Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4401BDY-T1-GE3
SI4401BDY-T1-GE3

SI4401BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4401bd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+56.99 грн
5000+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4401BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V.

Інші пропозиції SI4401BDY-T1-GE3 за ціною від 56.69 грн до 251.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4401BDY-T1-GE3 SI4401BDY-T1-GE3 Vishay si4401bd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+160.71 грн
127+110.79 грн
500+89.72 грн
2500+85.64 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3 SI4401BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4401bd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
на замовлення 9472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.89 грн
10+118.52 грн
100+81.39 грн
500+61.48 грн
1000+56.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3 SI4401BDY-T1-GE3 Vishay si4401bd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.38 грн
10+159.72 грн
100+110.10 грн
500+85.97 грн
2500+78.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3 SI4401BDY-T1-GE3 Vishay si4401bd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+251.01 грн
87+162.03 грн
100+147.05 грн
200+104.77 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3 SI4401BDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4401bd.pdf MOSFETs 40V 10.5A 2.9W 14mohm @ 10V
на замовлення 9321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3 si4401bd.pdf
SI4401BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
88+160.71 грн
127+110.79 грн
500+89.72 грн
2500+85.64 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3 si4401bd.pdf
SI4401BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
на замовлення 9472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+190.89 грн
10+118.52 грн
100+81.39 грн
500+61.48 грн
1000+56.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3 si4401bd.pdf
SI4401BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+245.38 грн
10+159.72 грн
100+110.10 грн
500+85.97 грн
2500+78.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3 si4401bd.pdf
SI4401BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+251.01 грн
87+162.03 грн
100+147.05 грн
200+104.77 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-GE3 si4401bd.pdf
SI4401BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V 10.5A 2.9W 14mohm @ 10V
на замовлення 9321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.