Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4435FDY-T1-GE3
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4435fdy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+12.62 грн
5000+11.10 грн
7500+10.57 грн
12500+9.36 грн
17500+9.03 грн
25000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4435FDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI4435FDY-T1-GE3 за ціною від 9.80 грн до 55.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Vishay si4435fdy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+34.26 грн
645+21.93 грн
1000+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 VISHAY si4435fdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.42 грн
14+30.54 грн
50+21.80 грн
100+18.83 грн
500+13.15 грн
1000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4435fdy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 100033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.33 грн
10+31.38 грн
100+20.23 грн
500+14.45 грн
1000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix si4435fdy.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 186658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.18 грн
10+33.72 грн
100+18.89 грн
500+14.45 грн
1000+12.97 грн
2500+11.35 грн
5000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 si4435fdy.pdf
SI4435FDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
413+34.26 грн
645+21.93 грн
1000+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 si4435fdy.pdf
SI4435FDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+48.42 грн
14+30.54 грн
50+21.80 грн
100+18.83 грн
500+13.15 грн
1000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 si4435fdy.pdf
SI4435FDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 100033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+52.33 грн
10+31.38 грн
100+20.23 грн
500+14.45 грн
1000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 si4435fdy.pdf
SI4435FDY-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 186658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+55.18 грн
10+33.72 грн
100+18.89 грн
500+14.45 грн
1000+12.97 грн
2500+11.35 грн
5000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.