на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 20.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4403CDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4403CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.4 A, 0.0155 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI4403CDY-T1-GE3 за ціною від 17.11 грн до 96.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4403CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4403CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4403CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4403CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4403CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4403CDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4403CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.4 A, 0.0155 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 19044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4403CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V |
на замовлення 15918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4403CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 1.8V P-Channel |
на замовлення 44135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4403CDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4403CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.4 A, 0.0155 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 19044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI4403CDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI4403CDY-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 2097 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SI4403CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |