Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4420BDY-T1-E3
SI4420BDY-T1-E3

SI4420BDY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4420bd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4420BDY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI4420BDY-T1-E3 за ціною від 31.83 грн до 109.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4420BDY-T1-E3 SI4420BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4420bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 3618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.96 грн
10+67.18 грн
100+56.41 грн
500+52.40 грн
1000+51.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-E3 SI4420BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4420bd.pdf MOSFETs 30V 13.5A 0.0085Ohm
на замовлення 7327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.64 грн
10+71.95 грн
100+51.52 грн
500+51.24 грн
1000+50.63 грн
2500+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4420bd.pdf 09+
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4420bd.pdf 09+ QFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-E3 SI4420BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4420bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.