Продукція > VISHAY > SI4431CDY-T1-GE3
SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3 Vishay

si4431cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4431CDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4431CDY-T1-GE3 за ціною від 20.14 грн до 78.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4431cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.03 грн
5000+29.62 грн
7500+28.46 грн
12500+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.80 грн
500+34.03 грн
1000+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
232+52.77 грн
234+52.17 грн
312+39.22 грн
314+37.52 грн
500+32.80 грн
1000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 232
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+64.96 грн
13+49.00 грн
25+48.44 грн
100+35.12 грн
250+32.26 грн
500+29.24 грн
1000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.51 грн
50+52.49 грн
100+37.80 грн
500+34.03 грн
1000+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4431cd.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 8970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.75 грн
10+54.32 грн
25+47.08 грн
100+34.50 грн
500+33.47 грн
2500+27.22 грн
5000+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4431cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
на замовлення 33963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.79 грн
10+50.19 грн
100+36.06 грн
500+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Siliconix si4431cd.pdf P-MOSFET 30V 9A 2.5W 32mΩ SI4431CDY-T1-GE3 TSI4431cdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.