SI4425DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 18.97 грн |
| 5000+ | 18.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4425DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4425DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.7 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI4425DDY-T1-GE3 за ціною від 17.63 грн до 62.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V |
на замовлення 99577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 9897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 16273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4425DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.7 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 5537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4425DDY-T1-GE3 Код товару: 179533
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |