SI4431CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 26.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4431CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI4431CDY-T1-GE3 за ціною від 22.68 грн до 120.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4431CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4431CDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4431CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4431CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V |
на замовлення 30219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4431CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4431CDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4431CDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -30A Drain current: -7.2A Gate charge: 38nC On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 2.7W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement |
на замовлення 681 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4431CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 6397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4431CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI4431CDY-T1-GE3 | Виробник : Siliconix |
P-MOSFET 30V 9A 2.5W 32mΩ SI4431CDY-T1-GE3 TSI4431cdy кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SI4431CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |