на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 21.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4425DDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4425DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.7 A, 0.0081 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI4425DDY-T1-GE3 за ціною від 21.14 грн до 92.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V |
на замовлення 97500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 16373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V |
на замовлення 101317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4425DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.7 A, 0.0081 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 3078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 11872 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -15.7A Power dissipation: 3.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -15.7A Power dissipation: 3.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3930 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI4425DDY-T1-GE3 Код товару: 179533
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
SI4425DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |