Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4401FDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0142 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 5W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm.
Інші пропозиції SI4401FDY-T1-GE3 за ціною від 24.03 грн до 105.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4401FDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V |
на замовлення 42500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI4401FDY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI4401FDY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI4401FDY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI4401FDY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI4401FDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A Mounting: SMD Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 3.2W Gate charge: 31nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: -11A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -40V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: SO8 On-state resistance: 18.3mΩ |
на замовлення 1351 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI4401FDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V |
на замовлення 42986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI4401FDY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 25441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SI4401FDY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0142 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 5W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm |
на замовлення 243459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI4401FDY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0142 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 5W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm |
на замовлення 245950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI4401FDY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0142 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 5W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm |
на замовлення 52500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI4401FDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
Description: MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 28.07 грн |
| 7500+ | 24.03 грн |
| SI4401FDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 29.15 грн |
| 5000+ | 28.49 грн |
| SI4401FDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 29.17 грн |
| 5000+ | 28.51 грн |
| SI4401FDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 47.01 грн |
| SI4401FDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 48.71 грн |
| SI4401FDY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 3.2W
Gate charge: 31nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 18.3mΩ
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 3.2W
Gate charge: 31nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 18.3mΩ
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 99.15 грн |
| 6+ | 72.81 грн |
| 10+ | 63.43 грн |
| 100+ | 39.53 грн |
| 500+ | 30.66 грн |
| SI4401FDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
Description: MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 42986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 105.78 грн |
| 10+ | 64.01 грн |
| 50+ | 47.72 грн |
| 100+ | 39.86 грн |
| 500+ | 31.18 грн |
| SI4401FDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 25441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI4401FDY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0142 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
Description: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0142 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
на замовлення 243459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4401FDY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0142 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
Description: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0142 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
на замовлення 245950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4401FDY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0142 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
Description: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0142 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)