Продукція > VISHAY > SI4435DDY-T1-E3
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3 Vishay


si4435ddy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4435DDY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4435DDY-T1-E3 за ціною від 16.48 грн до 84.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay doc68841.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay doc68841.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.04 грн
5000+18.20 грн
10000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay doc68841.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+20.41 грн
100+19.64 грн
250+18.15 грн
500+17.39 грн
1000+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay doc68841.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay doc68841.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.58 грн
5000+19.60 грн
10000+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4435ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.77 грн
5000+19.33 грн
7500+18.50 грн
12500+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay doc68841.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
554+21.98 грн
555+21.93 грн
556+21.89 грн
558+21.06 грн
1000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 554
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4435ddy.pdf Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.74 грн
500+23.36 грн
1000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4435ddy.pdf Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+37.28 грн
23+36.22 грн
100+28.74 грн
500+23.36 грн
1000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4435ddy.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.43 грн
10+42.14 грн
100+28.74 грн
500+23.37 грн
1000+21.62 грн
2500+19.59 грн
5000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4435ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 15853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.78 грн
10+51.25 грн
100+33.64 грн
500+24.45 грн
1000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4435ddy.pdf SI4435DDY SMD P channel transistors
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.27 грн
39+27.83 грн
105+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.