Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4401DDY-T1-GE3
SI4401DDY-T1-GE3

SI4401DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4401dd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+26.11 грн
7500+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4401DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4401DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16.1 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 6.3W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.

Інші пропозиції SI4401DDY-T1-GE3 за ціною від 22.07 грн до 114.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 Vishay si4401dd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 Vishay si4401dd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 Vishay si4401dd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 Vishay si4401dd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.36 грн
5000+31.80 грн
7500+30.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 Vishay si4401dd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.36 грн
5000+31.80 грн
7500+30.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 Vishay si4401dd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 Vishay si4401dd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+89.82 грн
242+60.70 грн
500+45.66 грн
1000+38.76 грн
2500+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4401dd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V
на замовлення 13696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.43 грн
10+57.16 грн
50+42.47 грн
100+35.38 грн
500+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 VISHAY si4401dd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 4W
Gate charge: 95nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -16.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 15mΩ
на замовлення 5635 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.75 грн
10+57.39 грн
42+23.35 грн
115+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4401dd.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 11912 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+114.99 грн
10+70.26 грн
100+40.25 грн
500+31.60 грн
1000+27.01 грн
2500+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4401DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16.1 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 6.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 41994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 Vishay si4401dd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
SI4401DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
SI4401DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
SI4401DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
SI4401DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.36 грн
5000+31.80 грн
7500+30.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
SI4401DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.36 грн
5000+31.80 грн
7500+30.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
SI4401DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
SI4401DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
164+89.82 грн
242+60.70 грн
500+45.66 грн
1000+38.76 грн
2500+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
SI4401DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V
на замовлення 13696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.43 грн
10+57.16 грн
50+42.47 грн
100+35.38 грн
500+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
SI4401DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 4W
Gate charge: 95nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -16.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 15mΩ
на замовлення 5635 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+98.75 грн
10+57.39 грн
42+23.35 грн
115+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
SI4401DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 11912 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.99 грн
10+70.26 грн
100+40.25 грн
500+31.60 грн
1000+27.01 грн
2500+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 VISH-S-A0002474104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4401DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4401DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16.1 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 6.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 41994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
SI4401DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.