Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4435DDY-T1-GE3
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4435ddy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 41090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.78 грн
7500+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.

Інші пропозиції SI4435DDY-T1-GE3 за ціною від 20.18 грн до 114.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.05 грн
7500+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.05 грн
7500+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.05 грн
7500+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.05 грн
7500+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.68 грн
31+26.20 грн
50+25.03 грн
100+23.50 грн
500+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.33 грн
7500+30.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+54.30 грн
500+42.42 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+72.19 грн
273+54.41 грн
310+47.89 грн
313+45.71 грн
500+32.00 грн
1000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY si4435ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 887 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.10 грн
10+43.94 грн
43+23.26 грн
117+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4435ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 41314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.02 грн
10+51.28 грн
50+37.97 грн
100+31.58 грн
500+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4435ddy.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 14701 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+92.27 грн
10+42.15 грн
100+32.47 грн
500+25.17 грн
1000+24.26 грн
2500+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.29 грн
11+72.19 грн
25+54.41 грн
100+46.18 грн
250+42.33 грн
500+30.72 грн
1000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 5588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 5588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY 2046729.pdf Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Semiconductor si4435dd.pdf P-канальний ПТ, Id = 11,4 A, Ptot, Вт = 5, Udss, В = 30, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1350 @ 15, Qg, нКл = 50 @ 10 В, Rds = 24 мОм @ 9,1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 700 Од. в
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.05 грн
7500+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.05 грн
7500+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.05 грн
7500+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.05 грн
7500+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+27.68 грн
31+26.20 грн
50+25.03 грн
100+23.50 грн
500+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.33 грн
7500+30.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
273+54.30 грн
500+42.42 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
206+72.19 грн
273+54.41 грн
310+47.89 грн
313+45.71 грн
500+32.00 грн
1000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 887 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+84.10 грн
10+43.94 грн
43+23.26 грн
117+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 41314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.02 грн
10+51.28 грн
50+37.97 грн
100+31.58 грн
500+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 14701 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+92.27 грн
10+42.15 грн
100+32.47 грн
500+25.17 грн
1000+24.26 грн
2500+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+114.29 грн
11+72.19 грн
25+54.41 грн
100+46.18 грн
250+42.33 грн
500+30.72 грн
1000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 5588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 5588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 2046729.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435dd.pdf
Виробник: Vishay Semiconductor
P-канальний ПТ, Id = 11,4 A, Ptot, Вт = 5, Udss, В = 30, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1350 @ 15, Qg, нКл = 50 @ 10 В, Rds = 24 мОм @ 9,1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 700 Од. в
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.