Продукція > SI4 > SI4435DY-TR

SI4435DY-TR



Виробник:

на замовлення 2738 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4435DY-TR

Description: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI4435DY-TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4435DYTR IR si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983 0507+
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTR si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983
Виробник: IR
0507+
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.