SI4403DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 11.94 грн |
| 5000+ | 11.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4403DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI4403DDY-T1-GE3 за ціною від 9.51 грн до 73.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4403DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4403DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4403DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4403DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4403DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4403DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SO-8 |
на замовлення 24100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4403DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V |
на замовлення 5171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI4403DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI4403DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 1825 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SI4403DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |