Продукція > VISHAY > SI4435DDY-T1-GE3
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3 Vishay

si4435ddy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 435000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+16.99 грн
5000+ 15.41 грн
10000+ 15 грн
25000+ 14.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4435DDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015).

Інші пропозиції SI4435DDY-T1-GE3 за ціною від 14.16 грн до 47.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4435ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.04 грн
5000+ 16.46 грн
12500+ 15.24 грн
25000+ 14.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 435000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.29 грн
5000+ 16.6 грн
10000+ 16.16 грн
25000+ 15.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 15
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2046729.pdf Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+24.97 грн
25+ 23.72 грн
100+ 19.93 грн
500+ 17.92 грн
Мінімальне замовлення: 24
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+29.34 грн
7500+ 26.8 грн
15000+ 24.94 грн
22500+ 22.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
на замовлення 7576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+32.08 грн
500+ 24.91 грн
1000+ 19.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+41.82 грн
15+ 39.1 грн
25+ 38.65 грн
100+ 25.87 грн
250+ 23.03 грн
500+ 20.14 грн
1000+ 15.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
278+42.11 грн
282+ 41.63 грн
406+ 28.89 грн
422+ 26.79 грн
500+ 22.59 грн
1000+ 17.06 грн
Мінімальне замовлення: 278
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4435ddy.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 29085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.69 грн
10+ 38.36 грн
100+ 22.66 грн
500+ 19.88 грн
1000+ 17.44 грн
2500+ 16.78 грн
5000+ 15.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4435ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 25844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.16 грн
10+ 39.63 грн
100+ 27.43 грн
500+ 21.51 грн
1000+ 18.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
на замовлення 7576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+47.35 грн
50+ 39.72 грн
100+ 32.08 грн
500+ 24.91 грн
1000+ 19.56 грн
Мінімальне замовлення: 16
SI4435DDY-T1-GE3 Виробник : Siliconix si4435ddy.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4435DDY TSI4435ddy
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 50
SI4435DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductor si4435ddy.pdf P-канальний ПТ; Id = 11,4 A; Ptot, Вт = 5; Udss, В = 30; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1350 @ 15; Qg, нКл = 50 @ 10 В; Rds = 24 мОм @ 9,1 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 700 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4435ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.1A; Idm: -50A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9.1A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4435ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.1A; Idm: -50A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9.1A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній