SI4420BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4420BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI4420BDY-T1-E3 за ціною від 32.70 грн до 112.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4420BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4420BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 13.5A 0.0085Ohm |
на замовлення 7327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI4420BDYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI4420BDY-T1-E3 | VISHAY |
09+ |
на замовлення 2518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4420BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.84 грн |
| 10+ | 69.03 грн |
| 100+ | 57.95 грн |
| 500+ | 53.83 грн |
| 1000+ | 53.26 грн |
| SI4420BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 13.5A 0.0085Ohm
MOSFETs 30V 13.5A 0.0085Ohm
на замовлення 7327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 112.65 грн |
| 10+ | 73.92 грн |
| 100+ | 52.93 грн |
| 500+ | 52.65 грн |
| 1000+ | 52.02 грн |
| 2500+ | 32.70 грн |
| SI4420BDYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| SI4420BDY-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
09+
09+
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)