
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 209.53 грн |
10+ | 171.82 грн |
100+ | 119.23 грн |
250+ | 110.17 грн |
500+ | 99.61 грн |
1000+ | 85.27 грн |
2500+ | 80.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4423DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -14A, Pulsed drain current: -50A, Power dissipation: 3W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 11.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 175nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції SI4423DY-T1-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
SI4423DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -14A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 175nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||
![]() |
SI4423DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товару немає в наявності |
|
SI4423DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -14A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 175nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |