Продукція > VISHAY > SI4431CDY-T1-GE3
SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3 Vishay

si4431cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4431CDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4431CDY-T1-GE3 за ціною від 21.69 грн до 104.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4431cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
316+40.14 грн
318+39.96 грн
374+33.91 грн
376+32.56 грн
500+27.59 грн
1000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 316
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.33 грн
500+37.27 грн
1000+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+47.75 грн
17+43.01 грн
25+42.81 грн
100+35.03 грн
250+32.30 грн
500+28.38 грн
1000+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 2.7W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+59.26 грн
10+46.19 грн
20+42.77 грн
50+38.19 грн
100+34.69 грн
200+31.18 грн
500+26.51 грн
1000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 2.7W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.12 грн
10+57.56 грн
20+51.33 грн
50+45.82 грн
100+41.62 грн
200+37.42 грн
500+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4431cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
на замовлення 30219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.73 грн
10+55.11 грн
100+39.24 грн
500+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+82.16 грн
50+63.39 грн
100+46.33 грн
500+37.27 грн
1000+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4431cd.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 10183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.59 грн
10+65.82 грн
100+37.86 грн
500+31.14 грн
1000+26.89 грн
2500+23.93 грн
5000+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Siliconix si4431cd.pdf P-MOSFET 30V 9A 2.5W 32mΩ SI4431CDY-T1-GE3 TSI4431cdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.