Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4401BDY-T1-E3
SI4401BDY-T1-E3

SI4401BDY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4401bd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+69.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4401BDY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V.

Інші пропозиції SI4401BDY-T1-E3 за ціною від 58.51 грн до 223.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4401bd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
137+93.90 грн
139+92.45 грн
142+91.01 грн
144+86.36 грн
146+78.66 грн
250+74.27 грн
500+73.03 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4401bd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+100.61 грн
10+99.06 грн
25+97.51 грн
50+92.53 грн
100+84.28 грн
250+79.58 грн
500+78.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4401bd.pdf MOSFETs 40V 10.5A 0.014Ohm
на замовлення 12507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.26 грн
10+106.50 грн
100+74.77 грн
250+74.09 грн
500+61.12 грн
1000+58.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4401bd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
на замовлення 10685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.80 грн
10+139.86 грн
100+96.91 грн
500+73.72 грн
1000+68.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4401bd.pdf SI4401BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.66 грн
13+94.13 грн
34+88.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.