Продукція > VISHAY > SI4401BDY-T1-E3
SI4401BDY-T1-E3

SI4401BDY-T1-E3 Vishay

si4401bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4401BDY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V.

Інші пропозиції SI4401BDY-T1-E3 за ціною від 57.21 грн до 230.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4401bd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+57.79 грн
5000+57.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4401bd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+64.02 грн
5000+63.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4401bd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+68.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4401bd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+71.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4401bd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+73.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4401bd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
151+80.92 грн
Мінімальне замовлення: 151
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4401bdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.3A; 2.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Power dissipation: 2.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.66 грн
13+72.04 грн
35+68.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4401bd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+105.24 грн
10+88.72 грн
25+88.23 грн
100+81.93 грн
250+72.93 грн
500+67.21 грн
1000+64.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4401bdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.3A; 2.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Power dissipation: 2.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.81 грн
5+111.73 грн
13+86.44 грн
35+81.84 грн
500+79.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4401bd.pdf MOSFETs 40V 10.5A 0.014Ohm
на замовлення 12507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.22 грн
10+114.21 грн
100+80.19 грн
250+79.45 грн
500+65.55 грн
1000+62.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4401bd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
на замовлення 10685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.78 грн
10+144.22 грн
100+99.94 грн
500+76.02 грн
1000+70.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.