на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 24.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4401FDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0142 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI4401FDY-T1-GE3 за ціною від 19.01 грн до 109.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4401FDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4401FDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4401FDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4401FDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0142 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 56646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4401FDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4401FDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4401FDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 25441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4401FDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V |
на замовлення 1236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4401FDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4401FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0142 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 56076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI4401FDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI4401FDY-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 1964 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
SI4401FDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI4401FDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI4401FDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |