Продукція > SILICONIX > SI4435DDY-T1-GE3
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3 Siliconix

info-tsi4435ddy.pdf
Виробник: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4435DDY TSI4435ddy
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4435DDY-T1-GE3 Siliconix

Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SI4435DDY-T1-GE3 за ціною від 14.92 грн до 93.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY 2046729.pdf Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4435ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 51090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.01 грн
5000+18.66 грн
7500+17.85 грн
12500+15.91 грн
17500+15.41 грн
25000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.98 грн
5000+25.93 грн
7500+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.98 грн
5000+25.93 грн
7500+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.98 грн
5000+25.93 грн
7500+25.65 грн
12500+22.80 грн
17500+21.08 грн
25000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.98 грн
5000+25.93 грн
7500+25.65 грн
12500+22.80 грн
17500+21.08 грн
25000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.65 грн
500+27.72 грн
1000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.28 грн
21+37.61 грн
100+32.01 грн
500+27.16 грн
1000+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.85 грн
19+41.05 грн
26+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4435ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 51361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.46 грн
10+49.48 грн
100+32.46 грн
500+23.60 грн
1000+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4435ddy.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 4326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.52 грн
10+52.69 грн
100+30.10 грн
500+23.33 грн
1000+21.14 грн
2500+18.75 грн
5000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY si4435ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.88 грн
10+55.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.74 грн
50+58.79 грн
100+38.65 грн
500+27.72 грн
1000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Semiconductor si4435dd.pdf P-канальний ПТ, Id = 11,4 A, Ptot, Вт = 5, Udss, В = 30, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1350 @ 15, Qg, нКл = 50 @ 10 В, Rds = 24 мОм @ 9,1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 700 Од. в
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 2046729.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 51090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+21.01 грн
5000+18.66 грн
7500+17.85 грн
12500+15.91 грн
17500+15.41 грн
25000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+28.98 грн
5000+25.93 грн
7500+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+28.98 грн
5000+25.93 грн
7500+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+28.98 грн
5000+25.93 грн
7500+25.65 грн
12500+22.80 грн
17500+21.08 грн
25000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+28.98 грн
5000+25.93 грн
7500+25.65 грн
12500+22.80 грн
17500+21.08 грн
25000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+38.65 грн
500+27.72 грн
1000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+44.28 грн
21+37.61 грн
100+32.01 грн
500+27.16 грн
1000+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+46.85 грн
19+41.05 грн
26+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 51361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+82.46 грн
10+49.48 грн
100+32.46 грн
500+23.60 грн
1000+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 4326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+85.52 грн
10+52.69 грн
100+30.10 грн
500+23.33 грн
1000+21.14 грн
2500+18.75 грн
5000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+85.88 грн
10+55.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+93.74 грн
50+58.79 грн
100+38.65 грн
500+27.72 грн
1000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435dd.pdf
Виробник: Vishay Semiconductor
P-канальний ПТ, Id = 11,4 A, Ptot, Вт = 5, Udss, В = 30, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1350 @ 15, Qg, нКл = 50 @ 10 В, Rds = 24 мОм @ 9,1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 700 Од. в
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.