Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4427BDY-T1-E3
SI4427BDY-T1-E3

SI4427BDY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4427bd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4427BDY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI4427BDY-T1-E3 за ціною від 42.18 грн до 155.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4427BDY-T1-E3 SI4427BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4427bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.92 грн
10+84.14 грн
100+59.49 грн
500+45.54 грн
1000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDY-T1-E3 SI4427BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4427bd.pdf MOSFETs 30V 13.3A 3W
на замовлення 4159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.35 грн
10+109.98 грн
100+65.55 грн
500+52.31 грн
1000+50.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4427bd.pdf
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDY-T1-E3 SI4427BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4427bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDY-T1-E3 SI4427BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4427bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4427bd.pdf SI4427BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDY-T1-E3 SI4427BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4427bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.