Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4425DDY-T1-GE3

SI4425DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI4425DDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 2622187-3
Price: 50650.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V

на замовлення 97500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	20.26 грн
5000+	19.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI4425DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4425DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.7 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4425DDY-T1-GE3 за ціною від 19.59 грн до 66.94 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI4425DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	21.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4425DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	23.50 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4425DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	24.30 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4425DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	24.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4425DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	25.18 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4425DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	25.87 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4425DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	40.58 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4425DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	44.86 грн
10000+	40.98 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4425DDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90B8DB544A4143&compId=SI4425DDY.pdf?ci_sign=4ca0d5ee73aa4e0b86d6ab4403edb62cdb9017db

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 2697 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	48.73 грн
10+	40.56 грн
100+	30.96 грн
500+	23.42 грн
1000+	21.83 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SI4425DDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 2697 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	58.47 грн
10+	50.55 грн
100+	37.15 грн
500+	28.10 грн
1000+	26.20 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SI4425DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V

на замовлення 99577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	59.35 грн
10+	54.46 грн
100+	36.38 грн
500+	26.60 грн
1000+	24.17 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SI4425DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 16273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
209+	59.98 грн
218+	57.48 грн
500+	55.73 грн

Мінімальне замовлення: 209

В кошику од. на суму грн.

SI4425DDY-T1-GE3
Код товару: 179533

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4425DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 9897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	63.48 грн
10+	59.86 грн
100+	34.75 грн
500+	27.43 грн
1000+	24.77 грн
2500+	19.59 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SI4425DDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0002474600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI4425DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.7 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
13+	66.94 грн
14+	64.20 грн
100+	44.28 грн
500+	32.55 грн
1000+	27.11 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SI4425DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.