Продукція > VISHAY > SI4403CDY-T1-GE3
SI4403CDY-T1-GE3

SI4403CDY-T1-GE3 Vishay

si4403cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4403CDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4403CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.4 A, 0.0155 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4403CDY-T1-GE3 за ціною від 16.14 грн до 91.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4403cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.28 грн
5000+18.91 грн
7500+18.10 грн
12500+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4403cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4403cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4403cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4403cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474121-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4403CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.4 A, 0.0155 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.24 грн
500+29.96 грн
1000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4403cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+48.27 грн
11+36.72 грн
12+33.89 грн
25+32.55 грн
100+29.09 грн
250+28.39 грн
500+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4403cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.92 грн
7+45.76 грн
10+40.67 грн
25+39.07 грн
100+34.91 грн
250+34.06 грн
500+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4403cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
на замовлення 15918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.48 грн
10+49.85 грн
100+32.77 грн
500+23.86 грн
1000+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4403cd.pdf MOSFETs 1.8V P-Channel
на замовлення 44406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.11 грн
10+54.35 грн
100+31.10 грн
500+24.38 грн
1000+21.97 грн
2500+21.89 грн
5000+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474121-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4403CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.4 A, 0.0155 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.46 грн
50+62.58 грн
100+41.24 грн
500+29.96 грн
1000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4403cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.