Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4425FDY-T1-GE3
SI4425FDY-T1-GE3

SI4425FDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4425fdy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.04 грн
10+52.15 грн
50+38.60 грн
100+32.13 грн
500+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4425FDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 18.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 4.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI4425FDY-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4425FDY-T1-GE3 SI4425FDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix si4425fdy.pdf MOSFETs SO8 P-CH 30V 12.7A
на замовлення 60404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425FDY-T1-GE3 SI4425FDY-T1-GE3 VISHAY si4425fdy.pdf Description: VISHAY - SI4425FDY-T1-GE3 - P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 42AJ0614
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 4.8W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425FDY-T1-GE3 si4425fdy.pdf
SI4425FDY-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SO8 P-CH 30V 12.7A
на замовлення 60404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425FDY-T1-GE3 si4425fdy.pdf
SI4425FDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4425FDY-T1-GE3 - P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 42AJ0614
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 4.8W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.