Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4431BDY-T1-GE3
SI4431BDY-T1-GE3

SI4431BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4431bd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.38 грн
5000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4431BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V.

Інші пропозиції SI4431BDY-T1-GE3 за ціною від 28.47 грн до 114.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4431BDY-T1-GE3 SI4431BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si4431bd.pdf MOSFETs 30V 7.5A 2.5W 30mohm @ 10V
на замовлення 6891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.40 грн
10+68.61 грн
100+46.42 грн
500+39.43 грн
1000+32.08 грн
2500+29.72 грн
5000+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-GE3 SI4431BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4431bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
на замовлення 6593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.60 грн
10+70.12 грн
100+46.88 грн
500+34.63 грн
1000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4431bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.