Продукція > VISHAY > SI4403CDY-T1-GE3
SI4403CDY-T1-GE3

SI4403CDY-T1-GE3 Vishay

si4403cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4403CDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4403CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.4 A, 0.0155 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4403CDY-T1-GE3 за ціною від 17.86 грн до 91.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4403cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.99 грн
5000+18.65 грн
7500+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4403cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4403cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4403cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4403cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474121-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4403CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.4 A, 0.0155 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.23 грн
500+29.95 грн
1000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4403cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -40A
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+52.48 грн
10+39.54 грн
11+36.55 грн
25+35.06 грн
30+30.97 грн
83+29.24 грн
500+29.16 грн
1000+28.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4403cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.98 грн
6+49.27 грн
10+43.86 грн
25+42.07 грн
30+37.16 грн
83+35.09 грн
500+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4403cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
на замовлення 8439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.55 грн
10+49.21 грн
100+32.32 грн
500+23.53 грн
1000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4403cd.pdf MOSFETs 1.8V P-Channel
на замовлення 44604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.29 грн
10+54.32 грн
100+31.09 грн
500+24.37 грн
1000+21.96 грн
2500+21.88 грн
5000+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474121-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4403CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.4 A, 0.0155 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.42 грн
50+62.56 грн
100+41.23 грн
500+29.95 грн
1000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4403cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.