SI4427BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4427BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI4427BDY-T1-E3 за ціною від 41.63 грн до 147.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4427BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SI4427BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 13.3A 3W |
на замовлення 4159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| SI4427BDY-T1-E3 | VISHAY |
|
на замовлення 51800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| SI4427BDYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4427BDY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.26 грн |
| 10+ | 83.06 грн |
| 100+ | 58.72 грн |
| 500+ | 44.95 грн |
| 1000+ | 41.63 грн |
| SI4427BDY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 13.3A 3W
MOSFETs 30V 13.3A 3W
на замовлення 4159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.45 грн |
| 10+ | 104.39 грн |
| 100+ | 62.22 грн |
| 500+ | 49.65 грн |
| 1000+ | 48.04 грн |
| SI4427BDY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| SI4427BDYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



