SI4435DDY-T1-GE3 Siliconix
Виробник: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4435DDY TSI4435ddy
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 18.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4435DDY-T1-GE3 Siliconix
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SI4435DDY-T1-GE3 за ціною від 14.57 грн до 92.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4435DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4435DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V |
на замовлення 50712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4435DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 172500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4435DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 172500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4435DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4435DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4435DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4435DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4435DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4435DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4435DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.5A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 3.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 712 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4435DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V |
на замовлення 50882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4435DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 4326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4435DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4435DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI4435DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductor |
P-канальний ПТ, Id = 11,4 A, Ptot, Вт = 5, Udss, В = 30, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1350 @ 15, Qg, нКл = 50 @ 10 В, Rds = 24 мОм @ 9,1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 700 шт: термін постачання 3 дні (днів) |