SI4427BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 42.21 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4427BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI4427BDY-T1-E3 за ціною від 41.16 грн до 125.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4427BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V |
на замовлення 2508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI4427BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 13.3A 3W |
на замовлення 4159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI4427BDYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4427BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 125.81 грн |
| 10+ | 82.12 грн |
| 100+ | 58.06 грн |
| 500+ | 44.44 грн |
| 1000+ | 41.16 грн |
| SI4427BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 13.3A 3W
MOSFETs 30V 13.3A 3W
на замовлення 4159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI4427BDYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)