Продукція > VISHAY > SI4431CDY-T1-GE3
SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3 Vishay

si4431cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4431CDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4431CDY-T1-GE3 за ціною від 20.29 грн до 81.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4431cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.32 грн
5000+30.81 грн
7500+29.61 грн
12500+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.07 грн
500+37.79 грн
1000+34.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
228+53.89 грн
231+53.19 грн
312+39.35 грн
314+37.70 грн
500+32.96 грн
1000+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.38 грн
10+43.77 грн
39+24.16 грн
107+22.80 грн
1000+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+65.27 грн
13+50.04 грн
25+49.39 грн
100+35.23 грн
250+32.41 грн
500+29.38 грн
1000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.06 грн
10+54.54 грн
39+28.99 грн
107+27.36 грн
1000+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.95 грн
50+56.49 грн
100+42.07 грн
500+37.79 грн
1000+34.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4431cd.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 8561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.04 грн
10+59.41 грн
100+37.73 грн
500+33.83 грн
1000+30.08 грн
2500+25.10 грн
5000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4431cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
на замовлення 33963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.96 грн
10+52.22 грн
100+37.51 грн
500+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Siliconix si4431cd.pdf P-MOSFET 30V 9A 2.5W 32mΩ SI4431CDY-T1-GE3 TSI4431cdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.