Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4431CDY-T1-E3
SI4431CDY-T1-E3

SI4431CDY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4431cd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.03 грн
5000+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4431CDY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI4431CDY-T1-E3 за ціною від 29.50 грн до 84.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4431CDY-T1-E3 SI4431CDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4431cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
на замовлення 5666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.58 грн
10+59.01 грн
100+40.28 грн
500+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3 SI4431CDY-T1-E3 Виробник : Vishay / Siliconix si4431cd.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 11112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.03 грн
10+63.37 грн
25+55.03 грн
100+37.52 грн
500+31.41 грн
1000+30.38 грн
2500+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4431cd.pdf 08NOPB
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3
Код товару: 179028
Додати до обраних Обраний товар

si4431cd.pdf Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3 SI4431CDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3 SI4431CDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.