Продукція > VISHAY > SI4425BDY-T1-GE3
SI4425BDY-T1-GE3

SI4425BDY-T1-GE3 Vishay

si4425bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+57.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4425BDY-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI4425BDY-T1-GE3 за ціною від 52.43 грн до 203.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4425BDY-T1-GE3 SI4425BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4425bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+61.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3 SI4425BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si4425bd.pdf MOSFET 30V 11.4A 2.5W 12mohm @ 10V
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.90 грн
10+104.85 грн
100+64.43 грн
500+54.63 грн
1000+52.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3 SI4425BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4425bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.83 грн
10+126.56 грн
100+86.91 грн
500+65.65 грн
1000+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3 SI4425BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay 72000.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4425bd.pdf SI4425BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3 SI4425BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4425bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.