Продукція > VISHAY > SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3 Vishay

Name: SI4435DDY-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 251412-7
Price: 44250.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	17.70 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI4435DDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SI4435DDY-T1-GE3 за ціною від 15.57 грн до 105.67 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI4435DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	19.47 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SI4435DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	20.97 грн
5000+	18.62 грн
7500+	17.82 грн
12500+	15.88 грн
17500+	15.57 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4435DDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	22.28 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4435DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	24.81 грн
5000+	21.89 грн
7500+	20.35 грн
12500+	18.77 грн
17500+	17.20 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4435DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	25.14 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4435DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	26.54 грн
5000+	24.47 грн
7500+	23.42 грн
12500+	21.44 грн
17500+	19.46 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4435DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	26.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4435DDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	40.20 грн
500+	28.97 грн
1000+	24.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI4435DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
17+	44.42 грн
19+	38.97 грн
25+	38.54 грн
100+	22.99 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SI4435DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 714 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
278+	46.39 грн
500+	35.82 грн

Мінімальне замовлення: 278

В кошику од. на суму грн.

SI4435DDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 714 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	57.93 грн
11+	41.05 грн
50+	31.12 грн
100+	27.56 грн
500+	21.27 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SI4435DDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 714 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	69.52 грн
10+	51.15 грн
50+	37.34 грн
100+	33.07 грн
500+	25.52 грн
1000+	23.04 грн
2500+	21.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4435DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	79.25 грн
10000+	72.41 грн
15000+	67.37 грн
20000+	61.28 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI4435DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

на замовлення 64876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	81.65 грн
10+	49.41 грн
100+	32.40 грн
500+	23.55 грн
1000+	21.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI4435DDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	98.04 грн
50+	61.23 грн
100+	40.20 грн
500+	28.97 грн
1000+	24.22 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SI4435DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	98.50 грн
12+	63.05 грн
100+	42.53 грн
500+	31.95 грн
1000+	25.82 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SI4435DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 17394 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	105.67 грн
10+	64.14 грн
100+	36.79 грн
500+	28.92 грн
1000+	24.63 грн
2500+	19.78 грн
5000+	18.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4435DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4435DDY-T1-GE3

Виробник : Siliconix

Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4435DDY TSI4435ddy
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
50+	17.91 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

SI4435DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductor

P-канальний ПТ; Id = 11,4 A; Ptot, Вт = 5; Udss, В = 30; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1350 @ 15; Qg, нКл = 50 @ 10 В; Rds = 24 мОм @ 9,1 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOICN-8

на замовлення 700 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4435DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.