SI4423DY-T1-GE3

SI4423DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix


si4423dy.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 20V 14A 3.0W 7.5mohm @ 4.5V
на замовлення 2442 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.53 грн
10+171.82 грн
100+119.23 грн
250+110.17 грн
500+99.61 грн
1000+85.27 грн
2500+80.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4423DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -14A, Pulsed drain current: -50A, Power dissipation: 3W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 11.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 175nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 2500 шт.

Інші пропозиції SI4423DY-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4423DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4423dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-GE3 SI4423DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4423dy.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4423dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -14A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.