Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4421DY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI4421DY-T1-E3 за ціною від 71.84 грн до 234.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4421DY-T1-E3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4421DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4421DY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4421DY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4421DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Packaging: Cut Tape (CT) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
на замовлення 8798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4421DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET 20 Volt 14 Amp |
на замовлення 5783 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4421DY-T1-E3 | VISHAY |
|
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI4421DYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4421DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 72.46 грн |
| SI4421DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 73.39 грн |
| SI4421DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 124.71 грн |
| 10+ | 97.21 грн |
| 25+ | 96.18 грн |
| 50+ | 92.72 грн |
| 100+ | 85.82 грн |
| 250+ | 82.36 грн |
| SI4421DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 113+ | 124.71 грн |
| 145+ | 97.21 грн |
| 147+ | 85.82 грн |
| 250+ | 82.36 грн |
| SI4421DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
на замовлення 8798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 234.77 грн |
| 10+ | 146.98 грн |
| 100+ | 101.98 грн |
| 500+ | 77.64 грн |
| 1000+ | 71.84 грн |
| SI4421DY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 20 Volt 14 Amp
MOSFET 20 Volt 14 Amp
на замовлення 5783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI4421DY-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| SI4421DYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)