Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4421DY-T1-GE3
SI4421DY-T1-GE3

SI4421DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4421dy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4421DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI4421DY-T1-GE3 за ціною від 71.14 грн до 242.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4421DY-T1-GE3 SI4421DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4421dy.pdf MOSFETs 20V 14A 3.0W 8.75mohm @ 4.5V
на замовлення 12049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.89 грн
10+109.98 грн
100+75.78 грн
500+71.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-GE3 SI4421DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4421dy.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
на замовлення 13609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.72 грн
10+151.96 грн
100+105.44 грн
500+80.27 грн
1000+74.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-GE3 SI4421DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4421dy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4421dy.pdf SI4421DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.