на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 211.54 грн |
| 10+ | 173.48 грн |
| 100+ | 120.37 грн |
| 250+ | 111.23 грн |
| 500+ | 100.57 грн |
| 1000+ | 86.09 грн |
| 2500+ | 81.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4423DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -14A, Power dissipation: 3W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 11.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 175nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: -50A.
Інші пропозиції SI4423DY-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4423DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC |
товару немає в наявності |
|
| SI4423DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -14A Power dissipation: 3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 175nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -50A |
товару немає в наявності |