Продукція > Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду > SI4431CDY-T1-E3

SI4431CDY-T1-E3

si4431cd.pdf
Код товару: 179028
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI4431CDY-T1-E3 за ціною від 24.37 грн до 116.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4431CDY-T1-E3 SI4431CDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4431cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3 SI4431CDY-T1-E3 VISHAY si4431cd.pdf Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+44.24 грн
500+31.92 грн
1000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3 SI4431CDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4431cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.48 грн
10+59.69 грн
100+40.00 грн
500+31.42 грн
1000+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3 SI4431CDY-T1-E3 VISHAY si4431cd.pdf Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.53 грн
13+67.05 грн
100+44.24 грн
500+31.92 грн
1000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3 SI4431CDY-T1-E3 Vishay / Siliconix si4431cd.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.50 грн
10+71.79 грн
100+41.20 грн
500+32.40 грн
1000+28.56 грн
2500+25.70 грн
5000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3 VISHAY si4431cd.pdf 08NOPB
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
150+44.24 грн
500+31.92 грн
1000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+82.48 грн
10+59.69 грн
100+40.00 грн
500+31.42 грн
1000+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+107.53 грн
13+67.05 грн
100+44.24 грн
500+31.92 грн
1000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+116.50 грн
10+71.79 грн
100+41.20 грн
500+32.40 грн
1000+28.56 грн
2500+25.70 грн
5000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-E3 si4431cd.pdf
Виробник: VISHAY
08NOPB
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.