SI4403DDY-T1-GE3

SI4403DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix


si4403ddy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.37 грн
5000+10.89 грн
7500+10.36 грн
12500+9.18 грн
17500+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4403DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4403DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15.4 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4403DDY-T1-GE3 за ціною від 10.00 грн до 50.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4403ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
668+18.54 грн
794+15.60 грн
904+13.71 грн
1000+12.24 грн
2500+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 668
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4403ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay doc70094.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay doc70094.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4403ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+22.51 грн
36+19.87 грн
100+16.72 грн
500+14.16 грн
1000+12.14 грн
2500+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4403DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15.4 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.99 грн
500+16.94 грн
1000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4403ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
474+26.15 грн
621+19.94 грн
760+16.30 грн
1000+13.03 грн
2500+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 474
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4403ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si4403ddy.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SO-8
на замовлення 24100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.13 грн
11+32.06 грн
100+19.47 грн
500+15.20 грн
1000+12.37 грн
2500+10.46 грн
10000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF912403A0190143&compId=SI4403DDY.pdf?ci_sign=9fd5356a56ecba7cf116a550ac8e8eb74a624380 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.26 грн
16+25.93 грн
38+24.74 грн
100+23.63 грн
104+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4403ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
на замовлення 22006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.43 грн
11+30.79 грн
100+19.83 грн
500+14.17 грн
1000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF912403A0190143&compId=SI4403DDY.pdf?ci_sign=9fd5356a56ecba7cf116a550ac8e8eb74a624380 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.32 грн
10+32.32 грн
38+29.69 грн
100+28.35 грн
104+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4403DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15.4 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+50.12 грн
24+36.58 грн
100+23.99 грн
500+16.94 грн
1000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.