Продукція > VISHAY > SI4401DDY-T1-GE3

SI4401DDY-T1-GE3 Vishay

Name: SI4401DDY-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 266541-7
Price: 16.12 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	16.12 грн

Мінімальне замовлення: 2500

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI4401DDY-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SI4401DDY-T1-GE3 за ціною від 17.83 грн до 68.68 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	18.84 грн
5000+	18.01 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	20.3 грн
5000+	19.4 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	21.12 грн
5000+	19.26 грн
12500+	17.84 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	22.16 грн
5000+	20.79 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	25.67 грн
5000+	23.46 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A; 4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 3504 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
13+	29.96 грн
25+	25.11 грн
43+	19.12 грн
116+	18.08 грн

Мінімальне замовлення: 13

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	31.08 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	32.42 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 3504 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
8+	35.95 грн
25+	31.28 грн
43+	22.95 грн
116+	21.7 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 220000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	37.33 грн
55000+	34.12 грн
110000+	31.74 грн
165000+	28.87 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 212500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	37.33 грн
52500+	34.12 грн
105000+	31.74 грн
157500+	28.87 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	38.97 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V

на замовлення 18406 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	55.61 грн
10+	46.39 грн
100+	32.11 грн
500+	25.17 грн
1000+	21.43 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 116 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
10+	58.77 грн
12+	50.57 грн
25+	49.58 грн
100+	20.63 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 26038 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	60.13 грн
10+	50.75 грн
100+	26.84 грн
500+	23.43 грн
1000+	20.83 грн
2500+	18.16 грн
5000+	17.83 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0002474104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI4401DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16.1 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm

на замовлення 55671 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
11+	68.68 грн
13+	57.89 грн
100+	38.57 грн
500+	29.07 грн
1000+	26.38 грн
5000+	25.87 грн

Мінімальне замовлення: 11

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 116 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Siliconix

P-MOSFET 40V 16.1A 15mΩ 6.3W SI4401DDY-T1-GE3 Vishay TSI4401ddy
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
20+	42.34 грн

Мінімальне замовлення: 20

SI4401DDY-T1-GE3

на замовлення 330000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)