI4401BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -8.3A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 2.9W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
SI4401BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -8.3A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 2.9W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |