SI4401DDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 16879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.23 грн |
| 10+ | 50.65 грн |
| 100+ | 32.29 грн |
| 500+ | 27.21 грн |
| 1000+ | 24.38 грн |
| 2500+ | 20.10 грн |
| 5000+ | 19.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4401DDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI4401DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16.1 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI4401DDY-T1-GE3 за ціною від 19.65 грн до 92.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4401DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A; 4W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -16.1A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4401DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V |
на замовлення 728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4401DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4401DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16.1 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 49925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4401DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A; 4W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -16.1A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1488 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4401DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| SI4401DDY-T1-GE3 | Виробник : Siliconix |
P-MOSFET 40V 16.1A 15mΩ 6.3W SI4401DDY-T1-GE3 Vishay TSI4401ddy кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI4401DDY-T1-GE3 |
|
на замовлення 330000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SI4401DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI4401DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI4401DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |