Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4403DDY-T1-GE3
SI4403DDY-T1-GE3

SI4403DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4403ddy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
на замовлення 8940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+10.33 грн
5000+ 9.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4403DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI4403DDY-T1-GE3 за ціною від 8.92 грн до 63.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4403ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4403ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4403ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4403ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
474+24.72 грн
621+ 18.85 грн
760+ 15.41 грн
1000+ 12.31 грн
2500+ 10 грн
Мінімальне замовлення: 474
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4403ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+25.48 грн
26+ 22.95 грн
100+ 17.51 грн
500+ 13.8 грн
1000+ 10.59 грн
2500+ 8.92 грн
Мінімальне замовлення: 23
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4403ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
на замовлення 9907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.33 грн
12+ 25.24 грн
100+ 17.54 грн
500+ 12.85 грн
1000+ 10.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI4403DDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+53.17 грн
13+ 28.23 грн
25+ 24.9 грн
38+ 21.61 грн
103+ 20.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI4403DDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.81 грн
8+ 35.18 грн
25+ 29.88 грн
38+ 25.94 грн
103+ 24.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si4403ddy-1765335.pdf MOSFET -20V Vds 8V Vgs SO-8
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)