Продукція > VISHAY > SI4435FDY-T1-GE3
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3 Vishay

si4435fdy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4435FDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4435FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.8W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4435FDY-T1-GE3 за ціною від 8.43 грн до 41.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002931291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4435FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.86 грн
500+13.93 грн
1000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D973D138F000D3&compId=si4435fdy.pdf?ci_sign=d351e26323940fdb9f90a1077a0912fb922686d7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+34.09 грн
16+25.17 грн
50+18.05 грн
72+13.06 грн
196+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4435fdy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.16 грн
13+25.33 грн
100+16.19 грн
500+11.48 грн
1000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si4435fdy.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 19703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.12 грн
13+28.22 грн
100+15.65 грн
500+11.93 грн
1000+10.49 грн
2500+9.27 грн
5000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D973D138F000D3&compId=si4435fdy.pdf?ci_sign=d351e26323940fdb9f90a1077a0912fb922686d7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.91 грн
10+31.36 грн
50+21.65 грн
72+15.67 грн
196+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002931291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4435FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.34 грн
50+30.94 грн
100+19.86 грн
500+13.93 грн
1000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4435fdy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4435fdy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4435fdy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4435fdy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.