Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4425DDY-T1-GE3
SI4425DDY-T1-GE3

SI4425DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4425ddy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.26 грн
5000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4425DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4425DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.7 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4425DDY-T1-GE3 за ціною від 19.58 грн до 66.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4425ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4425ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4425ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4425ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4425ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4425ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4425ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.33 грн
10000+40.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4425ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
249+49.72 грн
258+47.99 грн
500+44.21 грн
Мінімальне замовлення: 249
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90B8DB544A4143&compId=SI4425DDY.pdf?ci_sign=4ca0d5ee73aa4e0b86d6ab4403edb62cdb9017db Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 3.6W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+52.99 грн
10+43.81 грн
39+24.05 грн
108+22.70 грн
1000+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4425ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
на замовлення 99577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.34 грн
10+54.44 грн
100+36.37 грн
500+26.59 грн
1000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4425ddy.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 9957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.15 грн
10+57.83 грн
100+34.74 грн
500+27.43 грн
1000+24.76 грн
2500+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90B8DB544A4143&compId=SI4425DDY.pdf?ci_sign=4ca0d5ee73aa4e0b86d6ab4403edb62cdb9017db Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 3.6W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.59 грн
10+54.59 грн
39+28.86 грн
108+27.24 грн
1000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4425DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.7 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+66.92 грн
14+64.18 грн
100+44.27 грн
500+32.54 грн
1000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3
Код товару: 179533
Додати до обраних Обраний товар

si4425ddy.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4425ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.