Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4401BDY-T1-E3
SI4401BDY-T1-E3

SI4401BDY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4401bd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+71.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4401BDY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V.

Інші пропозиції SI4401BDY-T1-E3 за ціною від 59.99 грн до 229.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 VISHAY si4401bdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4401bd.pdf MOSFETs 40V 10.5A 0.014Ohm
на замовлення 12507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.07 грн
10+109.18 грн
100+76.65 грн
250+75.95 грн
500+62.66 грн
1000+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4401bd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.44 грн
10+143.38 грн
100+99.35 грн
500+75.58 грн
1000+69.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDYT1E3 VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 si4401bdy.pdf
SI4401BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+91.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 si4401bd.pdf
SI4401BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V 10.5A 0.014Ohm
на замовлення 12507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+155.07 грн
10+109.18 грн
100+76.65 грн
250+75.95 грн
500+62.66 грн
1000+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 si4401bd.pdf
SI4401BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+229.44 грн
10+143.38 грн
100+99.35 грн
500+75.58 грн
1000+69.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.