на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 59.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4421DY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI4421DY-T1-E3 за ціною від 62.77 грн до 250.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4421DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4421DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4421DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4421DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4421DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4421DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20 Volt 14 Amp |
на замовлення 5783 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4421DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V |
на замовлення 8798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI4421DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| SI4421DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI4421DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -40A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -14A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 125nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SI4421DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -40A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -14A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 125nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
товару немає в наявності |