Продукція > VISHAY > SI4401FDY-T1-GE3
SI4401FDY-T1-GE3

SI4401FDY-T1-GE3 Vishay

doc75996.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4401FDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0118 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4401FDY-T1-GE3 за ціною від 19.56 грн до 98.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4401fdy.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4401fdy.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.92 грн
5000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4401fdy.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.68 грн
5000+22.85 грн
7500+21.89 грн
12500+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4401fdy.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.67 грн
5000+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4401fdy.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010065323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0118 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 59853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.14 грн
500+29.08 грн
1000+23.94 грн
5000+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB1FA66E13340D5&compId=si4401fdy.pdf?ci_sign=0d9a449bfba9d1cd0f4ac54484f4d21538097463 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+62.64 грн
9+45.59 грн
25+41.03 грн
30+31.36 грн
81+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB1FA66E13340D5&compId=si4401fdy.pdf?ci_sign=0d9a449bfba9d1cd0f4ac54484f4d21538097463 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.17 грн
6+56.81 грн
25+49.24 грн
30+37.64 грн
81+35.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010065323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0118 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 59853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+77.37 грн
16+55.79 грн
100+41.14 грн
500+29.08 грн
1000+23.94 грн
5000+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si4401fdy.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 8004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.29 грн
10+57.80 грн
25+50.18 грн
100+37.05 грн
500+29.35 грн
1000+26.18 грн
2500+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4401fdy.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 43453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.77 грн
10+59.50 грн
100+39.26 грн
500+28.68 грн
1000+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4401fdy.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4401fdy.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.