Продукція > VISHAY > SI4434ADY-T1-GE3
SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3 VISHAY

2606253.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4434ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 4.1 A, 0.125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 4.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 6
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: ThunderFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.125
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.46 грн
500+72.72 грн
1000+55.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4434ADY-T1-GE3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V.

Інші пропозиції SI4434ADY-T1-GE3 за ціною від 55.20 грн до 198.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4434ADY-T1-GE3 SI4434ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2606253.pdf Description: VISHAY - SI4434ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 4.1 A, 0.125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 4.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 6
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: ThunderFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.125
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.24 грн
10+118.50 грн
100+94.46 грн
500+72.72 грн
1000+55.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3 SI4434ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si4434ady.pdf MOSFETs 250V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.19 грн
10+115.32 грн
100+68.43 грн
500+56.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3 SI4434ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4434ady.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3 SI4434ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4434ady.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4434ady.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3 SI4434ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4434ady.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 2.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3 SI4434ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4434ady.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4434ady.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 4.1A; Idm: 25A; 6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.